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Vishay推出集成的DrMOS解決方案SiC762CD

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使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實用解決方案和指南

SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實驗性雙脈沖測試(DPT)結(jié)果驗證。
2022-05-05 10:43:232008

矽力杰集成功率級DrMOS方案

伴隨著CPU, GPU等的性能進步和制程發(fā)展,主板的供電設計也迎來了更多的挑戰(zhàn),大電流、高效率、空間占用小、動態(tài)響應快、保護更智能的需求使得傳統(tǒng)的采用分立MOS的方案逐漸被取代,SPS/DrMOS解決方案憑借更好的性能表現(xiàn)成為主流。
2022-12-21 09:17:522049

Prisemi推出集成度低功耗TWS耳機充電全新解決方案

Prisemi推出集成度低功耗TWS耳機充電全新解決方案
2023-01-06 10:53:47259

想你所想,Prisemi推出集成度低功耗TWS耳機充電全新解決方案

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2023-01-06 11:21:10609

Microchip推出全新MPLAB? SiC電源模擬器,助力客戶在設計階段測試SiC電源解決方案

地過渡到SiC電源解決方案,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出MPLAB SiC電源模擬器,可在將設計實現(xiàn)為硬件之前,快速評估各種拓撲結(jié)構(gòu)
2023-03-25 06:40:02450

開關(guān)電源設計優(yōu)質(zhì)選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358

SILERGY矽力杰集成功率級DrMOS方案

SILERGY矽力杰集成功率級DrMOS方案
2023-06-07 15:17:17735

Prisemi芯導推出集成度低功耗TWS耳機充電全新解決方案

Prisemi芯導推出集成度低功耗TWS耳機充電全新解決方案
2022-05-26 17:50:36467

矽力杰集成功率級DrMOS方案

分立MOS的方案逐漸被取代,SPS/DrMOS解決方案憑借更好的性能表現(xiàn)成為主流。01矽力杰DrMOS方案SQ29663采用業(yè)界標準封裝,芯片內(nèi)部集成兩個高性能的
2023-01-12 15:17:18616

【世說芯品】Microchip推出全新MPLAB? SiC電源模擬器,助力客戶在設計階段測試SiC電源解決方案

地過渡到SiC電源解決方案,MicrochipTechnologyInc.(美國微芯科技公司)宣布推出MPLABSiC電源模擬器,可在將設計實現(xiàn)為硬件之前,快速評估各
2023-04-09 14:24:45413

Vishay推出四款新系列200 V FRED Pt超快恢復整流器

、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3 和 5 A VS-5EAH02xM3 為商業(yè)、工業(yè)和車載應用提供節(jié)省空間的高效解決方案,每種產(chǎn)品都有 Vishay 汽車級 AEC-Q101 認證版本。
2023-06-21 17:25:00524

Vishay推出新型6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩(wěn)壓器

SiC951?和?SiC967采用 10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm 封裝,占位面積和高度均小于市場上此類器件,輸入電壓范圍 4.5 V 至 60 V。? ? ? ? ? 日前發(fā)布的穩(wěn)壓器模塊比其他解決方案小 69 %,每款模塊集成兩個高性能 MOSFET,一個電感器
2023-09-15 10:41:09546

想你所想,Prisemi芯導推出集成度低功耗TWS耳機充電全新解決方案

想你所想,Prisemi芯導推出集成度低功耗TWS耳機充電全新解決方案
2023-11-01 14:55:57215

矽力杰高效率DrMOS方案

,包括:更高的效率、更高的功率密度,同時滿足極高的瞬態(tài)響應要求。多相Buck電源(多相控制器+DrMOS)正是低壓、高功耗應用場景的最佳解決方案DrMOS矽力杰Dr
2023-11-22 08:19:19636

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