本帖最后由 HTPH 于 2022-5-8 15:22 編輯
如附件，利用氮化鎵的高速開關特性。解決上升及關斷的時間問題。傳統的硅材料管子,受限于體內寄生參數.速度上跑不快.氮化鎵的dv/dt
2022-03-30 17:49:54
。我們來看看它的開關技術與氮化鎵(鎵)為基礎的解決方案的對比。我們也得到了公司的采取什么規格是重要的應用，如5G 波束指導和意義的集成電荷泵驅動程序。射頻開關設計方法的權衡像門羅微電子的其他射頻開關產品
2022-06-13 10:34:18
也有更好的表現。模擬IC應用廣泛，使用環節也各不相同，因此制造工藝也會相應變化。砷化鎵（GaAs）：無線通信核心材料，受益5G大趨勢相較于第一代硅半導體，砷化鎵具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性，因此
2019-05-06 10:04:10
5G 的出現促使人們重新思考從半導體到基站系統架構再到網絡拓撲的無線基礎設施。氮化鎵、MMIC、射頻 SoC 以及光網絡技術的并行發展共同助力提高設計和成本效率在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業化
2019-07-05 04:20:15
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網絡技術的并行發展共同助力提高設計和成本效率。5G的出現促使人們重新思考從半導體到基站系統架構再到網絡拓撲的無線基礎設施。在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業化
2019-07-31 07:47:23
氮化鎵、MMIC、射頻SoC以及光網絡技術的并行發展共同助力提高設計和成本效率。5G 的出現促使人們重新思考從半導體到基站系統架構再到網絡拓撲的無線基礎設施。
2019-08-16 07:57:10
對于大規模MIMO系統而言，第4代氮化鎵技術和多功能相控陣雷達(MPAR)架構可提升射頻性能和裝配效率——DavidRyan，MACOM高級業務開發和戰略營銷經理解說道，向5G移動網絡的推進不斷加快
2019-08-02 08:28:19
個單獨元件組成的組件相比，可以更容易地對電路板進行返工。第4代氮化鎵優勢就半導體層面而言，第四代硅基氮化鎵(Gen4GaN)已經作為LDMOS的明確替代者來服務于針對5G部署的下一代基站，尤其對于
2017-08-03 16:28:14
的組件相比，可以更容易地對電路板進行返工。第4代氮化鎵優勢就半導體層面而言，第四代硅基氮化鎵(Gen4 GaN)已經作為LDMOS的明確替代者來服務于針對5G部署的下一代基站，尤其對于3.5 GHz
2017-06-06 18:03:10
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
特性，成為直接轉換架構的強有力候選者。目前正在研究數據中心應用服務器電源管理的直接轉換。
此外，自動駕駛車輛激光雷達驅動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術的效率
2019-03-14 06:45:11
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
數據中心應用服務器電源管理的直接轉換。 此外，自動駕駛車輛激光雷達驅動器、無線充電和5G基站中的高效功率放大器包絡線跟蹤等應用可從GaN技術的效率和快速切換中受益。 GaN功率器件的傳導損耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
，并且順豐包郵。 2022 年 5 月 15 日，聯想官方在電商平臺發起氮化鎵快充價格戰，YOGA 65W 雙口 USB-C 氮化鎵充電器到手價僅需 59.9元。這是一款正兒八經的大功率氮化鎵充電器
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化鎵的性能優勢曾經一度因高成本而被抵消。最近，氮化鎵憑借在硅基氮化鎵技術、供應鏈優化、器件封裝技術以及制造效率方面的突出進步成功脫穎而出，成為大多數射頻應用中可替代砷化鎵和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
首先報道了基于氮化鎵雙異質結構、波長為402.5 nm的受激輻射。1996年日本日亞公司中村修二領導研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。從此，波長為405 nm的氮化鎵紫光激光器的發展和應用推動
2020-11-27 16:32:53
的關鍵時刻。硅基氮化鎵相比于LDMOS技術的性能優勢已經過驗證，這推動了其在最新一代4G LTE基站中廣泛應用，并使其定位為最適合未來5G無線基礎設施的實際促技術，其轟動性市場影響可能會遠遠超出手機連接領域
2018-08-17 09:49:42
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
內的波長標準偏差標準為1.3nm，波長范圍為4nm微米。硅襯底氮化鎵基LED外延片的翹曲度很小，2英寸硅襯底LED大多數在4-5微米左右，6英寸在10微米以下。 2英寸硅襯底大功率LED量產硅4545
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化鎵工藝的襯底采用硅基。硅基氮化鎵器件具備了氮化鎵工藝能量密度高、可靠性高等優點，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未來可以做到10英寸、12英寸，整個晶圓的長度可以拉長至2米
2017-08-29 11:21:41
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
深圳市尊信電子技術有限公司專業開發設計電子產品方案鈺泰，智融，賽芯微一級代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業客戶聯系，獲取datasheet、報價、樣片等更多產品信息氮化鎵技術的普及，使
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統、電動機
2018-11-05 09:51:35
的智能手機將是LG G5。此款手機搭載驍龍820處理器，采用高通Adreno 530 GPU，配置5.6英寸2K顯示屏，后置攝像頭為2100萬像素。最新消息還顯示，LG G5還將具備虹膜識別功能和指紋解鎖功能。
2015-12-15 11:22:15
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
組合多個射頻能量通道，例如3x300W或2x500W等。支持的頻段范圍為915MHz到2.45GHz。“ 商業OEM渴望借助硅基氮化鎵抓住高性能射頻能量系統的巨大市場機遇，但他們不希望將資源投資于
2017-08-03 10:11:14
已經有不少硅基氮化鎵組件被通信客戶采用。為了保證供應，MACOM不久前還與ST簽署了合作協議。從中可以看出，往后具有更大集成效能的半導體材料應用或將走向歷史的中央舞臺。5G促使企業加速國內本土化進程目前
2019-01-22 11:22:59
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
具有明顯優勢。技術發展成熟后，硅基氮化鎵將受益于非常低的硅成本結構，與目前碳化硅基氮化鎵比其晶圓成本只有百分之一，因為與硅工藝相比，碳化硅晶體材料的生長速度要慢200至300倍，還有相應的晶圓廠設備折舊
2017-08-30 10:51:37
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
650V，支持2MHz開關頻率，采用5*6mm QFN封裝，節省面積。2、NCP1342主控芯片PWM控制器絲印1342AMDCD完整型號：NCP1342AMDCDD1R2G絲印：1342AMDCD簡單
2021-01-08 17:02:10
、 邁克爾加成反應2、 付-克烷基化反應3、 羥醛縮合反應（乙醇鈉）4、 磺化反應、硝化反應5、 重氮化反應、疊氮化反應6、 無溶劑反應、30%的液液相反應（大概率）技術參數：外形尺寸：50×80×4mm
2018-07-02 13:45:39
WH-IND 152玻璃微反應器是汶顥自主研發的微通道反應器，具有自主知識產權，微反應器具有比表面積大、傳質傳熱效率高、安全性高、放大效應小等優點， WH-IND 152玻璃微反應器兼顧了傳質與壓降
2018-06-29 10:49:09
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術都在電動汽車市場中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開關
2018-07-19 16:30:38
項目名稱：應用于智能化工的微反應器采集與控制系統開發試用計劃：申請理由本人主要從事微反應器技術和智能化工的研究，曾設計過基于STM開發板的微反應器系統的開發，對開發板的開發與應用有過深入的學習和探索
2020-09-25 10:04:07
項目名稱：微藻培養反應器試用計劃：1、前期與ST的FA溝通stm32f103ret6關于實時時鐘起振問題，建議更換G系列芯片；2、1中所提問題實驗階段并未出現時鐘起振問題，在量產是出現不同批次
2019-09-06 11:34:21
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據實際情況而言，歸一化導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優值系數，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現了
2023-06-15 15:53:16
TI始終引領著提倡開發和實施全面性方法，確保在嚴苛操作環境下，GaN設備也能夠可靠地運行和具有出色的使用壽命。為此，我們用傳統的硅方法制作GaN的硅基，從而利用硅的內在特性。
2019-07-31 06:19:34
，該晶圓有望實現縱型FET。與碳化硅基的縱型MOS FET相比，在性能方面，縱型FET具有更高的潛力（下圖5）。與利用傳統的體塊式氮化鎵晶圓制成的芯片相比，實驗制作的二極管的ON電阻值降低了50%，縱
2023-02-23 15:46:22
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術，創造了專有的AllGaN?工藝設計套件（PDK），以實現集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
在反應之前將原料一次性加入反應器中，直到反應達到規定的轉化率，即得反應物，通常帶有攪拌器的釜式反應器。
2019-10-24 09:01:32
當提到 5G 的承諾 – 小于 1 毫秒的延遲、100 倍的網絡能量效率、20 Gbps 的峰值數據速率以及10 Mps/m2 的區域流量容量，提供商們仍大有可為。5G 預定在 2020 年進行商業發布，預計可以提供所有這些顯著的優勢，包括更“綠色”和高效的通信網絡。
2019-07-26 07:56:47
和優化、EMC優化和整改技巧、可靠性評估和分析。第一步：元器件選型對于工程師來說，GaN元器件相較于傳統的MOSFET而言有很多不同和優勢，但在設計上也帶來一定挑戰。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵
2020-11-18 06:30:50
我經常感到奇怪，我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
。
圖 6：沒有輸入濾波器、基于氮化鎵器件的逆變器于PWM = 100 kHz、DT = 21 ns、C = 2 x 22 μF 陶瓷； U相電流 500 mA/div、輸入電壓 200 mV
2023-06-25 13:58:54
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統，因為頻率越高，氮化鎵的優勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
，一些射頻氮化鎵廠商開始考慮在未來的手持設備中使用氮化鎵。對于現在的手機而言，氮化鎵的性能過剩，價格又太貴。但將來支持下一代通信標準（即5G）的手機，使用氮化鎵是有可能的。氮化鎵技術非常適合4.5G或
2016-08-30 16:39:28
大幅降低電流在保護板上的損耗，隨著手機充電功率達到200W，電池端的電流達到20A。傳統硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
、穩定性、高效性。汶顥微反應器熱量緩沖需求量低，占地面積小，自動化程度高，極大地節省了人力及物力資源。基于微流控技術的微通道反應器，代表著綠色化工的發展方向。汶顥自主研發的多結構微反應器兼顧了傳質與壓降兩大
2018-06-28 13:28:02
和功率因數校正 （PFC） 配置。 簡單的電路提供了將硅控制器用于GaN器件的過渡能力。對于單個氮化鎵器件，隔離式負 V一般事務（關閉）EZDrive?電路是一種低成本、簡單的方法，可以使用12V驅動器
2023-02-21 16:30:09
小得多，因此每塊晶圓就可以生產出更多的氮化鎵器件，從而實現可量產、具低成本、成熟、迅速反應和非常易于擴展的供應鏈。
誤解5 ：GaN FET和集成電路的價格昂貴
這是關于氮化鎵技術最常見的錯誤觀念！ 氮化
2023-06-25 14:17:47
產品簡介：WH-IND 152玻璃微反應器是汶顥科技自主研發的微通道反應器，具有自主知識產權，微反應器具有比表面積大、傳質傳熱效率高、安全性高、放大效應小等優點， WH-IND 152玻璃微反應器
2018-06-22 15:55:21
生物反應器的作用是為生物體代謝提供一個優化的物理及化學環境，使生物體能更快更好地生產，得到更多需要的生物量或代謝產物。
2019-10-23 09:10:09
由于反應物的分子在反應器內停留時間相等，所以在反應器內任何一點上的反應物濃度和化學反應速度都不隨時間而變化，只隨管長變化。
2019-10-28 09:12:03
：AIXA）聯合宣布，200mm晶圓AIXTRON G5+ C和G10-AsP系統已獲得艾邁斯歐司朗的認證，可用于滿足Micro LED應用需求。愛思強的MOCVD系統AIX G5+ C和全新
2023-02-16 09:39:30
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
無可爭議的冠軍。它已經在雷達和5G無線技術中得到了應用，很快將在電動汽車的逆變器中普及。你甚至可以買到基于氮化鎵的USB壁式充電器，它們體積小且功率非常高。不過，還有比它更好的東西嗎？有能讓射頻放大器變得
2023-02-27 15:46:36
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實現。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統的、基于硅材料的技術，創新人員將能夠創造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
設計一個新穎、一次性使用的生物反應器，具有高性能且便于使用，使之在同類產品中的中脫穎而出。 使用NI LabVIEW和NI 單板 RIO，以一個通用控制平臺開發一個集成的生物反應器。 生物反應器
2018-02-09 07:17:47
979 的硅基氮化鎵外延片產品技術。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內多家杰出的消費類電子產品公司生產外延片的同時，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產品技術在Veeco Propel? MOCVD反應器上的可復制性。
2018-11-10 10:18:181381 本視頻主要詳細介紹了反應器類型，分別有管式反應器、釜式反應器、有固體顆粒床層的反應器、塔式反應器、噴射反應器等。
2018-11-04 09:19:4816959 本視頻主要詳細介紹了常見反應器，分別有釜式反應器、流化床反應器、固定床反應器、膜生物反應器以及塔式反應器。
2018-11-04 09:53:5913472 指在反應器內裝填顆粒狀固體催化劑或固體反應物，形成一定高度的堆積床層，氣體或液體物料通過顆粒間隙流過靜止固定床層的同時，實現非均相反應過程。本視頻主要介紹了固定床反應器的優缺點以及列管式固定床反應器優缺點。
2018-11-04 09:58:5225101 流化床反應器是一種利用氣體或液體通過顆粒狀固體層而使固體顆粒處于懸浮運動狀態，并進行氣固相反應過程或液固相反應過程的反應器。本視頻主要介紹了流化床反應器的優缺點。
2018-11-04 10:05:4524960 生物反應器，是指利用自然存在的微生物或具有特殊降解能力的微生物接種至液相或固相的反應系統。本視頻首先介紹了生物反應器優點，其次介紹了生物反應器對比反應器的優點，最后介紹了氣升式生物反應器優缺點。
2018-11-07 16:24:3615306 IC反應器是基于UASB反應器顆粒化和三相分離器的概念而改進的新型反應器，可看成是由兩個UASB反應器的單元相互重疊而成。它的特點是在一個高的反應器內將沼氣的分離分成兩個階段。底部一個處于極端的高負荷，上部一個處于低負荷。
2018-11-10 10:47:5614613 本視頻主要詳細介紹了uasb反應器的特點，分別有構造簡單巧妙、反應器內可培養出厭氧顆粒污泥、實現了污泥泥齡（SRT）與水力停留時間（HRT）的分離、UASB反應器對各類廢水有很大的適應性、能耗低，產泥量少以及不能去除廢水中的氮和磷。
2018-11-10 10:51:0310065 UASB反應器廢水被盡可能均勻的引入反應器的底部，污水向上通過包含顆粒污泥或絮狀污泥的污泥床。厭氧反應發生在廢水和污泥顆粒接觸的過程。
2018-11-18 09:36:1119182 二甲基甲酰胺合成反應器為立式結構，它通過4個支耳懸掛在裝置框架上，在反應器的側面有上下2個DN80的法蘭口，法蘭面和設備的內壁間距為200mm，這兩個法蘭口用來安裝液位測量儀表。反應器采用
2022-11-08 12:07:04696 德國彗諾微反應器連續補料計量泵|內含Microinnova微通道反應器集成案例。翁開爾是德國彗諾微反應器連續補料計量泵中國總代理。
2022-06-16 09:26:21357 
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