SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）“全球晶圓廠預(yù)測(cè)”最新報(bào)告指出，2017年中國(guó)總計(jì)有14座晶圓廠正在興建，并將于2018年開始裝機(jī)。

　　2018年中國(guó)晶圓設(shè)備支出總金額將逾100億美元，成長(zhǎng)超過55%，全年支出金額位居全球第二。總計(jì)2017年中國(guó)將有48座晶圓廠有設(shè)備投資，支出金額達(dá)67億美元。

　　展望2018年，SEMI預(yù)估中國(guó)將有49座晶圓廠有設(shè)備投資，支出金額約100億美元。

　　目前國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)器廠商正處于緊鑼密鼓的施工階段，預(yù)計(jì)2018上半年陸續(xù)進(jìn)入設(shè)備安裝階段，新一輪的設(shè)備入廠調(diào)試安裝大戲即將上演。

　　2016年7月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司正式成立，武漢新芯將成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司，而紫光集團(tuán)則是參與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的二期出資。注冊(cè)地位于武漢東湖開發(fā)區(qū)關(guān)東科技工業(yè)園的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，公司注冊(cè)資本189億元。

　　2016年12月30日，由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目，在武漢東湖高新區(qū)正式動(dòng)工建設(shè)。該項(xiàng)目總投資240億美元，主要生產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片，總占地面積1968畝。

　　這一項(xiàng)目即將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個(gè)項(xiàng)目，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

　　目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試，達(dá)到預(yù)期要求。預(yù)計(jì)2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并于2019年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載。

　　今年6月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的廠址區(qū)域正在加速打樁工作中。預(yù)計(jì)2018年4月將實(shí)現(xiàn)設(shè)備安裝，第一階段每月的產(chǎn)能大約在50000片，大規(guī)模生產(chǎn)的產(chǎn)品將是長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層的3D NAND產(chǎn)品。

　　相信，2018年第一家具有中國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 3D NAND 即將誕生。如果說2017年是東芝的天下，2018年必將在中國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)劃下濃重的一筆。

　　總投資額達(dá)72億美元的合肥長(zhǎng)鑫12寸存儲(chǔ)晶圓廠，以生產(chǎn) 19nm DRAM 產(chǎn)品為主，預(yù)計(jì)2019年底將實(shí)現(xiàn)達(dá)12.5萬片的月產(chǎn)能。

　　據(jù)悉，該廠的生產(chǎn)設(shè)備安裝時(shí)間預(yù)計(jì)在2018年第一季度，目前已開始與晶圓供應(yīng)商進(jìn)行商談，以確保2018年內(nèi)獲得穩(wěn)定的晶圓供應(yīng)。在晶圓廠建設(shè)完成之后，月產(chǎn)能預(yù)計(jì)將高達(dá)12.5萬片，其規(guī)模將與韓國(guó) SK Hynix 現(xiàn)在的產(chǎn)能差不多，比福建晉華的存儲(chǔ)器產(chǎn)能更高，僅次于紫光在武漢的 12 寸晶圓廠月產(chǎn)能20萬片的規(guī)模。

　　據(jù)了解，長(zhǎng)鑫目前已網(wǎng)羅SK海力士、華亞科及臺(tái)廠DRAM設(shè)計(jì)公司相關(guān)人員，構(gòu)成陸日臺(tái)的存儲(chǔ)器研發(fā)團(tuán)隊(duì)，預(yù)定2017年人才儲(chǔ)備達(dá)到千人規(guī)模、2018年上看2，000人。

　　目前可見，合肥長(zhǎng)鑫的施工速度要比長(zhǎng)江存儲(chǔ)的速度快一些，廠房正在加速建設(shè)中，預(yù)計(jì)9月完成。從產(chǎn)品的原型設(shè)計(jì)，到試量產(chǎn)仍需要一年多的時(shí)間，加上產(chǎn)能的提升，預(yù)計(jì)2019年2月才能實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，2019年底有望實(shí)現(xiàn)12.5萬片的月產(chǎn)能。

　　目前進(jìn)度最快的是福建晉華存儲(chǔ)器生產(chǎn)線項(xiàng)目，在近6萬平方米的施工現(xiàn)場(chǎng)，鋼筋密度最大、施工難度最高、用工量最繁復(fù)的主廠房，正進(jìn)行鋼結(jié)構(gòu)吊裝，目前也已完成一半的工程量，最快今（2017）年10月，主廠房將順利封頂。

　　據(jù)悉，今年4月~6月晉華已計(jì)劃推出R＆D迷你產(chǎn)線，以實(shí)現(xiàn)每月5000片的產(chǎn)能，無論從產(chǎn)品進(jìn)度和施工作業(yè)來看，晉華存儲(chǔ)器項(xiàng)目的速度都是最快。

　　福建省晉華集成電路有限公司（簡(jiǎn)稱晉華公司）是由福建省電子信息集團(tuán)、晉江能源投資集團(tuán)有限公司等共同出資的集成電路生產(chǎn)企業(yè)，是中國(guó)國(guó)家基金積極布局的戰(zhàn)略項(xiàng)目。

　　目前一期總投資370億元，已納入國(guó)家十三五集成電路重大項(xiàng)目清單，并得到第一筆 30 億元國(guó)家專項(xiàng)資金支持，將通過引進(jìn)***和全球技術(shù)、人才、資源，打造中國(guó)第一個(gè)自主技術(shù)的內(nèi)存制造項(xiàng)目及 12 吋晶圓廠，爭(zhēng)取 3-5 年內(nèi)在國(guó)內(nèi)主板上市。

　　2016年5月聯(lián)電宣布與晉華集成電路公司簽約合作，由聯(lián)電負(fù)責(zé)開發(fā)DRAM制程相關(guān)技術(shù)。福建省晉華12寸新廠初期將導(dǎo)入32納米制程，預(yù)期在2018年9月開始試產(chǎn)，投入DRAM及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)與銷售，預(yù)計(jì)2019年到2020年期間將月產(chǎn)能擴(kuò)大至3萬片。

　　2016年10月，中芯國(guó)際投資近百億美元在上海開啟新的12寸集成電路生產(chǎn)線，可覆蓋14nm至10/7nm工藝節(jié)點(diǎn)，滿產(chǎn)后規(guī)模可達(dá)每月7萬片，供應(yīng)給新一代移動(dòng)通訊和智能終端機(jī)領(lǐng)域。其天津8寸廠開啟了擴(kuò)建項(xiàng)目，目前月產(chǎn)能在4.5萬片，預(yù)計(jì)全部達(dá)產(chǎn)后中芯天津月產(chǎn)能將達(dá)15萬片8英寸晶圓。

　　在深圳中芯國(guó)際也將啟動(dòng)一條12寸產(chǎn)線，定位主流成熟技術(shù)，預(yù)計(jì)2017年底投產(chǎn)，預(yù)期產(chǎn)能將達(dá)每月4萬片晶圓。

　　2016年11月，華力微二期12寸新生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目正式啟動(dòng)，將在浦東新區(qū)康橋工業(yè)區(qū)南區(qū)建設(shè)一條月產(chǎn)能4萬片，工藝為28-20-14納米的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，主要從事邏輯芯片生產(chǎn)，重點(diǎn)服務(wù)國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)企業(yè)先進(jìn)芯片的制造需求。該項(xiàng)目預(yù)計(jì)2018年底完成工藝串線、試生產(chǎn)，形成 1 萬片生產(chǎn)能力，2022年前實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

　　2017年6月，淮安德科碼開啟12英吋半導(dǎo)體芯片晶圓廠項(xiàng)目，總投資150億元，一期為年產(chǎn)24萬片，預(yù)計(jì)9月開始生產(chǎn)設(shè)備的安裝。