3.5GHz及以上頻率，LDMOS存在固有技術限制。第四代氮化鎵技術通過4GLTE基礎設施確立了相對于LDMOS的領先優勢，其在功率密度、節省空間和能源效率方面具有顯著優勢，而且還有助于實現優于LDMOS
2017-08-03 16:28:14
的組件相比，可以更容易地對電路板進行返工。第4代氮化鎵優勢就半導體層面而言，第四代硅基氮化鎵(Gen4 GaN)已經作為LDMOS的明確替代者來服務于針對5G部署的下一代基站，尤其對于3.5 GHz
2017-06-06 18:03:10
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
、ZENDURE 45W氮化鎵充電器+移動電源66、ZENDURE氮化鎵拓展塢+充電器從以上已有30多家廠商推出了超達66款氮化鎵快充產品來看，其中，60W及以上占比達到了五分之三之多；而30W規格的只占了五分之一
2020-03-18 22:34:23
的節能。這些電力足以為30多萬個家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網獲得電力的設備（從智能手機充電器到數據中心），或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備，均可受益于氮化鎵等技術，從而提高電源管理系統的效率和規模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
的選擇。 生活更環保 為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵充電器從最開始量產至今，已過去了四年多，售價也從原本數百元天價到逐漸走向親民，近日發現，聯想悄然地發動氮化鎵快充價格戰，65W 雙口氮化鎵快充直接將價格拉低至 59.9 元，一瓦已經不足一元
2022-06-14 11:11:16
現在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優點，下文簡單做個分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
容易使用。通過簡單的“數字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設計的機會，從而極為有效地縮短了產品上市
2023-06-15 15:32:41
。——————封裝和生產效率——————對氮化鎵封裝的選擇是其價值定位的一個重要組成部分，這也對產品的性能、成本和生產效率都產生了影響。鑒于氮化鎵器件必須嚴密封裝，因此，陶瓷仍然是氮化鎵器件的封裝首選
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環保
為了打破成本和大規模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節的發展創造了機會
2019-03-14 06:45:11
氮化鎵電源設計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點擊下方內容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。 數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
V典型功率（PSAT）30瓦工作電壓50 V直流頻率-6.0 GHz包裝類型法蘭/藥丸在1.2 GHz時增益16 dBSiC技術GaN應用通信相關產品CG2H40010F，CGH27015F
2020-02-25 09:37:45
寬帶，50 V典型功率（PSAT）30瓦工作電壓50 V直流頻率-6.0 GHz包裝類型法蘭/藥丸在1.2 GHz時增益16 dBSiC技術GaN應用通信相關產品CG2H40010F
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信電子技術有限公司專業開發設計電子產品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業客戶聯系，獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息氮化鎵技術的普及，使
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
在射頻領域采用硅基氮化鎵（GaN on Si）技術的供應商。我們采用硅基氮化鎵（GaN Si）技術以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的連續波（CW）射頻功率晶體管產品，支持頻率從DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
演示測試版，2017年秋季開始供貨MACOM 近日宣布推出一款開發工具包，旨在幫助商業OEM快速、輕松地調整其產品設計，以將基于氮化鎵的射頻能量源融合到烹飪、照明、工業加熱/烘干、醫療/制藥和汽車點火
2017-08-03 10:11:14
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領域經驗豐富，該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管，后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創新大會展臺現場演示在2017年的電子設計創新大會上，MACOM上海無線產品中心設計經理劉鑫表示，硅襯底有一些優勢，材料便宜，散熱系數好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳達優勢供應NV6115氮化鎵MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD。產品信息1、NV6115氮化鎵MOS絲印：NV6115芯片介紹：NV6115氮化鎵MOS，是針對
2021-01-08 17:02:10
產品名稱：氮化鎵晶體管QPD1004產品特性頻率范圍：30 - 1200 MHz輸出功率（p3db）：40 W在1 GHz線性增益：20.8分貝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
HEMT運行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個行業標準的氣腔封裝，非常適合于。產品型號: QPD1018產品名稱：氮化鎵晶體管QPD1018產品特性頻率范圍：2.7
2019-07-17 13:58:50
HEMT運行2.7至3.1 GHz和50V電源軌。該裝置是甘移完全匹配50歐姆的一個行業標準的氣腔封裝，非常適合于軍用雷達。?產品型號: QPD1018產品名稱：氮化鎵晶體管QPD1018產品特性頻率范圍
2018-07-27 09:06:34
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環境魯棒性和劃痕保護級別。產品型號：TGF2040產品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
、測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產品型號: TGF2977-SM產品名稱：氮化鎵晶體管TGF2977-SM產品特性頻率范圍：直流- 12 GHz輸出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
速度。這些功能對于牽引逆變器來說是最佳的，因為它們需要間歇地將大量能量傳輸回電池。與此同時，硅上氮化鎵開關為從低kW到10kW寬范圍的供電系統帶來了益處，即交流到直流板載充電器（OBC）、直流到直流輔助
2018-07-19 16:30:38
描述直流到直流升壓轉換器版本 1它是一種直流到直流升壓轉換器。我聲明所有信息都是真實且可操作的。
2022-08-01 07:15:35
極限。而上限更高的氮化鎵，可以將充電效率、開關速度、產品尺寸和耐熱性的優勢有機統一，自然更受青睞。
隨著全球能量需求的不斷增加，采用氮化鎵技術除了能滿足能量需求，還可以有效降低碳排放。事實上，氮化鎵
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
教授），如下圖所示）圖1：日本大阪大學森勇介列舉的氮化鎵晶圓面臨的問題點。第一個問題是，因為氮化鎵材料（Bulk Wafer）的體積很小，所以以前只能制造低價的芯片，有些產品連測試都做不到。之前只能制造
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉換拓撲結構，從學術概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數量。從歷來經驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優勢
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
系統能做得越小巧，則電動車的電池續航力越高。這是電動車廠商之所以對碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設備上攻城略地，氮化鎵組件則是在小型化電源應用產品領域逐漸擴散，與碳化硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價格優勢，實單歡迎洽談。產品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優異開關性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產品的電源，因電源穩定性
2023-02-01 14:52:03
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現場出現的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節問題，泰克與電源行業專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何帶工程師完整地設計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設計和PCB布線、電路測試和優化技巧、磁性元器件的設計和優化、環路分析和優化、能效分析和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
更高，因為所有電流都轉換為施加到負載的扭矩。
圖 3：500 ns死區時間對扭矩信號的影響；電頻率為 27 Hz，可見 6 次諧波。扭矩信號從扭矩傳感器取得。
基于氮化鎵器件的逆變器可以在100
2023-06-25 13:58:54
半導體的優勢，使用氮化鎵開關管的保護板，具有更高的耐壓，可為保護板提供更高的過電壓保護能力。期待配套的保護芯片早日成熟，助推氮化鎵鋰電池保護應用，推出更輕、更高效的電池產品。原作者：充電頭網編輯部充電頭網
2023-02-21 16:13:41
已經非常明朗。而除了熟知的手機廠商之外，各大電商品牌推出的氮化鎵快充產品更是琳瑯滿目，極大豐富了產品的品類，為消費者帶來更多選擇，同時也對推動氮化鎵快充的發展，起到了重要的作用。今天這篇文章就為大家盤點
2021-04-16 09:33:21
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應用為工業市場帶來重大變革。以前分享過氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫療過程，接下來在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業加熱和干燥。從工業角度
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 柵極驅動選擇 驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅動硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異。 驅動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。通過導通電阻選擇器件內部氮化鎵場效應晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導通電阻…
2022-11-10 06:36:09
開發基于物理的模型，從而可用準確地預測到氮化鎵產品在通用操作條件下的安全使用壽命，讓設計人員可以根據其設計要求，對氮化鎵器件進行評估。
“測試器件至失效”的測試報告結果可瀏覽GaN 可靠性。
誤解3
2023-06-25 14:17:47
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數想基于candence model editor進行氮化鎵器件的建模，有可能實現嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
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