第四部分：針對DS18B20的單片機編程
針對DS18B20的編程，可以理解為總線控制器通過相關指令操作器件或者器件中的相應寄存器，從而完成器件也總線控制器的數據通信，所以要真正搞定 DS18B20的通訊編程，還需要詳細的了解該芯片的各種寄存器結構、寄存器數據格式和相關的指令系統，下面我們就結合上面圖示，說說DS18B20的內 部存儲器結構。
DS18B20的每個暫存器都有8bit存儲空間，用來存儲相應數據，其中byte0和byte1分別為溫度數據的低位 和高位，用來儲存測量到的溫度值，且這兩個字節都是只讀的;byte2和byte3為TH、TL告警觸發值的拷貝，可以在從片內的電可擦可編程只讀存儲器 EEPROM中讀出，也可以通過總線控制器發出的［48H］指令將暫存器中TH、TL的值寫入到EEPROM，掉電后EEPROM中的數據不會丟 失;byte4的配置寄存器用來配置溫度轉換的精確度（最大為12位精度）;byte5、6、7為保留位，禁止寫入;byte8亦為只讀存儲器，用來存儲 以上8字節的CRC校驗碼。
參考上面的DS18B20通訊指令圖，即為DS18B20芯片中主要寄存器的數據格式和必要的個別標識位說 明，只要做到對寄存器數據精準的控制，就可以很容易的完成DS18B20的程序編寫，而對于總線控制器發出的控制指令，我們需要知道，DS18B20的指 令包括ROM指令和功能指令，其中ROM指令用來進行ROM的操作，而功能指令則可以控制DS18B20完成溫度轉換，寄存器操作等功能性工作。一旦總線 控制器檢測到一個存在脈沖，它就會發出一條 ROM指令，如果總線上掛載多只DS18B20，這些指令將利用器件獨有的64位ROM片序列碼選出特定的要進行操作的器件，同樣，這些指令也可以識別哪 些器件符合報警條件等。在總線控制器發給要連接的DS18B20一條ROM指令后，就可以發送一條功能指令完成相關的工作了，也就是說，總線控制器在發起 一條DS18B20功能指令前，需要首先發出一條ROM指令。了解了這些功能指令的功能和用法，再對DS18B20編程就容易多了！~
第五部分：DS18B20芯片的兩點使用心得
?。?）對TH（高溫觸發寄存器）和TL（低溫觸發寄存器）的操作心得
針對于DS18B20中TH（高溫觸發寄存器）和TL（低溫觸發寄存器），可以找到的代碼資料很少，而如果在某一測溫系統中需要用到TH和TL寄存器 時，其實不必覺得無從下手，參見本帖中的“DS18B20寄存器結構”，總線控制器的讀操作將從位0開始逐步向下讀取數據，直到讀完位8，而且TH和TL 寄存器的內部結構和數據格式和片內其他寄存器是相同的，當然，針對TH和TL寄存器的讀寫和其他片內寄存器的讀寫也是相同的，所以在實際應用中，當 DS18B20初始化完成后，首先通過總線控制器發出的［B8H］指令將EEPROM中保存的數據召回到暫存器的TH和TL中，然后通過總線控制器發出的 “讀時隙”對器件暫存器進行讀操作，只要將讀到的每8bit數據及時獲取，就可以很容易地通過總線控制器讀出TH和TL寄存器數據;總線控制器對器件的寫 操作原理亦然，換句話說，只要掌握了其他寄存器的操作編程，就完全可以很容易地對TH和TL這兩個報警值寄存器進行讀寫操作。同時，可以通過［48H］指 令將TH和TL寄存器數據拷貝到EEPROM中進行保存。
?。?）對DS18B20通訊時隙的掌握心得
在由 DS18B20芯片構建的溫度檢測系統中，采用達拉斯公司獨特的單總線數據通訊方式，允許在一條總線上掛載多個DS18B20，那么，在對DS18B20 的操作和控制中，由總線控制器發出的時隙信號就顯得尤為重要。如下圖所示，分別為DS18B20芯片的上電初始化時隙、總線控制器從DS18B20讀取數 據時隙、總線控制器向DS18B20寫入數據時隙的示意圖，在系統編程時，一定要嚴格參照時隙圖中的時間數據，做到精確的把握總線電平隨時間（微秒級）的 變化，才能夠順利地控制和操作DS18B20。另外，需要注意到不同單片機的機器周期是不盡相同的，所以，程序中的延時函數并不是完全一樣，要根據單片機 不同的機器周期有所改動。在平常的DS18B20程序調試中，若發現諸如溫度顯示錯誤等故障，基本上都是由于時隙的誤差較大甚至時隙錯誤導致的，在對 DS18B20編程時需要格外注意。
上電初始化時隙圖
數據讀取時通訊總線的時隙圖
數據寫入時通訊總線的時隙圖
好了，帖子寫到這里，基本上算是告一段落了，我們描述了DS18B20測溫芯片的封裝、管腳定義、電路連接方式、內部寄存器的結構和數據格式、通信時隙和功能/控制指令，最后希望這篇帖子可以幫助到正在或者將要使用到DS18B20測溫芯片的壇友，謝謝大家！