為提高其開關速度，要求驅動電路必須有足夠高的輸出電壓、較高的電壓上升率、較小的輸出電阻。還需要一定的柵極驅動電流。
開通時，柵極電流可由下式計算：
????? （1）
關斷時，柵極電流由下式計算：
??????????????????????? （2）
式（1）是選取開通驅動元件主要依據，式（2）是選取關斷驅動元件的主要依據。
???????????????????????????? ??電力場效應管的一種驅動電路
IR2130可以驅動電壓不高于600V電路中的MOSFET，內含過電流、過電壓和欠電壓等保護，輸出可以直接驅動6個MOSFET或IGBT。
TLP250內含一個光發射二極管和一個集成光探測器，具有輸入、輸出隔離，開關時間短，輸入電流小、輸出電流大等特點。適用于驅動MOSFET或IGBT。
（四）???? 絕緣柵雙極型晶體管
IGBT的結構和基本原理
IGBT也是一種三端器件，它們分別是柵極G、集電極C和發射極E。
擎住效應
擎住效應? 由于IGBT復合器件內有一個寄生晶閘管存在，當IGBT集電極電流Ic大到一定程度，可使寄生晶閘管導通，從而其柵極對器件失去控制作用，這就是所謂的擎住效應。
IGBT的驅動電路
驅動的基本要求
要有較陡的脈沖上升沿和下降沿
要有足夠大的驅動功率
要有合適的正向驅動電壓UGE
要有合適的反偏壓? 反偏壓一般取為-2～-10V
驅動電路
適用于高頻小功率場合的驅動電路
??????????????????????? IGBT驅動電路實例一
適合于中大功率場合的驅動電路
??????????????????????????? IGBT驅動電路實例二
IGBT專用集成模塊驅動電路
比較典型的有日本三菱公司的M57918L
電力電子器件的緩沖電路和串并聯
緩沖電路
