薄膜太陽能電池概況
薄膜電池顧名思義就是將一層薄膜制備成太陽能電池，其用硅量極少，更容易降低成本，同時它既是一種高效能源產(chǎn)品，又是一種新型建筑材料，更容易與建筑完美結(jié)合。在國際市場硅原材料持續(xù)緊張的背景下，薄膜太陽電池已成為國際光伏市場發(fā)展的新趨勢和新熱點。
模塊結(jié)構(gòu)
薄膜太陽能模塊是由玻璃基板、金屬層、透明導(dǎo)電層、電器功能盒、膠合材料、半導(dǎo)體層等所構(gòu)成的。
種類
非晶硅（Amorphous Silicon， a-Si）、微晶硅（Nanocrystalline Silicon，nc-Si，Microcrystalline Silicon，mc-Si）、化合物半導(dǎo)體II-IV 族［CdS、CdTe（碲化鎘）、CuInSe2］、色素敏化染料（Dye-Sensitized Solar Cell）、有機導(dǎo)電高分子（Organic/polymer solar cells） 、CIGS （銅銦硒化物）。。等
薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)及原理分析
光伏發(fā)電就是利用半導(dǎo)體技術(shù)，直接將太陽光轉(zhuǎn)化為電能。太陽能是一種清潔、高效的可再生能源，能廣泛應(yīng)用于家庭發(fā)電系統(tǒng)和大型商業(yè)光伏項目等諸多領(lǐng)域。
晶體硅是太陽能電池大規(guī)模生產(chǎn)中最常用的原材料，通常包括單晶硅和多晶硅。目前晶體硅太陽能電池約占整個太陽能市場90%左右的市場份額。
在各類薄膜太陽能電池中，預(yù)計能實現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)的是硅基薄膜，CIS和CdTe，其中CIS薄膜太陽能電池制造過程中由于要用到稀有金屬硒，使得大規(guī)模的生產(chǎn)的成本比較高，而且CIS的生產(chǎn)工藝十分復(fù)雜，給大規(guī)模生產(chǎn)也造成了一定的困難，所以目前時機還未完全成熟。至于CdTe薄膜太陽能電池，由于其原材料中的“鎘”被證實是一種致癌物質(zhì)，所以與太陽能電池的綠色能源特性有些許沖突，另外其原材料中的“碲”，價格也比較貴。所以相比來說，硅基薄膜電池更適合大規(guī)?；a(chǎn)。
光電池的工作原理及其特性
光電池的工作原理
在一塊N形硅片表面，用擴散的方法摻入一些P型雜質(zhì)，形成PN結(jié)，光這就是一塊硅光電池。當(dāng)照射在PN上時，如光子能量hv大于硅的禁帶寬度E時，則價帶中的電子躍遷到導(dǎo)帶，產(chǎn)生電子空穴對。因為PN結(jié)阻擋層的電場方向指向P區(qū)，所以，任阻擋層電場的作用下，被光激發(fā)的電子移向N區(qū)外側(cè)，被光激發(fā)的空穴移向P區(qū)外側(cè)，從而在硅光電池與PN結(jié)平行的兩外表而形成電勢差，P區(qū)帶正電，為光電池的正極，N區(qū)帶負電，為光電池的負極。照在PN結(jié)上的光強增加，就有更多的空穴流向P區(qū)，更多的電子流向N區(qū)，從而硅光電池兩外側(cè)的電勢差增加。如上所述，在光的作用下，產(chǎn)生一定方向一定大小的電動勢的現(xiàn)象，叫作光生伏特效應(yīng)。
硅光電池特性
1.2.1 光照特性
不同強度的光照射在光電池上，光電池有不同的短路電流Isc和開路電在Voc，如圖1所示。由圖1可知短路電流Isc—光強Ev特性是一條直線，即短路電流在很寬的光強范圍內(nèi)，與光強成線性關(guān)系，而開路電壓是非線性的，而且，在當(dāng)光強較小，約20mW／cm2時，短路電壓就趨于飽和。因此，要想用光電池來測量或控制光的強弱，應(yīng)當(dāng)用光電池的短路電流特性。
1.2.2 硅光電池的光譜特性
如圖是硅光電池、硒光電池的光譜特性曲線。顯而易見，不同的光電池，光譜曲線峰值的位置不同，例如硅光電池峰值波長在0.8μm左右，硒光電池在0.54μm左右。硅光電池的光譜范圍寬，在0.45～1.1μm之間，硒光電池的光譜范圍在0.34～0.75μm之間，只對可見光敏感。
值得注意的是，光電池的光譜曲線形狀，復(fù)蓋范圍，不僅與光電池的材料有關(guān)，還與制造工藝有關(guān)，而且還隨著環(huán)境溫度的變化而變化。
1.2.3 光電池的溫度特性
光電池的溫度特性如圖3所示。由圖可知，開路電壓隨溫度的升高而快速下降，短流電流隨溫度升高而緩緩增加。所以，用光電池作傳感器制作的測量儀器，即使采用Isc—Ev特性，在被測參量恒定不變時，儀器的讀數(shù)也會隨環(huán)境溫度的變化而漂移，所以，儀器必須采用相應(yīng)的溫度補償措施。;
硅光電池的結(jié)構(gòu)及工作原理
硅光電池是一種能將光能直接轉(zhuǎn)換成電能的半導(dǎo)體器件，其結(jié)構(gòu)圖所示。它實質(zhì)上是一個大面積的半導(dǎo)體PN結(jié)。硅光電池的基體材料為一薄片P型單晶硅，其厚度在0.44mm以下，在它的表面上利用熱擴散法生成一層N型受光層，基體和受光層的交接處形成PN結(jié)。在N型層受光層上制作有柵狀負電極，另外在受光面上還均勻覆蓋有抗反射膜，它是一層很薄的天藍色一氧化硅膜，可以使電池對有效入射光的吸收率達到90%以上，并使硅光電池的短路電流增加25%-30%.
以硅材料為基體的硅光電池，可以使用單晶硅、多晶硅、非晶硅來制造。單晶硅光電池是目前應(yīng)用最廣的一種，它有2CR和2DR兩種類型，其中2CR型硅光電池采用N型單晶硅制造，2DR型硅光電池則采用P型單晶硅制造。
硅光電池的工作原理是光生伏特效應(yīng)。當(dāng)光照射在硅光電池的PN結(jié)區(qū)時，會在半導(dǎo)體中激發(fā)出光生電子空穴對.PN結(jié)兩邊的光生電子空穴對，在內(nèi)電場的作用下，屬于多數(shù)載流子的不能穿越阻擋層，而少數(shù)載流子卻能穿越阻擋層。結(jié)果，P區(qū)的光生電子進入N區(qū)，N區(qū)的光生空穴進入P區(qū)，使每個區(qū)中的光生電子一空穴對分割開來。光生電子在N區(qū)的集結(jié)使N區(qū)帶負電，光生電子在P區(qū)的集結(jié)使P區(qū)帶正電.P區(qū)和N區(qū)之間產(chǎn)生光生電動勢。當(dāng)硅光電池接入負載后，光電流從P區(qū)經(jīng)負載流至N區(qū)，負載中即得到功率輸出。
