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　　全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩”)宣布開發出了肖特基勢壘二極管(SBD)RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料(SiC，注1)——這種材料被認為具有用于功率半導體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢壘二極管適用于空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統。該器件還采用了日立株式會社與瑞薩聯合開發的技術，有助于實現低功耗。與瑞薩采用傳統硅(Si)的現有功率器件相比，其功耗大約降低了40%。

　　最近，為了促進環境保護，很多客戶對高效能電源電路的需求日益增長。空調、通信基站、PC服務器和太陽能陣列等使用電源轉換電路或逆變電路的產品，對更高效的電源轉換有著特別強勁的需求。因此，這些電源轉換電路中所用的二極管需要提供更快的轉換速度，并可以低壓工作。于是，瑞薩開發了這款全新SiC SBD來滿足上述需求。

　　RJS6005TDPP的主要特性：

　　更快的轉換速度，其損耗較之現有產品降低了40%

　　全新RJS6005TDPP SiC SBD的反向恢復時間(注2)為15納秒(標準值：測量條件IF = 15 A，di/dt = 300 A/μs)，與現有瑞薩硅電子產品相比，其速度快了大約40%。這可以實現更快的轉換速度，與瑞薩硅基產品相比降低了大約40%的功耗。

　　此外，當溫度升高時，反向恢復時間不會降低，從而在高溫環境下工作時可實現始終如一的低轉換損耗。

　　(2) 低壓工作

　　這款全新SiC-SBD的額定電壓(正向降壓，VF)僅1.5伏(V)，低于現有的硅快速觸發二極管產品的額定電壓。此外，該SiC-SBD的溫度依賴性較小，可確保獲得穩定的正向電壓——即使在高溫條件下。這意味著可使用更緊湊的散熱設計，以降低成本，并減小產品體積。

　　這款全新RJS6005TDPP SiC-SBD應用相當于工業標準的TO-220封裝，并可實現引腳兼容。這意味著RJS6005TDPP SiC SBD可輕松地用于替代現有印刷電路板上傳統的硅二極管。

　　瑞薩電子全新功率器件的產品陣容頗為強大，電流從3A至30 A不等，額定峰值電壓為600 V，這些功率器件專用于滿足空調、通信基站和太陽能陣列等大功率電子系統對高效能的需求，同時，計劃推出額定峰值電壓為1200 V的產品系列。瑞薩努力為客戶提供結合MCU和模擬及功率器件的整體解決方案，矢志成為領先的功率器件供應商。瑞薩計劃增強套件解決方案和復合半導體器件，以全新高壓SiC-SBD功率器件為核心，并輔以外圍電源控制IC、高性能IGBT、高壓超結MOSFET和光電耦合器。

　　全新RJS6005TDPP SiC SBD的規格見附件。

　　定價與供貨

　　瑞薩全新RJS6005TDPP SiC SBD的樣品現已上市，單價為5美元。瑞薩計劃在2012年3月開始批量生產，預計在2012年8月的月產量達到10萬件。(定價和供貨信息若有變更，恕不另行通知。)

　　(注1)碳化硅(SiC)：

　　這種材料在熱導率、允許的工作溫度、輻射暴露及絕緣擊穿場強等特性上優于硅，具有用于低損耗功率器件的巨大潛力。 (注2)反向恢復時間：

　　當二極管在規定的正向電流已流過后從導通狀態轉換至關閉狀態，由于在結中積累了少量載流子，因而將存在反向電流。反向恢復時間表示在切換至關閉狀態后恢復到規定電流值所需的時間。

　　【附件】

　　RJS6005TDPP SiC SBD的產品規格

　　1. RJS6005TDPP的規格

　　反向峰值電壓(VRM)：600 V 平均整流電流(Io)：15 A 正向壓降(VF)：1.5 V 反向恢復時間(trr)：標準15 ns(ID = 10 A，VGSS = 10 V) 額定通道溫度(Tch)：+150 ℃ 封裝：TO-220，全封

　　2. 參考圖：正向電壓的溫度依賴性

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　　瑞薩電子的低損耗碳化硅(SiC)功率器件