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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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光伏繼續(xù)高歌猛進(jìn) 碳化硅開啟廣泛合作 光伏為何擁抱SiC?
今年上半年,光伏需求繼續(xù)飆升,中國新增光伏裝機(jī)增長153%,逆變器廠商也賺得“盆滿缽滿”,陽光電源、德業(yè)股份等7家企業(yè)營收同比增長超140%。
2023-08-08 標(biāo)簽:SiC光伏逆變器功率半導(dǎo)體 1279 0
Gel-Pak VR真空釋放盒應(yīng)用于50V GaN HEMT 芯片
50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國 Gel-Pak VR 真空釋放盒進(jìn)行包裝, Gel-Pak 采用了無殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定...
利普思SiC功率模塊產(chǎn)品通過歐洲航空設(shè)備廠家驗證
由于應(yīng)用領(lǐng)域特殊,項目對功率器件的性能和可靠性均提出了極高的要求。而作為第一家獲得導(dǎo)入的中國SiC功率器件企業(yè),利普思以其國際化的專業(yè)團(tuán)隊、高性能高可靠...
SiC晶體具有與GaN材料高匹配的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù),有著優(yōu)良的熱導(dǎo)率,是GaN基的理想襯底材料。SiC襯底加工技術(shù)已然成為器件制作的重要基礎(chǔ),其表面...
2023-08-04 標(biāo)簽:SiC電源系統(tǒng)碳化硅 771 0
據(jù)“行家說三代半”此前報道,2022年2月,英飛凌宣布將投資超過20億歐元(合計約144億人民幣)擴(kuò)大SiC 和 GaN半導(dǎo)體的產(chǎn)能,他們將在其馬來西亞...
2023-08-04 標(biāo)簽:英飛凌SiC儲能系統(tǒng) 805 0
近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiC MOSFET)
新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個柵極驅(qū)動IC1...
SIC功率器件在新能源領(lǐng)域所發(fā)揮的作用都有哪些呢?
中國碳化硅行業(yè)是一個極具潛力的行業(yè),其涉及的產(chǎn)品多樣化,產(chǎn)業(yè)鏈深入,應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,具有良好的市場發(fā)展前景。
新冠初期的芯片供應(yīng)短缺加劇了行業(yè)對先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)品多樣化來源的需求,但是選擇十分有限,正如AMD所發(fā)現(xiàn)的那樣。
瑞能半導(dǎo)體全球首座模塊工廠在上海灣區(qū)高新區(qū)正式投入運營
7月25日,瑞能微恩半導(dǎo)體暨瑞能金山模塊廠開業(yè)典禮在上海灣區(qū)高新區(qū)隆重舉行,標(biāo)志著瑞能全球首座模塊工廠正式投入運營,將主要生產(chǎn)應(yīng)用于消費、通訊、新能源以...
2023-07-27 標(biāo)簽:封裝SiC瑞能半導(dǎo)體 834 0
汽車芯片問題似乎得到了解決,但事情并未完全結(jié)束。
8吋SiC外延設(shè)備首次亮相 已經(jīng)完成首輪工藝驗證
在SEMICON China 2023上海展上,中國電科集團(tuán)攜集成電路、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體顯示、光伏及熱工等領(lǐng)域設(shè)備和工藝整體解決方案重裝亮相,全面展...
2023-07-24 標(biāo)簽:SiC半導(dǎo)體顯示 1282 0
2023年7月12日,羅姆宣布將收購原Solar Frontier國富工廠(宮崎縣國富町),以擴(kuò)大SiC(碳化硅)功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能。
2023-07-13 標(biāo)簽:太陽能電池SiC功率半導(dǎo)體 939 0
成本低質(zhì)量還高,國產(chǎn)廠商新突破帶來SiC成本拐點?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)今年以來國內(nèi)的SiC產(chǎn)業(yè)進(jìn)展神速,除了上游廠商陸續(xù)放出8英寸襯底的進(jìn)展之外,還有多家襯底廠商與海外半導(dǎo)體巨頭簽下供應(yīng)協(xié)議。...
2023-07-12 標(biāo)簽:SiC 1234 0
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