什么是mos管

　　mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

　　雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應(yīng)管（FET），把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

　　場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。

　　mos管優(yōu)勢

　　1.可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

　　2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。

　　3.可以用作可變電阻。

　　4.可以方便地用作恒流源。

　　5.可以用作電子開關(guān)。

　　6.在電路設(shè)計(jì)上的靈活性大。柵偏壓可正可負(fù)可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負(fù)偏壓下工作。另外輸入阻抗高，可以減輕信號源負(fù)載，易于跟前級匹配。

　　MOS管結(jié)構(gòu)原理圖解

　　1、結(jié)構(gòu)和符號（以N溝道增強(qiáng)型為例）

　　在一塊濃度較低的P型硅上擴(kuò)散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導(dǎo)體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。

　　其他MOS管符號

　　2、工作原理（以N溝道增強(qiáng)型為例）

　　（1）VGS=0時，不管VDS極性如何，其中總有一個PN結(jié)反偏，所以不存在導(dǎo)電溝道。

　　VGS=0，ID=0

　　VGS必須大于0

　　管子才能工作。

　　（2）VGS》0時，在Sio2介質(zhì)中產(chǎn)生一個垂直于半導(dǎo)體表面的電場，排斥P區(qū)多子空穴而吸引少子電子。當(dāng)VGS達(dá)到一定值時P區(qū)表面將形成反型層把兩側(cè)的N區(qū)溝通，形成導(dǎo)電溝道。

　　VGS》0→g吸引電子→反型層→導(dǎo)電溝道

　　VGS↑→反型層變厚→VDS↑→ID↑

　　（3）VGS≥VT時而VDS較小時：

　　VDS↑→ID↑

　　VT：開啟電壓，在VDS作

　　用下開始導(dǎo)電時的VGS°

　　VT=VGS—VDS

　　（4）VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏極的溝道被夾斷，形成夾斷區(qū)。

　　VDS↑→ID不變