TLP155E是一款SO6封裝IC耦合器，能夠直接驅(qū)動(dòng)一個(gè)小容量IGBT或功率MOSFET。保證傳輸延時(shí)為200 ns(最大值)，能夠通過高速脈寬調(diào)制(PWM)驅(qū)動(dòng)IGBT/功率MOSFET。這款產(chǎn)品的保證傳輸延遲偏差為85 ns(最大值)，有助于縮短死區(qū)時(shí)間，并提高變頻器、PDP保持電路等的效率。TLP155E采用小型SO6封裝，因此其安裝面積比現(xiàn)有型號(hào)TLP705(SDIP6)小30%左右，同時(shí)符合國際安全標(biāo)準(zhǔn)的強(qiáng)化絕緣等級(jí)。本產(chǎn)品可用于各種產(chǎn)品，包括工業(yè)設(shè)備、數(shù)字家用電器、測(cè)量設(shè)備和控制設(shè)備。
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特征
傳輸延時(shí): tpLH,tpHL=200ns(最大值)
傳輸延時(shí)變化: |tpLH,tpHL|=50ns(最大值)
傳輸延遲偏差: tpsk=85ns(最大值)
圖騰柱輸出
最高輸出電流: IOP=±0.6A
輸入電流: IFLH=7.5mA(最大值)
耐壓: BVs=3750Vrms
應(yīng)用
PDP
通用變頻器
MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
變頻空調(diào)
輪廓圖
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電路實(shí)例
PDP保持電路
