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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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易星新材料獲Pre-A輪融資，精進SiC研磨減薄技術

近日，西安易星新材料有限公司（簡稱“易星新材料”）成功宣布完成數(shù)千萬元的Pre-A輪融資。本輪融資由西高投旗下基金獨家出資，為公司未來的發(fā)展注入了強勁動力。

2025-02-11 標簽：半導體 SiC 新材料 179 0

逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊的損耗計算

傾佳電子楊茜以NB500系列輸入功率29KVA的逆變焊機應用為例做國產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF80R12RA3和英飛凌高頻IGBT模塊FF150R12KS...

2025-02-10 標簽：仿真 IGBT SiC 54 0

高頻感應電源國產(chǎn)SiC碳化硅模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比

傾佳電子楊茜以50KW高頻感應電源應用為例，分析BASiC基本股份國產(chǎn)SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊損耗計算對比: 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳...

2025-02-10 標簽：SiC 感應電源碳化硅 52 0

英飛凌再次榮膺2024年全球電子成就獎，CoolSiC? MOSFET 2000V功率器件和模塊備受矚目

英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產(chǎn)品設計以及卓越的...

2025-02-08 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 89 0

新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬電距離采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiCMO...

2025-02-08 標簽：MOSFET 分立器件 SiC 77 0

英飛凌科技：看好新能源汽車和AIoT市場增長潛力，打造創(chuàng)新產(chǎn)品為客戶增加價值

英飛凌科技表示：“2024 財年，英飛凌表現(xiàn)良好，業(yè)績符合預期。回顧近幾年，電子行業(yè)既承載了低碳化數(shù)字化轉型帶來的機遇，也面臨著由市場波動和不確定性帶來...

2025-02-10 標簽：英飛凌 SiC AI服務器 914 0

國產(chǎn)首款！成功驗證

來源：新華網(wǎng) 我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是我國制造業(yè)轉型升級的驅動因素和重要保證。...

2025-02-05 標簽：功率器件 SiC 114 0

AMAZINGIC晶焱科技技術應用：典范轉移 EV全生態(tài)系商機 - The CAN SIC Transceiver Is Ready To Go.

2025-02-05 標簽：電動車 CAN SiC 119 0

中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍圖

超高壓與高頻化：國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應商（比如BASiC基本股份）研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET，適配海上風電、軌道交通需求；突破MHz...

2025-02-05 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 114 0

碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應用均流控制技術的綜述

碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應用均流控制技術的綜述，傾佳電子楊茜綜合了當前研究進展與關鍵技術方向。

2025-02-05 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 100 0

傾佳電子楊茜向您拜年：以SiC革新電力電子 · 2025與您智啟零碳未來！

新春賀辭尊敬的電力電子行業(yè)伙伴與客戶朋友們：祥龍回首辭舊歲，金蛇起舞迎新年！在這萬象更新的美好時刻，我謹代表傾佳電子及團隊，向廣大客戶、合作伙伴致以...

2025-01-28 標簽：SiC 功率半導體 191 0

碳化硅（SiC）MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯

碳化硅（SiC）MOSFET以低價策略顛覆市場的核心邏輯:低價SiC器件的“致命性”在于性價比的絕對碾壓

2025-02-05 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 153 0

為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案

BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H（即車輛到家庭）使用智能電動汽車充電和雙向（雙向）...

2025-02-05 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 227 0

為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結MOS提供驅動芯片及驅動供電解決方案

BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結MOS提供驅動芯片及驅動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應用場景研發(fā)推出門極驅動芯...

2025-02-06 標簽：IGBT 功率器件 SiC 158 0

為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管

?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管在科技政策與法規(guī)的推動下，半導體行業(yè)正經(jīng)歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低...

2025-02-06 標簽：二極管 SiC 122 0

25個半導體項目達成簽約、開工、封頂及投產(chǎn)等重要進展

? ? 半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，華天盤古半導體先進封測項目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目、百立新半導體6英寸MEMS晶圓制造線項目、...

2025-01-24 標簽：半導體 SiC 封測 896 0

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功率器件是實現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽為電力電子系統(tǒng)的心臟，是最為基礎、最為廣泛應用的器件之一。隨著硅（Si）基功率器件的性能逼近極限，以碳化硅（Si...

2025-01-23 標簽：電源功率器件 SiC 415 0

為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

2025-01-23 標簽：MOSFET SiC 氮化鎵 238 0

SiC產(chǎn)業(yè)融資熱潮持續(xù),五家企業(yè)近期成功獲資

近期，全球及國內的碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)迎來了融資加速期，又有五家企業(yè)成功獲得融資，進一步推動了SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。　　瞻芯電子在1月21日宣布完成...

2025-01-23 標簽：SiC 碳化硅 189 0

碳化硅(SiC)功率器件在航空與航天領域的應用與技術前景

隨著飛機、航天和衛(wèi)星系統(tǒng)對功率轉換需求的快速發(fā)展，技術趨勢正朝著更高功率和電壓水平、更小尺寸、更輕重量以及更高效率的轉換器方向發(fā)展。寬禁帶(WBG)半導...

2025-01-23 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 185 0

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