絕緣柵雙極晶體管
絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極
絕緣柵雙極晶體管
2009年11月05日 11:40 m.xsypw.cn 作者：佚名 用戶評論（0）
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