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光纖光柵制作與應用( 二)
通訊頻寬的需求是無止盡的。近來，透過光通訊TDM或WDM系統技術的改進，
已能大幅增加通訊的頻寬，未來高速通訊傳輸網絡將很可能是這兩種光通訊系統的結
合。而近幾年來，「光纖光柵」在制造技術上的明顯進步，正迅速沖激著這兩種光通
訊技術系統的設計走向。
根據加拿大CRC 研究中心的預測：在未來幾年內，光纖光柵的世界市場值將增
加至一億美元的規模，主要原因是光纖光柵被廣泛地應用在光通訊上的影響。本刊于
Vol.6,1996 已對光纖光柵做過專文簡介，本期將再就光纖光柵的制程技術和在光通訊
系統上的應用趨勢做進一步的深入探討。
光纖光柵的制程技術趨勢
光纖光柵是在直徑約10 微米的單模光纖纖核上曝上周期性的強紫外光條紋，這
些紫外光條紋主要是用波長為248nm 或193nm 的準分子雷射經干涉或透過相位光罩
所形成的。
此干涉條紋將在纖核形成周期性的折射率變化，當入射光波長滿足Bragg 條件時，
其散射光將沿原光路返回而形成光濾波器。在實用及量產方面， 1989 年United
Technologies 發展出「全像干涉法」大幅提升光纖光柵的實用性；繼之， 1993 年Hill
發展出「相位光罩法」更使得光纖光柵的量產可行性大為增加。
光纖光柵的主要性能參數包括：反射波長、中心波長反射率、譜線線寬和損耗等。
這些性能參數則受到折射率變化、光柵長度、光柵周期等結構參數的影響。
一般而言，光纖光柵的工作波長決定于光柵周期；而光纖光柵的工作頻寬及反射
率則決定于光柵的長度及纖核折射率的變化量。光柵越長，其頻寬越窄、反射率也越
高，而纖核折射率的變化量更關系著產品的質量與制造成本。因此，制造技術改進主
要在增加折射率變化量。
一般認為光纖光柵制造過程中，光纖折射率的變化是因為纖核內的Ge-Si 錯鍵
(wrong bonds)因紫外光照射而斷裂，減輕了Ge-Si 錯鍵所造成的應力，此過程造成光
纖折射率的改變。另有些則主張是因為纖核內的GeO 缺陷吸收紫外光，造成color center
而改變了光纖的吸收光譜而造成光纖折射率的變化。
因此一般增加折射率變化的方法主要是增加摻鍺濃度。例如：摻硼可以減小數值
孔徑，從而容許增大鍺含量，以提升其感旋光性。用氫氣焰來回烘燒要感光的區段，在
溫度高達1700℃下持續約20 分鐘之后，能增加光纖中的鍺缺陷，使同樣的紫外光曝
光，折射率改變增大十倍以上。
在充氫氣的環境下進行曝光，也可增加感光的靈敏度，降低曝光所需的時間， 這
是因為紫外光子打斷了摻雜點的化學鍵，這個處于激發態的鍵同附近的H2 分子反應
生成了Si－OH 鍵和新的鍺缺陷，伴隨著折射率的增加。其過程是將裸光纖置于幾百
個大氣壓的高壓氫氣中數百個小時，然后進行UV 光曝光，便可以獲得大于光纖核、
纖殼折射率差的折射率增值。折射率差可達10-2 數量級,然而氫載的感旋光性是暫時的，
必須在光纖取出高壓艙后馬上進行UV 曝光。
除摻雜濃度外，光纖中的折射率改變量還與許多參數有關，如：照射波長、光纖
類型、光纖溫度以及該段光纖以前的歷史和曝光功率、曝光時間等。其中，當紫外光
脈沖能量小于10mJ 時可以形成I 型光柵，當脈沖的能量大于40mJ 時，則可以形成Ⅱ
型光柵。
Ⅰ型光柵不穩定，它可以被藍光或綠光擦除，或置于450℃幾秒鐘即被擦除。若
要在被擦除的地方再形成同樣折射率變化的光柵，所需要的曝光量將比前一次的曝光
量更大。
Ⅱ型光柵是很穩定的，能在1800℃下經過10 小時而不會使折射率發生變化。Ⅱ
型光柵的形成原理不同于Ⅰ型光柵，大于40mJ 的光脈沖在光纖內引起幾千度的溫升，
會使紫外吸收快速增長。
另外當形成Ⅱ型光柵時，由于強的布拉格反射使在小于布拉格諧振波長數十nm
范圍內有一附加損耗帶，它起因于導模耦合成纖殼模。要想消除這種損耗，可以從光
纖的結構入手，在纖核和纖殼中間加入一個中介層，該中介層采用鍺、氟共摻雜，使
它的折射率與纖殼的折射率相當。而中介層的鍺含量與纖核內鍺含量一樣大。這樣當
光纖曝光后，纖核和纖殼的折射率變化相同，這樣導模傳輸的模場區域內折射率變化
相同，便不會發生耦合附加損耗了。
最后，在紫外形成光柵中，隨著曝光量的增大雖折射率改變增大，但同時也伴隨
著諧振波長向長波長方向漂移。其原因是氫載光纖中紫外形成光柵消耗了光纖核區中
的氫分子，導致纖殼的氫分子向纖核區和纖外擴散，從而折射率增大，波長變大。氫
載光纖布拉格的漂移增大了制造光柵的難度，波長的漂移取決于曝光時光纖中氫分子
的濃度和多少氫分子被消耗。然氫氣焰刷火后形成的紫外光柵，光柵波長幾乎沒有漂
移。
光纖光柵的光通訊應用趨勢
光纖光柵主要的作用在于濾波，當寬帶的光訊號通過光纖光柵時，光柵能非常有
效地將波長滿足布拉格條件的入射光反射，其它波長的光則不受光柵的影響而通過，
可做成波長選擇分布反射鏡或濾波器?？刂乒鈻胖芷诳梢宰鞒鲱l寬從0.05nm 的窄頻
周期光柵到12nm 的chirp 寬帶光柵。
(2) 分波多任務與解分波多任務
利用光纖光柵的濾波特性，可以將不同波長的光纖光柵串聯，將不同的波長反射
分離而形成一WDM組件。
目前有兩種較可行的WDM 組件制造方法：其一是用光循環器與不同波長的光纖
光柵串聯來分離不同的波長，不過此法制作上較費勞力。另一種方法是用光耦合器與
光纖光柵結合成Mach-Zehnder 干涉儀結構，再彼此串聯后可以把不同波長的信號加
入傳輸線路或從傳輸線路分離出來。
用光纖光柵作的WDM 組件與輸入光的極性無關，對外界的溫度變化也不敏感，
能在1550nm 的波長范圍對信號間距為100GHz 的信號做有效的分波多任務與解分波多
工。
(3) 光纖雷射
在一定長度的摻鉺光纖的兩端做成1550nm 波長的光柵，兩光柵之間即相當于一
諧振腔，用980nm 或1480nm 當泵浦雷射激發，鉺離子就會產生增益放大而形成光纖
雷射。
由于光柵的選頻作用，諧振腔只能反饋某一特定波長的光，輸出單頻雷射， 再經
過光隔離器即能輸出窄線寬、高功率、低噪聲的信號雷射。
光纖雷射的優點是光纖光柵的兼容性、輸出穩定性及光譜純度。與半導體雷射相
比，光纖雷射具有較高的光輸出功率、較低的相對強度噪聲、極窄的線寬、以及較寬
的調諧范圍。光纖雷射的線寬可做到小于2.5KHz，顯然優于線寬10MHz 的分布反饋
(DFB)雷射。
另外，在WDM 傳輸系統中一個很重要的參數就是可調諧性。光纖雷射不但很容
易實現調諧，而且調諧范圍(>50nm)遠大于半導體雷射(1～2nm)。
(4) 光纖光柵DFB 雷射
把光纖光柵作為半導體二極管的外腔反射鏡，就可以制出性能優越的光纖光柵
DFB 雷射，不僅輸出雷射的線寬窄，易于與光纖系統耦合，而且通過對光柵加縱向拉
伸力，就能控制輸出雷射的頻率和模式。已有實驗證明，用1.2Gb/s 直接調變和光柵
控制可得線寬小于50kHz、chirp 小于50Hz 的雷射輸出。
與光纖光柵雷射相比，光纖光柵DFB 雷射其諧振腔較不受溫度影響，因此其輸出
模態較光纖光柵雷射穩定。
(5) 色散補償器
色散是限制光通訊容量的主要因素之一，現已發現了不少色散補償方法。但光纖
布拉格光柵色散補償器與其它方法相比，具有全光纖型、損耗低、體積小、重量輕、
成本低、靈活方便等諸多優點。
早期鋪設的光纖在1310nm 波長附近有最小的色散；不過為了配合EDFA 的使用，
目前大都改用1550nm 波段，然而在1550nm 處負色散區藍光分量快于紅光分量，將
產生明顯的色散問題。解決的辦法之一是在適當的距離處加裝光纖光柵色散補償元
件。其原理是利用chirp 光柵在不同點有不同的Bragg 波長，使光柵周期大的一端在
前，則紅光分量在光柵前端反射，而藍光分量在光柵末端反射，因此藍光分量比紅光
分量多走了較長距離，這樣便在紅藍光間產生一個時差。經過光柵以后，滯后的紅光
便會趕上藍光，從而產生色散補償作用。目前已用chirp 光柵色散補償器實現200km
標準光纖的色散補償。
廠商動態
Spectran 公司所生產的Photosil 單模光纖是專門為制造光纖光柵所作的，能在兩
分鐘內曝造大于20dB 的高反射率光纖光柵，其數值口徑和模場直徑亦和標準光纖相
近因此其熔接損失相當低。
相位光罩可以復制大量光纖光柵，然光罩本身制造成本高，加拿大QPS 銷售不同
波長的低價標準相位光罩，其最新產品是可用來制造125mm 長光柵的相位光罩。另
外光纖光柵的實驗耗時費錢，利用計算機仿真輔助可以加速產品設計，QPS 也與Power
Matrix Technology 合作開發SuperBragg 軟件可用來設計uniform and chirp 光纖光柵。
3M 的新產品是在980nm 的雷射二極管的頭端接上一光纖光柵，使少量波長980nm
的光反射回雷射二極管的共振腔內而鎖定波長，因此可用來穩定EDFA 的泵浦雷射激
發波長，此光纖光柵的反射率是2~5%，溫度靈敏度是0.012nm/℃，抗壓度是100kpsi。
Lucent Technology 公司已應用光纖光柵技術于六項新商用產品包括980nm
Stabilizer, 980 nm pump reflector, 1480 pump reflector, YAG reflector,1550 nm signal
reflector 和ASE(amplified Stimulated Emission) suppression filter，前三項產品主要是
用來提升光纖放大器的性能，YAG reflector 用于光纖雷射, 1550 nm signal reflector 用
于DWDM系統而ASE(amplified Stimulated Emission) suppression filter 用于消除因使
用光纖放大器而產生的1530nm ASE 噪聲。
Bragg Photonics,Inc.有銷售1300nm 和1500nm 范圍的光纖光柵其信道間隔1nm 能用于
DWDM 并達ITU 標準，此外Bragg Photonics, Inc.亦有銷售長周期光纖光柵用于EDFA
增益曲線之扁平化。
LOA 和Cabloptic 公司生產長周期光纖光柵用于色散補償器，經多重曝光其周期
長達120 微米。
為克服對溫度的不穩定性， Melles Griot 公司將光纖光柵嵌入于調溫封裝內，其溫
度穩定性0.035nm/℃，其波長間距達ITU 協議中DWDM所要求規格200GHz。
在設計DWDM 時須穩定的光源，E-TEK 用光纖光柵來穩定雷射光源，其波長精
確至正負0.08nm，符合ITU 所要求規格，其溫度穩定性 0.01nm/℃，波長穩定性0.005nm/
12hours，線寬小于100KHz。
結論
光纖光柵的光學特性是傳統濾波器不能比的，光纖光柵在光通訊上的應用更是非
常廣泛，它很可能成為WDM 的必要組件，并使WDM 能廣泛的用于用戶回路。然從
商品角度來看，要先解決一些技術問題之后，市場才能夠打開。比如說WDM 的通道
間隔需標準化、光纖光柵較易受溫度改變的影響及其對溫度穩定范圍需提高。
在光纖色散補償和EDFA 光增益曲線平坦的應用方面，光纖光柵似乎比其它技術
更為可行，然由于光放大器間隔尚未決定很難推出色散補償標準產品。另外在感應器
的應用方面其市場將漸大進而降低光纖光柵制造成本。
就我國現況而言，目前有電信研究所、工研院光電所和臺大等學術單位，及幾家
廠商已投入技術研發。用途方面，除使用于光通訊的用途之外，亦有很多單位熱衷于
工程方面的感應器應用。整體而言，誠如臺大教授王倫所指稱：目前我國雖已具有光
纖光柵的量產技術，但仍必需克服層層的專利問題，才能順利于世界市場中占有一席
之地。
通訊頻寬的需求是無止盡的。近來，透過光通訊TDM或WDM系統技術的改進，
已能大幅增加通訊的頻寬，未來高速通訊傳輸網絡將很可能是這兩種光通訊系統的結
合。而近幾年來，「光纖光柵」在制造技術上的明顯進步，正迅速沖激著這兩種光通
訊技術系統的設計走向。
根據加拿大CRC 研究中心的預測：在未來幾年內，光纖光柵的世界市場值將增
加至一億美元的規模，主要原因是光纖光柵被廣泛地應用在光通訊上的影響。本刊于
Vol.6,1996 已對光纖光柵做過專文簡介，本期將再就光纖光柵的制程技術和在光通訊
系統上的應用趨勢做進一步的深入探討。
光纖光柵的制程技術趨勢
光纖光柵是在直徑約10 微米的單模光纖纖核上曝上周期性的強紫外光條紋，這
些紫外光條紋主要是用波長為248nm 或193nm 的準分子雷射經干涉或透過相位光罩
所形成的。
此干涉條紋將在纖核形成周期性的折射率變化，當入射光波長滿足Bragg 條件時，
其散射光將沿原光路返回而形成光濾波器。在實用及量產方面， 1989 年United
Technologies 發展出「全像干涉法」大幅提升光纖光柵的實用性；繼之， 1993 年Hill
發展出「相位光罩法」更使得光纖光柵的量產可行性大為增加。
光纖光柵的主要性能參數包括：反射波長、中心波長反射率、譜線線寬和損耗等。
這些性能參數則受到折射率變化、光柵長度、光柵周期等結構參數的影響。
一般而言，光纖光柵的工作波長決定于光柵周期；而光纖光柵的工作頻寬及反射
率則決定于光柵的長度及纖核折射率的變化量。光柵越長，其頻寬越窄、反射率也越
高，而纖核折射率的變化量更關系著產品的質量與制造成本。因此，制造技術改進主
要在增加折射率變化量。
一般認為光纖光柵制造過程中，光纖折射率的變化是因為纖核內的Ge-Si 錯鍵
(wrong bonds)因紫外光照射而斷裂，減輕了Ge-Si 錯鍵所造成的應力，此過程造成光
纖折射率的改變。另有些則主張是因為纖核內的GeO 缺陷吸收紫外光，造成color center
而改變了光纖的吸收光譜而造成光纖折射率的變化。
因此一般增加折射率變化的方法主要是增加摻鍺濃度。例如：摻硼可以減小數值
孔徑，從而容許增大鍺含量，以提升其感旋光性。用氫氣焰來回烘燒要感光的區段，在
溫度高達1700℃下持續約20 分鐘之后，能增加光纖中的鍺缺陷，使同樣的紫外光曝
光，折射率改變增大十倍以上。
在充氫氣的環境下進行曝光，也可增加感光的靈敏度，降低曝光所需的時間， 這
是因為紫外光子打斷了摻雜點的化學鍵，這個處于激發態的鍵同附近的H2 分子反應
生成了Si－OH 鍵和新的鍺缺陷，伴隨著折射率的增加。其過程是將裸光纖置于幾百
個大氣壓的高壓氫氣中數百個小時，然后進行UV 光曝光，便可以獲得大于光纖核、
纖殼折射率差的折射率增值。折射率差可達10-2 數量級,然而氫載的感旋光性是暫時的，
必須在光纖取出高壓艙后馬上進行UV 曝光。
除摻雜濃度外，光纖中的折射率改變量還與許多參數有關，如：照射波長、光纖
類型、光纖溫度以及該段光纖以前的歷史和曝光功率、曝光時間等。其中，當紫外光
脈沖能量小于10mJ 時可以形成I 型光柵，當脈沖的能量大于40mJ 時，則可以形成Ⅱ
型光柵。
Ⅰ型光柵不穩定，它可以被藍光或綠光擦除，或置于450℃幾秒鐘即被擦除。若
要在被擦除的地方再形成同樣折射率變化的光柵，所需要的曝光量將比前一次的曝光
量更大。
Ⅱ型光柵是很穩定的，能在1800℃下經過10 小時而不會使折射率發生變化。Ⅱ
型光柵的形成原理不同于Ⅰ型光柵，大于40mJ 的光脈沖在光纖內引起幾千度的溫升，
會使紫外吸收快速增長。
另外當形成Ⅱ型光柵時，由于強的布拉格反射使在小于布拉格諧振波長數十nm
范圍內有一附加損耗帶，它起因于導模耦合成纖殼模。要想消除這種損耗，可以從光
纖的結構入手，在纖核和纖殼中間加入一個中介層，該中介層采用鍺、氟共摻雜，使
它的折射率與纖殼的折射率相當。而中介層的鍺含量與纖核內鍺含量一樣大。這樣當
光纖曝光后，纖核和纖殼的折射率變化相同，這樣導模傳輸的模場區域內折射率變化
相同，便不會發生耦合附加損耗了。
最后，在紫外形成光柵中，隨著曝光量的增大雖折射率改變增大，但同時也伴隨
著諧振波長向長波長方向漂移。其原因是氫載光纖中紫外形成光柵消耗了光纖核區中
的氫分子，導致纖殼的氫分子向纖核區和纖外擴散，從而折射率增大，波長變大。氫
載光纖布拉格的漂移增大了制造光柵的難度，波長的漂移取決于曝光時光纖中氫分子
的濃度和多少氫分子被消耗。然氫氣焰刷火后形成的紫外光柵，光柵波長幾乎沒有漂
移。
光纖光柵的光通訊應用趨勢
光纖光柵主要的作用在于濾波，當寬帶的光訊號通過光纖光柵時，光柵能非常有
效地將波長滿足布拉格條件的入射光反射，其它波長的光則不受光柵的影響而通過，
可做成波長選擇分布反射鏡或濾波器?？刂乒鈻胖芷诳梢宰鞒鲱l寬從0.05nm 的窄頻
周期光柵到12nm 的chirp 寬帶光柵。
(2) 分波多任務與解分波多任務
利用光纖光柵的濾波特性，可以將不同波長的光纖光柵串聯，將不同的波長反射
分離而形成一WDM組件。
目前有兩種較可行的WDM 組件制造方法：其一是用光循環器與不同波長的光纖
光柵串聯來分離不同的波長，不過此法制作上較費勞力。另一種方法是用光耦合器與
光纖光柵結合成Mach-Zehnder 干涉儀結構，再彼此串聯后可以把不同波長的信號加
入傳輸線路或從傳輸線路分離出來。
用光纖光柵作的WDM 組件與輸入光的極性無關，對外界的溫度變化也不敏感，
能在1550nm 的波長范圍對信號間距為100GHz 的信號做有效的分波多任務與解分波多
工。
(3) 光纖雷射
在一定長度的摻鉺光纖的兩端做成1550nm 波長的光柵，兩光柵之間即相當于一
諧振腔，用980nm 或1480nm 當泵浦雷射激發，鉺離子就會產生增益放大而形成光纖
雷射。
由于光柵的選頻作用，諧振腔只能反饋某一特定波長的光，輸出單頻雷射， 再經
過光隔離器即能輸出窄線寬、高功率、低噪聲的信號雷射。
光纖雷射的優點是光纖光柵的兼容性、輸出穩定性及光譜純度。與半導體雷射相
比，光纖雷射具有較高的光輸出功率、較低的相對強度噪聲、極窄的線寬、以及較寬
的調諧范圍。光纖雷射的線寬可做到小于2.5KHz，顯然優于線寬10MHz 的分布反饋
(DFB)雷射。
另外，在WDM 傳輸系統中一個很重要的參數就是可調諧性。光纖雷射不但很容
易實現調諧，而且調諧范圍(>50nm)遠大于半導體雷射(1～2nm)。
(4) 光纖光柵DFB 雷射
把光纖光柵作為半導體二極管的外腔反射鏡，就可以制出性能優越的光纖光柵
DFB 雷射，不僅輸出雷射的線寬窄，易于與光纖系統耦合，而且通過對光柵加縱向拉
伸力，就能控制輸出雷射的頻率和模式。已有實驗證明，用1.2Gb/s 直接調變和光柵
控制可得線寬小于50kHz、chirp 小于50Hz 的雷射輸出。
與光纖光柵雷射相比，光纖光柵DFB 雷射其諧振腔較不受溫度影響，因此其輸出
模態較光纖光柵雷射穩定。
(5) 色散補償器
色散是限制光通訊容量的主要因素之一，現已發現了不少色散補償方法。但光纖
布拉格光柵色散補償器與其它方法相比，具有全光纖型、損耗低、體積小、重量輕、
成本低、靈活方便等諸多優點。
早期鋪設的光纖在1310nm 波長附近有最小的色散；不過為了配合EDFA 的使用，
目前大都改用1550nm 波段，然而在1550nm 處負色散區藍光分量快于紅光分量，將
產生明顯的色散問題。解決的辦法之一是在適當的距離處加裝光纖光柵色散補償元
件。其原理是利用chirp 光柵在不同點有不同的Bragg 波長，使光柵周期大的一端在
前，則紅光分量在光柵前端反射，而藍光分量在光柵末端反射，因此藍光分量比紅光
分量多走了較長距離，這樣便在紅藍光間產生一個時差。經過光柵以后，滯后的紅光
便會趕上藍光，從而產生色散補償作用。目前已用chirp 光柵色散補償器實現200km
標準光纖的色散補償。
廠商動態
Spectran 公司所生產的Photosil 單模光纖是專門為制造光纖光柵所作的，能在兩
分鐘內曝造大于20dB 的高反射率光纖光柵，其數值口徑和模場直徑亦和標準光纖相
近因此其熔接損失相當低。
相位光罩可以復制大量光纖光柵，然光罩本身制造成本高，加拿大QPS 銷售不同
波長的低價標準相位光罩，其最新產品是可用來制造125mm 長光柵的相位光罩。另
外光纖光柵的實驗耗時費錢，利用計算機仿真輔助可以加速產品設計，QPS 也與Power
Matrix Technology 合作開發SuperBragg 軟件可用來設計uniform and chirp 光纖光柵。
3M 的新產品是在980nm 的雷射二極管的頭端接上一光纖光柵，使少量波長980nm
的光反射回雷射二極管的共振腔內而鎖定波長，因此可用來穩定EDFA 的泵浦雷射激
發波長，此光纖光柵的反射率是2~5%，溫度靈敏度是0.012nm/℃，抗壓度是100kpsi。
Lucent Technology 公司已應用光纖光柵技術于六項新商用產品包括980nm
Stabilizer, 980 nm pump reflector, 1480 pump reflector, YAG reflector,1550 nm signal
reflector 和ASE(amplified Stimulated Emission) suppression filter，前三項產品主要是
用來提升光纖放大器的性能，YAG reflector 用于光纖雷射, 1550 nm signal reflector 用
于DWDM系統而ASE(amplified Stimulated Emission) suppression filter 用于消除因使
用光纖放大器而產生的1530nm ASE 噪聲。
Bragg Photonics,Inc.有銷售1300nm 和1500nm 范圍的光纖光柵其信道間隔1nm 能用于
DWDM 并達ITU 標準，此外Bragg Photonics, Inc.亦有銷售長周期光纖光柵用于EDFA
增益曲線之扁平化。
LOA 和Cabloptic 公司生產長周期光纖光柵用于色散補償器，經多重曝光其周期
長達120 微米。
為克服對溫度的不穩定性， Melles Griot 公司將光纖光柵嵌入于調溫封裝內，其溫
度穩定性0.035nm/℃，其波長間距達ITU 協議中DWDM所要求規格200GHz。
在設計DWDM 時須穩定的光源，E-TEK 用光纖光柵來穩定雷射光源，其波長精
確至正負0.08nm，符合ITU 所要求規格，其溫度穩定性 0.01nm/℃，波長穩定性0.005nm/
12hours，線寬小于100KHz。
結論
光纖光柵的光學特性是傳統濾波器不能比的，光纖光柵在光通訊上的應用更是非
常廣泛，它很可能成為WDM 的必要組件，并使WDM 能廣泛的用于用戶回路。然從
商品角度來看，要先解決一些技術問題之后，市場才能夠打開。比如說WDM 的通道
間隔需標準化、光纖光柵較易受溫度改變的影響及其對溫度穩定范圍需提高。
在光纖色散補償和EDFA 光增益曲線平坦的應用方面，光纖光柵似乎比其它技術
更為可行，然由于光放大器間隔尚未決定很難推出色散補償標準產品。另外在感應器
的應用方面其市場將漸大進而降低光纖光柵制造成本。
就我國現況而言，目前有電信研究所、工研院光電所和臺大等學術單位，及幾家
廠商已投入技術研發。用途方面，除使用于光通訊的用途之外，亦有很多單位熱衷于
工程方面的感應器應用。整體而言，誠如臺大教授王倫所指稱：目前我國雖已具有光
纖光柵的量產技術，但仍必需克服層層的專利問題，才能順利于世界市場中占有一席
之地。
工商網監
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