三極管的導(dǎo)通條件
1.截止區(qū)：
其特征是發(fā)射結(jié)電壓小于開啟電壓且集電結(jié)反向偏置。對于共射電路，UBE《=UON且UCE》UBE 。此時IB=0，而iC《=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，鍺管的ICEO小于幾十微安。因此在近似計算時認(rèn)為晶體管截止時的iC=0。
2.放大區(qū)：
其特征是發(fā)射結(jié)正向偏置（UBE大于發(fā)射結(jié)開啟電壓UON）且集電結(jié)反向偏置。對于共射電路，UBE》UON且UCE》=UBE （即UC》UB》UE）。此時的，iC幾乎僅決定于IB，而與UCE無關(guān)，表現(xiàn)出IB 對 iC的控制作用，IC=？IB。在理想情況下，當(dāng)IB按等差變化時，輸出特性是一組橫軸的等距離平行線。（簡單的說對于NPN型管子，是C點(diǎn)電位》B點(diǎn)電位》E點(diǎn)電位，對PNP型管子，是E點(diǎn)電位》B點(diǎn)電位》C點(diǎn)電位，這是放大的條件。）
3.飽和區(qū)：
其特征是發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置。對于共射電路，UBE》UON且 UCE《UBE。此時IC不僅與IB有關(guān)，而且明顯隨UCE增大而增大，IC《IB。在實際電路中，如晶體管的UBE增大時，IB隨之增大，但I(xiàn)C增大不多或基本不變，則說明晶體管進(jìn)入飽和區(qū)。對于小功率管，可以認(rèn)為當(dāng)UCE=UBE，及UCB=0時，晶體管處于臨界狀態(tài)，及臨界飽和和臨界放大狀態(tài)。
主要是根據(jù)兩個pn結(jié)的偏置條件來決定：
發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏——放大狀態(tài)；
發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏——飽和狀態(tài)；
發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)也反偏——截止?fàn)顟B(tài)。
這些狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換，可以通過輸入電壓或者相應(yīng)的輸入電流來控制，例如：在放大狀態(tài)時，隨著輸入電流的增大，當(dāng)輸出電流在負(fù)載電阻上的壓降等于電源電壓時，則電源電壓就完全降落在負(fù)載電阻上，于是集電結(jié)就變成為0偏壓，并進(jìn)而變?yōu)檎珘骸从煞糯鬆顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)轱柡蜖顟B(tài)。當(dāng)輸入電壓反偏時，則發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都成為了反偏，沒有電流通過，即為截止?fàn)顟B(tài)。
正偏與反偏的區(qū)別：對于NPN晶體管，當(dāng)發(fā)射極接電源正極、基極接負(fù)極時，則發(fā)射結(jié)是正偏，反之為反偏；當(dāng)集電極接電源負(fù)極、基極（或發(fā)射極）接正極時，則集電結(jié)反偏，反之為正偏?？傊?dāng)p型半導(dǎo)體一邊接正極、n型半導(dǎo)體一邊接負(fù)極時，則為正偏，反之為反偏。
1 三極客的飽和狀態(tài)確實取決于外部偏置電阻電路，但不一定需要事先設(shè)置好。如，當(dāng)集電極電阻的參數(shù)處在合適范圍時，三極客是否進(jìn)入飽和狀態(tài)主要取決于基極的控制。開關(guān)型三極管就是這樣工作的，要么截止要么飽和，取決于基極的控制。
2 三極客處于飽和狀態(tài)時，兩個PN結(jié)不是“都”處于正偏狀態(tài)，發(fā)射結(jié)是正偏狀態(tài)，要特別注意的是集電結(jié)，集電結(jié)電壓雖然可以為正但決不能達(dá)到門值，所以集電結(jié)并不是正偏狀態(tài)。如果集電結(jié)的正電壓達(dá)到門值，則反向的集電結(jié)（極）“少子”電流將消失，取而代之的就是由基極指向集電極的“正向多子”電流，這時的三極管就完全等效成了兩個二極管，這個正向多子電流純粹就是集電結(jié)的一個正向?qū)娏鳎炊O管電流），而不再具備集電極電流的任何意義。
所以，飽和狀態(tài)條件下，發(fā)射結(jié)是正偏，集電結(jié)是“零”偏并不是正偏，因此，集電極的電流仍然是以發(fā)射區(qū)過來的“少子”構(gòu)成，屬于少子反向?qū)娏?。為什么說是反向，前已說明。
使三極管處于飽和導(dǎo)通狀態(tài)，需要滿足的條件是什么？
從電壓上描述是：三極管發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)零偏置或正向偏置；
Ube ≈ 0.7 V，Ubc ≥ 0 V 。
從電流上描述是：基極電流乘以放大倍數(shù)大于集電極電流：
Ib * β 》 Ic ≈ Vcc / Rc，電源電壓除以集電極電阻.