LED外延片（外延片）

LED芯片產(chǎn)生前的LED外延片生長(zhǎng)的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法。

MOCVD

金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，簡(jiǎn)稱MOCVD），1968年由美國(guó)洛克威爾公司提出來(lái)的一項(xiàng)制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、電腦多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極體芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。

LED芯片的生產(chǎn)過(guò)程

LED外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程比較復(fù)雜：

1.展完外延片后在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試。符合要求的為良品，其他為不良品（電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等）。

2.良品的外延片要做電極（P極，N極）。接下來(lái)就用鐳射切割外延片，然后100％分撿，根據(jù)不同的電壓，波長(zhǎng)，亮度進(jìn)行全自動(dòng)化分檢，形成LED芯片（方片）。

3.最后還要進(jìn)行目測(cè)，把有缺陷或者電極有磨損的分撿出來(lái)，這些就是后面的散晶。此時(shí)在藍(lán)膜上有不符合出貨要求的芯片，這些就成了邊片或毛片等。不良品的外延片，一般不用來(lái)做方片，就直接做電極（P極，N極），也不用做分檢，這些就是目前市場(chǎng)上的LED大圓片。

外延片技術(shù)的成功需要具備以下三個(gè)條件：

1.對(duì)設(shè)備的精確掌握。MOVCD由于各項(xiàng)成本很高，保養(yǎng)周期以及配件的準(zhǔn)備充分都很重要。

2.外延原理的掌握，材料的成長(zhǎng)需要具備物理、材料學(xué)和分析技術(shù)三項(xiàng)基本功夫，能掌握這些，材料的生長(zhǎng)就可具備一定的能力。

3.持之以恒的實(shí)驗(yàn)精神，外延結(jié)果需要恒心的等待，因?yàn)槌嘶镜姆治鐾猓Y(jié)果的觀察與紀(jì)錄，做成LED芯片結(jié)果的分析，都需要耐心與恒心。