對(duì)于高頻電路,需要采用網(wǎng)絡(luò)法萊進(jìn)行分析,此時(shí)需要用到S參數(shù),
可以使用元器件廠家的S參數(shù)也可以自己搭建測(cè)試電路使用網(wǎng)絡(luò)分析儀萊測(cè)得S參數(shù),
要想深刻的理解S參數(shù),需要具備足夠的高頻電子電路的基礎(chǔ)知識(shí)。
在進(jìn)行射頻、微波等高頻電路設(shè)計(jì)時(shí),節(jié)點(diǎn)電路理論已不再適用,需要采用分步參數(shù)電路的分析方法,這是可以采用復(fù)雜的場(chǎng)分析法,但更多的時(shí)候則采用微波網(wǎng)絡(luò)來分析電路,對(duì)于微波網(wǎng)絡(luò)而言,最重要的參數(shù)就是S參數(shù),在個(gè)人計(jì)算機(jī)平臺(tái)邁入GHz階段之后,從計(jì)算機(jī)的中央處理器、顯示界面、存儲(chǔ)器總線到I/O接口,全部走入高頻傳送的國(guó)度,所以現(xiàn)在不但射頻通信電路設(shè)計(jì)時(shí)需要了解、掌握S參數(shù),計(jì)算機(jī)系統(tǒng)甚至消費(fèi)電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師也需要對(duì)相關(guān)知識(shí)有所掌握。
什么是s參數(shù)
微波系統(tǒng)主要研究信號(hào)和能量?jī)纱髥栴}:信號(hào)問題主要是研究幅頻和相頻特性;能量問題主要是研究能量如何有效地傳輸。
分布參數(shù)電路必須采用場(chǎng)分析法,但場(chǎng)分析法過于復(fù)雜,因此需要一種簡(jiǎn)化的分析方法。 微波網(wǎng)絡(luò)法廣泛運(yùn)用于微波系統(tǒng)的分析,是一種等效電路法,在分析場(chǎng)分布的基礎(chǔ)上,用路的方法將微波元件等效為電抗或電阻器件,將實(shí)際的導(dǎo)波傳輸系統(tǒng)等效為傳輸線,從而將實(shí)際的微波系統(tǒng)簡(jiǎn)化為微波網(wǎng)絡(luò),把場(chǎng)的問題轉(zhuǎn)化為路的問題來解決。微波網(wǎng)絡(luò)理論在低頻網(wǎng)絡(luò)理論的基礎(chǔ)上發(fā)展起來,低頻電路分析是微波電路分析的一個(gè)特殊情況。
微波系統(tǒng)主要研究信號(hào)和能量?jī)纱髥栴}:信號(hào)問題主要是研究幅頻和相頻特性;能量問題主要是研究能量如何有效地傳輸。微波系統(tǒng)是分布參數(shù)電路,必須采用場(chǎng)分析法,但場(chǎng)分析法過于復(fù)雜,因此需要一種簡(jiǎn)化的分析方法。
一般地,對(duì)于一個(gè)網(wǎng)絡(luò)有Y、Z和S參數(shù)可用來測(cè)量和分析,Y稱導(dǎo)納參數(shù),Z稱為阻抗參數(shù),S稱為散射參數(shù);前兩個(gè)參數(shù)主要用于集總電路,Z和Y參數(shù)對(duì)于集中參數(shù)電路分析非常有效,各參數(shù)可以很方便的測(cè)試;但是在微波系統(tǒng)中,由于確定非TEM波電壓、電流的困難性,而且在微波頻率測(cè)量電壓和電流也存在實(shí)際困難。因此,在處理高頻網(wǎng)絡(luò)時(shí),等效電壓和電流以及有關(guān)的阻抗和導(dǎo)納參數(shù)變得較抽象。與直接測(cè)量入射、反射及傳輸波概念更加一致的表示是散射參數(shù),即S參數(shù)矩陣,它更適合于分布參數(shù)電路。 S參數(shù)就是建立在入射波、反射波關(guān)系基礎(chǔ)上的網(wǎng)絡(luò)參數(shù),適于微波電路分析,以器件端口的反射信號(hào)以及從該端口傳向另一端口的信號(hào)來描述電路網(wǎng)絡(luò)。同N端口網(wǎng)絡(luò)的阻抗和導(dǎo)納矩陣那樣,用散射矩陣亦能對(duì)N端口網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行完善的描述。阻抗和導(dǎo)納矩陣反映了端口的總電壓和電流的關(guān)系,而散射矩陣是反映端口的入射電壓波和反射電壓波的關(guān)系。散射參量可以直接用網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量得到,可以用網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)來計(jì)算。只要知道網(wǎng)絡(luò)的散射參量,就可以將它變換成其它矩陣參量。
二端口網(wǎng)絡(luò)為例說明各個(gè)S參數(shù)的含義
如圖所示。二端口網(wǎng)絡(luò)有四個(gè)S參數(shù),Sij代表的意思是能量從j口注入,在i口測(cè)得的能量,
如S11定義為從 Port1口反射的能量與輸入能量比值的平方根,也經(jīng)常被簡(jiǎn)化為等效反射電壓和等效入射電壓的比值,
各參數(shù)的物理含義和特殊網(wǎng)絡(luò)的特性如下:
S11:端口2匹配時(shí),端口1的反射系數(shù);
S22:端口1匹配時(shí),端口2的反射系數(shù);
S12:端口1匹配時(shí),端口2到端口1的反向傳輸系數(shù);
S21:端口2匹配時(shí),端口1到端口2的正向傳輸系數(shù);
對(duì)于互易網(wǎng)絡(luò),有:S12=S21;
對(duì)于對(duì)稱網(wǎng)絡(luò),有:S11=S22 對(duì)于無耗網(wǎng)絡(luò),有:(S11)2+(S12)2=1 ;
S21表示插入損耗,也就是有多少能量被傳輸?shù)侥康亩耍≒ort2)了,這個(gè)值越大越好,理想值是1,即0dB,S21越大傳輸?shù)男试礁撸话憬ㄗhS21>0.7,即-3dB。
我們經(jīng)常用到的單根傳輸線,或一個(gè)過孔,就可以等效成一個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò),一端接輸入信號(hào),另一端接輸出信號(hào),如果以Port1作為信號(hào)的輸入端 口,Port2作為信號(hào)的輸出端口,那么S11表示的就是回波損耗,即有多少能量被反射回源端(Port1),這個(gè)值越小越好,一般建議 S11《0.1,即-20dB,S21表示插入損耗,也就是有多少能量被傳輸?shù)侥康亩耍≒ort2)了,這個(gè)值越大越好,理想值是1,即 0dB,S21越大傳輸?shù)男试礁撸话憬ㄗhS21》0.7,即-3dB。如果網(wǎng)絡(luò)是無耗的,那么只要Port1上的反射很小,就可以滿足 S21》0.7的要求,但通常的傳輸線是有耗的,尤其在GHz以上,損耗很顯著,即使在Port1上沒有反射,經(jīng)過長(zhǎng)距離的傳輸線后,S21的值就 會(huì)變得很小,表示能量在傳輸過程中還沒到達(dá)目的地,就已經(jīng)消耗在路上了。
S參數(shù)定義
在低頻電路中,元器件的尺寸相對(duì)于信號(hào)的波長(zhǎng)而言可以忽略(通常小于波長(zhǎng)的十分之一),這種情況之下,電路被稱為節(jié)點(diǎn)(Lump)電路,這時(shí)可以采用常規(guī)的電壓、電流定律來進(jìn)行電路計(jì)算,其回路期間的基本特征為:
1,具體來說S參數(shù)就是建立在入射波、反射波關(guān)系基礎(chǔ)上的網(wǎng)絡(luò)參數(shù),適于微波電路分析,以器件端口的反射信號(hào)以及從該端口傳向另一端口的信號(hào)來描述電路網(wǎng)絡(luò)。
2,針對(duì)射頻和微波應(yīng)用的綜合和分析工具幾乎都許諾具有用S參數(shù)進(jìn)行仿真的能力,這其中包括安捷倫公司的ADS(Advanced Design System),ADS被許多射頻設(shè)計(jì)平臺(tái)所集成。
3,在進(jìn)行需要較高頻率的設(shè)計(jì)時(shí),設(shè)計(jì)師必須利用參數(shù)曲線以及預(yù)先計(jì)算的散射參數(shù)(即S-參數(shù))模型,才能用傳輸線和器件模型來設(shè)計(jì)所有物理元件。
4,電阻:能量損失(發(fā)熱)
5,電容:靜電能量
6,電感:電磁能量
但在高頻微波電路中,由于波長(zhǎng)較短,組件的尺寸就無法再視為一個(gè)節(jié)點(diǎn),某一瞬間組件上所分布的電壓、電流也就不一致了。因此基本的電路理論不再適 用,而必須采用電磁場(chǎng)理論中的反射及傳輸模式來分析電路。元器件內(nèi)部電磁波的進(jìn)行波與反射波的干涉失去了一致性,電壓電流比的穩(wěn)定狀態(tài)固有特性再也不適 用,取而代之的是“分布參數(shù)”的特性阻抗觀念,此時(shí)的電路被稱為分布(Distributed) 電路。分布參數(shù)回路元器件所考慮的要素是與電磁波的傳送與反射為基礎(chǔ)的要素,即:
1,反射系數(shù)
2,衰減系數(shù)
3,傳送的延遲時(shí)間
S參數(shù)在工程測(cè)試和理論計(jì)算中都得到廣泛采用。
一般利用各種參數(shù) (H, Y, Z, S) 來對(duì)器件進(jìn)行描述:
1、器件的線性模型
2、反映器件在不同頻率和阻抗端接情況下工作性能
3、通過測(cè)試來對(duì)器件進(jìn)行建模
4、通過計(jì)算對(duì)器件進(jìn)行匹配,阻抗變化等處理
在某些應(yīng)用中采用器件參數(shù)可通過轉(zhuǎn)換由S參數(shù)得到。
利用S參的優(yōu)點(diǎn)如下:
1、概念與器件性能指標(biāo)對(duì)應(yīng)
2、方便復(fù)雜系統(tǒng)分析
3、完整反映被測(cè)器件性能
4、便于建立器件數(shù)學(xué)模型
5、級(jí)連系統(tǒng)的S參數(shù)計(jì)算
6、便于導(dǎo)出 H, Y, 或 Z 等參數(shù)
7、EDA 設(shè)計(jì)軟件的數(shù)據(jù)格式
S參數(shù)可全面直觀表示一個(gè)器件(系統(tǒng))的性能指標(biāo):
對(duì)于20dB衰減器,20dB為功率對(duì)數(shù)表示,轉(zhuǎn)換為相應(yīng)線性電壓表示為:0.1。
輸入端駐波比1.2,轉(zhuǎn)換為反射系數(shù)為0.09。
當(dāng)然S參數(shù)應(yīng)包含相位信息,對(duì)于象衰減器這樣的互易器件,其S12=S21。
微波晶體管是非互易器件,其S參數(shù)隨頻率及工作電平變化很大。 器件的生產(chǎn)廠商應(yīng)提供各頻率范圍內(nèi)及直流偏置條件下S參數(shù)數(shù)值。
圖1 S參數(shù)的定義
下面以二端口器件為例,介紹S參數(shù)的數(shù)學(xué)定義。
S參雙端口器件的S參數(shù)包含四個(gè)參數(shù)(N端口器件S參數(shù)包含N^2個(gè)參數(shù))。S參數(shù)的定義是基于信號(hào)電壓比值的參數(shù),所以S參數(shù)為矢量。
S參數(shù)下標(biāo)注的意義是:第一個(gè)數(shù)字代表信號(hào)輸出端口,第二個(gè)數(shù)字代表信號(hào)輸入端。Sab:表示被測(cè)件端口b到端口a的傳輸系數(shù)。
例:被測(cè)件輸入端為:1端口;輸出端:2端口:
S11:當(dāng)被測(cè)件輸出端接匹配負(fù)載時(shí),輸入端反射系數(shù);
S21:當(dāng)被測(cè)件輸出端接匹配負(fù)載時(shí),器件 端口1Þ端口2傳輸系數(shù)。
圖2 S參數(shù)的公式
S參數(shù)的作用
S參數(shù)自問世以來已在電路仿真中得到廣泛使用。針對(duì)射頻和微波應(yīng)用的綜合和分析工具幾乎都許諾具有用S參數(shù)進(jìn)行仿真的能力,這其中包括安捷倫公司的ADS(Advanced Design System),ADS被許多射頻設(shè)計(jì)平臺(tái)所集成。
在許多仿真器中我們都可以找到S參數(shù)模塊,設(shè)計(jì)人員會(huì)設(shè)置每一個(gè)具體S參數(shù)的值。這也和S參數(shù)的起源一樣,同樣是因?yàn)轭l率,在較低的頻率時(shí),設(shè)計(jì)師 可以在電路板上安裝分立的射頻元件,再用阻抗可控的印制線和通孔把它們連接起來。在進(jìn)行需要較高頻率的設(shè)計(jì)時(shí),設(shè)計(jì)師必須利用參數(shù)曲線以及預(yù)先計(jì)算的散射 參數(shù)(即S-參數(shù))模型,才能用傳輸線和器件模型來設(shè)計(jì)所有物理元件。
設(shè)計(jì)師可以通過網(wǎng)絡(luò)分析儀來實(shí)際測(cè)量S參數(shù),這樣做的好處是可以將器件裝配在與將要生產(chǎn)的PCB相 同的PCB上進(jìn)行測(cè)試以得到精確的測(cè)量結(jié)果。設(shè)計(jì)師也可以采用元器件廠家提供的S參數(shù)進(jìn)行仿真,據(jù)安捷倫EDA部門的一位應(yīng)用工程師在文章中介紹:“這些 數(shù)據(jù)通常是在與最終應(yīng)用環(huán)境不同的環(huán)境中測(cè)得的。這可能在仿真中引入誤差”他舉例:“當(dāng)電容器安裝在不同類型的印制電路板時(shí),電容器會(huì)因?yàn)榘惭b焊盤和電路 板材料(如厚度、介電常數(shù)等)而存在不同的諧振頻率。固態(tài)器件也會(huì)遇到類似問題(如 LNA 應(yīng)用中的晶體管)。為避免這些問題,最好應(yīng)該在實(shí)驗(yàn)室中測(cè)量S參數(shù)。但無論如何,為了進(jìn)行射頻系統(tǒng)仿真,就無法回避使用S參數(shù)模型,無論這些數(shù)據(jù)是來自設(shè)計(jì)師的親自測(cè)量還是直接從元器件廠家獲得,這是由高頻電子電路的特性所決定了的。
評(píng)論