將具有已知和可控特性的特種金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機(jī)平衡力對(duì)于電阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低 TCR、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、無(wú)感抗、無(wú) ESD 感應(yīng)、低電容、快速熱穩(wěn)定性和低噪聲等重要特性結(jié)合在一種電阻技術(shù)中。

　　這些功能有助于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性，精度、穩(wěn)定性和速度之間不必相互妥協(xié)。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過(guò)有選擇地消除內(nèi)在“短板”進(jìn)行修整。當(dāng)需要按已知增量加大電阻時(shí)，可以切割標(biāo)記的區(qū)域 (圖2)，逐步少量提高電阻。

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　　圖2

　　合金特性及其與基片之間的熱機(jī)平衡力形成的標(biāo)準(zhǔn)溫度系數(shù)，在0 °C 至 + 60 °C 范圍內(nèi)為 ± 1 ppm/°C (Z 箔為0.05 ppm/°C) (圖3)。

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　　圖3

　　采用平箔時(shí)，并聯(lián)電路設(shè)計(jì)可降低阻抗，電阻最大總阻抗為 0.08 uH。最大電容為 0.05 pF。1-kΩ 電阻設(shè)置時(shí)間在 100 MHZ以下小于 1 ns。上升時(shí)間取決于電阻值，但較高和較低電阻值相對(duì)于中間值僅略有下降。沒(méi)有振鈴噪聲對(duì)于高速切換電路是十分重要的，例如信號(hào)轉(zhuǎn)換。

　　100 MHZ 頻率下，1-kΩ 大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對(duì)比可用以下公式表示：

　　交流電阻/直流電阻 = 1.001

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　　圖4: 大金屬箔電阻結(jié)構(gòu)

　　金屬箔技術(shù)全面組合了高度理想的、過(guò)去達(dá)不到的電阻特性，包括低溫度系數(shù)(0 °C 至 + 60 °C 為 0.05 ppm/°C)，誤差達(dá)到 ± 0.005 % (采用密封時(shí)低至 ± 0.001 %)，負(fù)載壽命穩(wěn)定性在 70 °C，額定加電2000小時(shí)的情況下達(dá)到 ± 0.005 % (50 ppm)，電阻間一致性在 0 °C 至 + 60 °C 時(shí)為 0.1 ppm/°C，抗 ESD 高達(dá) 25 kV。

　　性能要求

　　當(dāng)然并非每位設(shè)計(jì)師的電路都需要全部高性能參數(shù)。技術(shù)規(guī)格相當(dāng)差的電阻同樣可以用于大量應(yīng)用中，這方面的問(wèn)題分為四類：

　　(1) 現(xiàn)有應(yīng)用可以利用大金屬箔電阻的全部性能升級(jí)。

　　(2) 現(xiàn)有應(yīng)用需要一個(gè)或多個(gè)，但并非全部“行業(yè)最佳”性能參數(shù)。

　　(3) 先進(jìn)的電路只有利用精密電阻改進(jìn)的技術(shù)規(guī)格才能開發(fā)。

　　(4) 有目的地提前計(jì)劃使用精密電阻滿足今后升級(jí)要求 (例如，利用電阻而不是有源器件保持電路精度，從而節(jié)省成本，否則僅僅為了略微提高性能則要顯著增加成本)。