真空傳感器結構

　　真空傳感器由玻璃襯底、下電極、絕緣層、硅膜片（ 上電極） 、上層密封用的玻璃組成， 其中下電極濺射在玻璃襯底上， 電極上生長一絕緣層； 硅膜是利用硅片的雙面光刻、擴散和各向異性腐蝕技術形成的。該電容式真空傳感器有兩個腔體， 其中上面的腔體是一個真空腔， 下面的腔體是鍵合形成的， 這個腔體不是密封的， 腔內氣體與外界氣體相通。電容器的兩平板間的距離可由硅片腐蝕的深度控制， 硅膜片與玻璃電極之間的間隙很小， 這也是硅電容式傳感器靈敏度高的原因。

　　真空傳感器特征特征

　　真空傳感器其特征在于設有硅尖陣列發射陰極、金屬陽極、玻璃襯底、發射腔體和電極引線，金屬陽極濺射在玻璃襯底上，硅尖陣列發射陰極刻蝕在硅片上，刻蝕有硅尖陣列發射陰極的硅片與濺射有金屬陽極的玻璃襯底鍵合在一起形成發射腔體，1對電極引線分別接硅尖陣列發射陰極和金屬陽極，電極引線分別由硅片和陽極金屬引出外接穩壓。

　　真空傳感器的工作原理

　　真空度是指低于大氣壓力的氣體的稀薄程度，通常以壓力來表示真空度，壓力高意味著真空度低，壓力低意味著真空度高。由于真空傳感器上面的腔體是真空腔體，在大氣壓力下，作為傳感器敏感元件的硅膜片在壓力的作用下會向上鼓起。當真空傳感器下面腔體內的真空度不同時，硅膜片向上鼓起的程度就不同，硅膜片向上鼓起使得電容兩極板之間的距離發生變化，根據平板電容的公式可知電容也隨之發生化，真空度與電容值是對應的，電容值隨著真空度的變化而變化。由于電容值與真空度的關系，電容值的變化通過測量電路轉換為電壓或頻率信號，檢測電壓或頻率信號可以得到對應的真空度。