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兩個IGBT比一個IGBT好在哪里?IGBT使用注意事項,IGBT控制電路模塊

2017年05月14日 15:02 網絡整理 作者: 用戶評論(0

  IGBT模塊注意事項:

  IGBT模塊應用中應注意的事項有:

  ①各路控制電源要相互隔離,并能達到一定的絕緣等級要求。

  ②在大功率的逆變器中,下橋臂的開關管也要各自用一個隔離電源,以避免產生回路噪音,只是這幾路電源的隔離電壓不需太高。

  ③控制信號線和驅動電源線要離遠些,盡量互相垂直,不要平行放置。

  ④ 光電耦合器輸出與IPM輸入之間在PCB上的走線應盡量短,最好不要超過3crn。

  ⑤ 驅動信號隔離要采用高共模抑制比(CMR)的高速光電耦合器,要求 tp<0.8μs,CMR>lOkV/μs,如6N137、TCP250 等。

  ⑥IGBT模塊驅動端子上的黑色套管是防靜電導電管,用戶使用接插件引線時,取下套管后應立即插上引線;或采用焊接引線時先焊接,再剪斷套管;在無防靜電措施時,不要用手觸摸驅動端子。

  ⑦焊接器件時,設備或電烙鐵一定要接地。

  IGBT散熱器

  IGBT模塊的散熱器應根據使用條件、環境及IGBT模塊參數進行匹配選擇,以保證滿足IGBT模塊工作時對散熱器的要求。散熱器表面的光潔度應小于10μm,每個螺絲之間的平面扭曲小于10μm。為了減小接觸熱阻,推薦在散熱器與IGBT模塊之間涂上一層很薄的導熱硅脂。對于IGBT模塊底板為銅板的模塊,在散熱器與IGBT模塊均勻受力后,以從IGBT模塊邊緣可看出有少許導熱硅脂擠出為最佳。對于IGBT模塊底板為DBC墓板的模塊,散熱器表面必須平整、光潔,采用絲網印刷或圓輥滾動的方法涂敷一薄層導熱硅脂后,使兩者均勻壓接。

  在為IGBT模塊安裝散熱器時,每個螺釘需按說明書中給出的力矩擰緊。力矩不足會導致熱阻增加或運動中出現螺釘松動現象。僅安裝一個IGBT模塊時,應將其裝在散熱器中心位置,使熱阻最小。安裝幾個IGBT模塊時,應根據每個模塊的發熱情況留出相應的空間,發熱大的模塊應留出較多的空間。兩點安裝緊固螺絲時,緊固第一個和第二個螺絲時力矩為額定力矩的1/3,然后反復多次緊固,使其達到額定力矩。四點安裝和兩點安裝類似。緊固螺絲時,以1/3額定力矩依次對角緊固,然后反復多次,使其達到額定力矩。

  使用帶紋路的散熱器時,應使IGBT長的,方向順著散熱器的紋路,以減小散熱器的變形。兩只模塊在一個散熱器上安裝時,使其按短的方向并排擺放,中間留出足夠的距離,主要目的是風機散熱時減少熱量疊加,容易散熱,最大限度發揮散熱器的效率。二是模塊端子的連接應有利于減小雜散電感,尤其是高頻使用時更為重要。在連接器件時,主端子電極間不能有張力和壓力作用,連接線(條)必須滿足應用要求,以免因電極端子發熱在模塊上產生過熱。

  IGBT控制模塊電路:

  IGBT單管和IGBT模塊控制電路

  IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術拓展了IGBT的運用領域和功能。IGBT是集功率晶體管GTR和功率場管MOSFET的優點于一身,具有易驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點,近年來被廣泛運用于高電壓、大功率的場合,以下是一種采用一個同意的24V電源供電,通過改變調節電阻的值來調整門級-集電極電容的值,以達到控制開關典雅上升率和下降率的目的。的IGBT dv/dt控制電路,適用于IGBT單管和IGBT模塊。

IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術拓展了IGBT的運用領域和功能。IGBT是集功率晶體管GTR和功率場管MOSFET的優點于一身,具有易驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點,近年來被廣泛運用于高電壓、大功率的場合,以下是一種采用一個同意的24V電源供電,

  運用中IGBT單管和IGBT模塊相互替換的問題

  1、IGBT單管的散熱條件沒有IGBT模塊的散熱條件好;

  2、就制作來說,IGBT模塊的一致性比IGBT單管的一致性好,

  IGBT模塊中,IGBT芯片的并聯排線肯定比單管的好,會降低很多雜散參數,IGBT模塊并聯的芯片都是同一片wafer上取出相鄰的IGBT芯片,IGBT芯片參數非常相似,如果換成單管,那就不一定了。用單管代替也不是不行,余量留大一些。我也看到很多用單管替代的,具體情況需要你自己驗證了。

  IGBT雙用比單用好在哪里:

  雙單元IGBT是由兩只IGBT組成,如圖1所示,圖中左邊圖為單管IGBT、中間圖為雙單元IGBT、右邊圖為雙單元 IGBT實際外形。雙單元 IGBT檢測的方法如下:

IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術拓展了IGBT的運用領域和功能。IGBT是集功率晶體管GTR和功率場管MOSFET的優點于一身,具有易驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點,近年來被廣泛運用于高電壓、大功率的場合,以下是一種采用一個同意的24V電源供電,

  首先將萬用表調到電阻R × 10k 檔,紅表筆接E(5端或7端)極,黑表筆接G(4端或6端)極,給G、E極間充電。然后將萬用表調到 R × lΩ 檔,測量C、E(1、2端或3、1端)兩端,正常正反向阻值均為10Ω左右。如果黑表筆接G極,紅表筆接E極,,則RCE為無窮大。如果阻值均為無窮大或者正反向阻值差別為零,說明IGBT已損壞。

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( 發表人:易水寒 )

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