磁敏二極管?
1967～1968年，日本先后研制成硅、鍺磁敏二極管。這類新型器件的轉換靈敏度比霍耳元件高數百甚至數千倍。磁敏二極管是P+-i-n+型長二極管（i表示近本征型半導體）。其原理是在外加電壓的作用下，由P+、n+區向i區注入載流子（空穴與電子），此時它們若受到垂直于載流子運動方向的磁場H +的作用便向復合區偏轉。載流子在復合區的復合概率高于i區,因而壽命縮短,減小有效擴展長度,使i區壓降增加，P+-i結和i-n+結的結偏壓下降,通過i區的電流減小。在相反磁場H -的作用下，上述過程則相反。因此可用以測量磁場。磁敏二極管適用于測量弱磁場（如用于地磁測量儀），可制成借助磁場觸發的無觸點開關。例如利用導線周圍的磁場制成無接觸電流表，利用磁場變化制成調制器、自動增益控制電路和無觸點電位器，以及同其他器件組合制成直流無刷電機等。它在自動化儀表中的應用潛力很大。