在電路板上除了要體現(xiàn)電路的邏輯或功能確保LVS驗證正確外，還要增加一些與LVS（電路匹配）無關的電阻，以減小中間過程中的偏差，我們通常稱這些電阻為dummy電阻。

　　dummy電阻的作用：

　　1、保證可制造性，防止芯片在制造過程中由于曝光過渡或不足而導致的蝕刻失敗：如在tapeout的時候會檢查芯片的density，插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等；

　　2、避免由于光刻過程中光的反射與衍射而影響到關鍵元器件物理圖形的精度進又而影響其size：如在模擬電路的電阻、電容陣列外圍加上dummy res和dummy cap等，以及關鍵MOS附近加dummy MOS等；

　　3、避免芯片中的noise對關鍵信號的影響，在關鍵信號的周圍加上dummy rouTIng layer后者dummy元器件：如對于某些易受干擾的信號線除了盡量減小其走線長度外，還應該在其走線的左右和上下都加上dummy metal/poly并接地，保證其不受noise的影響。在cap外圍加dummy cap也有類似的作用。

　　使用dummy電阻的注意事項：

　　電阻的dummy是保證處于邊緣的電阻與其他電阻蝕刻環(huán)境一樣。

　　電阻dummy兩頭接地vssx。

　　在匹配電路的mos管左右畫上dummy，用poly，poly的尺寸與管子尺寸一樣，dummy與相鄰的第一個poly gate的間距等于poly gate之間的間距。

　　金屬層dummy要和金屬走向一致，即如果M2橫走，M2的dummy也是橫走向。

　　多個電阻（大于兩根）打上DUMMY。保證每根電阻在光刻時所處的環(huán)境一樣，最外面的電阻的NPIM層要超出EPOLY2 0.55 um，即兩根電阻間距的一半。

　　消除電阻dummy的lvs報錯，把nimp和RPdummy層移出最邊緣的電阻，不要覆蓋dummy。