有源OR-ing

　　最簡單形式的OR-ing器件是一種二極管。當OR-ing二極管失效時，將通過不允許電流流入輸入電源來對其進行保護。OR-ing二極管允許電流僅以一個方向流動。它們用于隔離冗余電源，因而一個電源的失效不會影響整個系統。消除單點失效，允許系統使用剩余的冗余電源來保持運行。然而，實現這種隔離卻有難題。一旦該OR-ing二極管插入到電流路徑中，則會產生額外的功率損耗和效率降低。該功率損耗會導致OR-ing二極管發熱，因而需要增加散熱器，降低系統的功率密度。當二極管關斷時，其反向恢復會成為一個問題——該二極管必須具有軟開關特性。為克服其中的一些問題，已使用了肖特基二極管。這些二極管和p-n二極管之間的一個重要差異，就是減小的正向壓降和可忽略的反向恢復。普通硅二極管的壓降介于0.7至1.7V之間；肖特基二極管的正向電壓降在0.2至0.55V之間。雖然肖特基二極管在用作OR-ing二極管時，系統的傳導損耗降低，但肖特基二極管卻具有較大漏電流——這將帶來傳導損耗。該損耗低于硅二極管。

　　這個問題的替代解決方案是使用功率MOSFET替代肖特基二極管。這引入了額外的MOSFET柵極驅動器，增加了復雜性。MOSFET的RDSON必須非常小，從而該MOSFET的壓降比肖特基二極管的正向壓降低很多，這可稱為有源OR-ing?，F代低壓MOSFET的RDSON非常低——即便采用TO-220或D2PAK封裝，它也可以低至幾毫歐。飛兆半導體采用PQFN56封裝的FDS7650，對于30V MOSFET可以小到低于1毫歐。當OR-ing MOSFET導通時，它允許電流以任一方向流動。在失效情況下，冗余電源將產生大電流，因而OR-ing MOSFET必須快速關斷。飛兆半導體的PowerTrench技術MOSFET也適用于這種應用。