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標(biāo)簽 > zvs
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移相ZVS變換器使用MOSFET器件的潛在風(fēng)險(xiǎn)分析
在過(guò)去的幾年中,對(duì)具有足夠效率來(lái)管理大功率的系統(tǒng)的市場(chǎng)需求促使開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)具有低電損耗的拓?fù)洹WM相移控制全橋變換器是一種非常流行的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
基于多相交錯(cuò)BUCK/BOOST的TCM控制的實(shí)現(xiàn)后我考慮到單相逆變器其實(shí)等效于是BUCK,所以直接把TCM控制思想沿用到了逆變器上,經(jīng)過(guò)簡(jiǎn)單測(cè)試,效果...
零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)/零電流開(kāi)關(guān)(ZCS)技術(shù),或稱軟開(kāi)關(guān)技術(shù),小功率軟開(kāi)關(guān)電源效率可提高到80%~85%。20世紀(jì)70年代諧振開(kāi)關(guān)電源奠定了軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的基礎(chǔ)。
今天在進(jìn)行《磁性元件與開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)》企業(yè)內(nèi)訓(xùn)時(shí);在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)-LLC設(shè)計(jì)調(diào)試技巧中對(duì)LLC的關(guān)鍵技術(shù)及易發(fā)生故障的狀況進(jìn)行了分析;
玩ZVS很久了,一直沒(méi)有試過(guò)感應(yīng)加熱,是因?yàn)閭€(gè)人條件的問(wèn)題所以。。。總之現(xiàn)在有條件了,做一個(gè)來(lái)玩玩,同時(shí)也算是一個(gè)教程
2018-09-12 標(biāo)簽:ZVS感應(yīng)加熱 17.5萬(wàn) 1
提出一種諧振型高壓側(cè)調(diào)制的電流型雙向變換器 并介紹其優(yōu)點(diǎn)
本文提出了一種諧振型高壓側(cè)調(diào)制雙向直流變換器,通過(guò)理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,該直流變換器有如下優(yōu)點(diǎn)。
2018-01-22 標(biāo)簽:變換器zvs開(kāi)關(guān)管 6770 0
要實(shí)現(xiàn)LLC原邊MOSFET ZVS,MOSFET電容必須滿足的條件
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開(kāi)通(ZVS),MOSFET的開(kāi)通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
ZVS的實(shí)現(xiàn)方案解析和MOSFET的損耗分析
MOSFET的損耗主要包括如下幾個(gè)部分:1導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通損耗是比較容易理解的,即流過(guò)MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。...
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