工程師對電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時,需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導體比寬帶隙(WBG)半導體具有十多年的領先優勢,主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
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半導體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
《電子電路分析與設計:半導體器件及其基本應用》主要內容:電子學是研究電荷在空氣、真空和半導體內運動的一門科學(注意此處不包括電荷在金屬中的運動)。這一概念最早起源于20世紀早期,以便和電氣工程
2018-11-13 15:34:39
半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。
2011-10-23 22:05:11
半導體器件熱譜分析方法
2016-04-18 16:38:19
半導體器件物理(胡正明)
2020-09-22 19:57:16
!!1、半導體元件與芯片的區別按照國際標準分類方式,在國際半導體的統計中,半導體產業只分成四種類型:集成電路,分立器件,傳感器和光電子。所有的國際半導體貿易中都是分成這四類。上面說的...
2021-11-01 09:11:54
請問半導體分立器件怎么分類?
2011-10-26 10:29:14
摘要 : 導讀:ASEMI半導體這個品牌自打建立以來,就一直不間斷在研發半導體各類元器件,在半導體的制程和原理上可謂已經是精益求精,今天ASEMI半導體要和大家一起分享的,就是這個半導體的制程導讀
2018-11-08 11:10:34
近年來,全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類(吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
家電企業作為儲備技術。真正最多應用于家電的電機控制IC產品是MCU。來自家電行業的信息顯示,意法半導體(ST)、NEC、瑞薩半導體是家電電機控制的主要MCU產品提供商。
2019-06-21 07:45:46
本人小白,最近公司想上半導體器件的塑封生產線,主要是小型貼片器件封裝,例如sot系列。設備也不需要面面俱到,能進行小規模正常生產就行。哪位大神能告知所需設備的信息,以及這些設備的國內外生產廠家,在此先行感謝!
2022-01-22 12:26:47
半導體存儲元器件工作原理
2017-02-05 13:25:23
半導體氣敏器件相關資料分享
2021-04-01 06:01:54
、635nm、650nm、670nm)。這些器件的特征是:單頻窄線寬、高速率、可調諧、短波長、光電單片集成化等。 大功率半導體激光器(功率型激光器),主要用于泵浦源、激光加工系統、印刷行業、生物醫療等領域
2016-01-14 15:34:44
在這里我們通過半導體與其他材料的主要區別來了解半導體的本性: 在室溫下,半導體的電導率處在103~10-9西[門子]/厘米之間,其中西[門子]/厘米為電導率的單位,電導率與電阻率互為倒數。一般金屬
2018-03-29 09:04:21
寬帶隙器件的技術優勢實際應用中的寬帶隙功率轉換
2021-02-22 08:14:57
帶隙高于硅半導體的新型材料可縮減芯片尺寸,同時保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產生較低的寄生電容,并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標準的硅 MOSFET,在給定的頻率
2022-11-16 06:48:11
應用于EMI及ESD的新型片式元器件有哪些?
2021-05-31 06:06:13
意法半導體擁有最先進的平面工藝,并且會隨著G4不斷改進:? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00
GVM電機技術特點是什么?有哪些主要特征?GVM電機優勢有哪些?主要應用于哪些方面?
2021-09-30 08:35:56
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數的半導體材料相比,GaN 具有獨特的優勢:禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導率更高,使其成為最令人矚目的新型半導體材料之一。目前,GaN 基發光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
IHDF-1300AE-10是什么?主要應用于哪些領域?IHDF-1300AE-10器件規格是什么?
2021-07-09 07:03:19
KIA半導體MOS管具備挺大的核心競爭力,是開關電源生產廠家的最好的選擇。KIA半導體 MOS管廠家主要研發、生產、經營:場效應管(MOS管)、COOL MOS(超結場效應管)、三端穩壓管、快恢復
2021-11-12 08:43:18
LED具備哪些重要優勢? LED在汽車領域應用所面臨的挑戰有哪些?LED主要應用于哪些領域?
2021-05-19 06:42:00
LED有哪些關鍵特性?控制LED的方法有哪些?LED主要應用于哪些領域?
2021-05-12 06:42:04
TQ6122是什么?TQ6122的結構有哪些特點?TQ6122的引腳功能包括哪些?TQ6122主要應用于哪些領域?TQ6122在應用中有哪些問題?
2021-04-14 06:53:20
XCP是什么?它為什么會出現?XCP的結構是由哪些部分組成的?XCP從設備包括哪些?XCP有哪些設計準則?XCP主要應用于哪些領域?
2021-04-15 06:05:24
最近手上好多半導體芯片職位,可是人都不知道去哪了,都沒什么人關注。請教:1. 對現在工作很滿意2. 形勢不好,不敢跳槽3. 不知道招聘信息4. 跳槽工資不吸引5. 其他你們心里是怎么想的?[此貼子已經被作者于2009-8-27 10:58:45編輯過]
2009-08-27 10:58:18
_BV(i)指令到底是什么意思?_BV(i)指令主要應用于哪些地方?
2021-07-08 07:19:03
和 102 之間變化Q cm(硅的電阻率在 0.1 到 60 Qcm 之間)。半導體介于絕緣體和導體之間,因為它們的帶隙(價帶最高能級與電導帶最低能級之間的能量差)相對較小。分子軌道理論指出,當原子
2021-07-01 09:38:40
鎵和碳化硅的各種蝕刻劑,包括水性無機酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導體技術中有多種應用,包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘識別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對于氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
使用這些納米線陣列,可以實現寬帶光捕獲。接觸電極,如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅,對具有不同帶隙的半導體納米線太陽能電池器件的影響,重點是光吸收。雖然傳統的導電氧化物材料,如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
變換和電路控制,更是弱電控制與強電運行之間的溝通橋梁,主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理,對設備正常運行起到關鍵作用。與此同時,功率半導體器件還具有綠色節能功能,被廣泛應用于幾乎所有的電子制造業
2019-02-26 17:04:37
建模工具所采用。基于其集成的并行SPICE引擎,BSIMProPlus提供強大的全集成SPICE建模平臺,可以用于對各種半導體器件從低頻到高頻的各種器件特性的SPICE建模,包括電學特性測試、器件模型
2020-07-01 09:36:55
半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分意義如下: 第一部分:用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管
2021-05-25 08:01:53
滿足市場需求,使用硅的新器件年復一年地實現更大的功率密度和能效,已經越來越成為一個巨大的挑戰。從本質上講,芯片的演進已經接近其基礎物理極限。但是,為什么說寬帶隙半導體的表現已經超越了硅呢?
2019-07-30 07:27:44
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類,元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合用于
2019-07-29 07:16:49
1,半導體基礎2,PN節二極管3,BJT和其他結型器件4,場效應器件
2020-11-27 10:09:56
基于霍耳效應的半導體磁電轉換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中,半導體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
去的三十年里,III-V 技術(GaAs 和InP)已經逐漸擴大到這個毫米波范圍中。新近以來,由于工藝尺寸持續不斷地減小,硅技術已經加入了這個“游戲”。在本文中,按照半導體特性和器件要求,對可用于
2019-07-31 07:43:42
什么是OP4177?它有什么優點?OP4177主要應用于哪些領域?OP4177的電源解決方案有哪些?
2021-04-20 07:25:28
的鉗位感性負載電路。 一旦對半導體器件進行了表征,就需要對其進行評估。這同樣適用于WBG設備。為了評估用WBG半導體代替硅器件可能獲得的優勢,需要從系統級的角度進行評估。評估程序通常基于在連續和非連續
2023-02-21 16:01:16
電路保護用于幾乎所有的電氣或電子設備,不僅保護設備,而且保護人、企業和聲譽。這些器件有針對性地保護敏感電子免受過流、過壓、靜電放電、浪涌和其他破壞性的故障所導致的失效。國內電路保護專家優恩半導體專業研發及生產高規格、高性能電路保護元件,本文將介紹優恩半導體電路保護器件的優勢
2018-09-25 15:45:33
Python是什么?Python主要應用于哪些領域?
2021-07-02 06:15:31
說到功率轉換電子器件,每位設計師都希望用到損耗最小的完美半導體開關,而寬帶隙碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件通常被認為是接近完美的器件。不過,想要達到“完美”,只靠低損耗是遠遠不夠的。開關必須
2023-02-05 15:14:52
點擊: 功率半導體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導體器件應用手冊功率半導體器件應用手冊——彎腳及焊接應注意的問題本文將向您介紹大家最關心的有關TSE功率半導體器件封裝的兩個問題:一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性?二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十至數千安,電壓為數百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
。目前,凱仕德離子風機,離子風棒,凱仕德空間離子棒具有很好的去除工業靜電的作用,已應用于大多數半導體生產中。
2023-12-12 17:18:54
,安森美半導體提供優質的全局快門系列產品,可捕獲快速移動的的對象,主要應用于掃碼的VGA、100萬像素及更高像素輸出,產品經市場驗證,質量、信用及技術水平都得到客戶的廣泛認可,目前占據超過40
2018-11-08 16:23:34
安森美半導體應用于物聯網的成像技術和方案分享
2021-05-31 07:07:32
安森美半導體將于下周在德國紐倫堡舉辦的Embedded World展示應用于汽車、工業及消費的的基于半導體的集成系統方案。我們將重點展示物聯網(IoT) 及工業物聯網(IIoT) 或工業4.0,以及
2018-10-11 14:28:55
(GaN)寬帶隙器件,助力開發先進、高能效的下一代電動車(EV)和混合動力電動車(HEV),實現更高的安全性、智能性和每次充電后更遠的續航里程。 此次安森美半導體與奧迪的全新合作將加快開發進程,打造自動駕駛系統和汽車功能電子化的全新性能,推進汽車領域的變革。
2018-10-11 14:33:43
安森美半導體電源方案部(PSG)加速了擴展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅動器產品陣容,針對汽車應用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認證的器件數現已超過4,000,是該行業中最大的供應商
2018-10-25 08:53:48
常用半導體器件本章要求:一、理解PN結的單向導電性,三極管的電流分配和 &
2009-09-30 18:12:20
1.常用半導體器件型號命名的國家標準常用半導體器件的型號命名由五個部分組成,第一部分用數字表示電極的數目;第二部分用漢語拼音字母表示器件的材料和極性;第三部分表示器件的類別;第四部分表示器件的序號
2017-11-06 14:03:02
半導體元器件是用半導體材料制成的電子元器件,隨著電子技術的飛速發展,各種新型半導體元器件層出不窮。半導體元器件是組成各種電子電路的核心元件,學習電子技術必須首先了解半導體元器件的基本結構和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半導體器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
帶隙高于硅半導體的新型材料可縮減芯片尺寸,同時保持相同的隔離電壓。 較小的芯片產生較低的寄生電容,并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標準的硅 MOSFET,在給定的頻率
2018-08-30 14:43:17
能量轉換效率是一個重要的指標,各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎上再有所提升。為了實現這一提升,開始逐漸采用越來越復雜的轉換拓撲,如移相全橋(PSFB)和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代,寬帶隙(WBG)器件更是以其驚人的開關速度被譽為未來的半導體業明珠。
2020-10-29 07:12:23
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
在功率轉換應用中,使用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的寬帶隙(WBG)半導體器件作為開關,能讓開關性能更接近理想狀態。相比硅MOSFET或IGBT,寬帶隙器件的靜態和動態損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14
半導體器件,半導體器件的種類
半導體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統LSI、超大功率器件均有廣泛的研究,且被廣泛地運用于手機、數碼家電產品
2010-03-01 17:25:02
5985 什么是寬帶隙半導體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料,因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上,在室溫下不可
2010-03-04 10:32:48
7106 半導體分立器件器件國內主要公司有韋爾股份、揚杰科技、捷捷微電、蘇州固锝、華微電子、臺基股份、士蘭微等。
2018-11-15 17:06:54
25412 半導體光電器件是指把光和電這兩種物理量聯系起來,使光和電互相轉化的新型半導體器件。即利用半導體的光電效應(或熱電效應)制成的器件。光電器件主要有,利用半導體光敏特性工作的光電導器件,利用半導體光伏打效應工作的光電池和半導體發光器件等。
2019-01-09 15:06:16
24699 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體教程之半導體器件基礎的資料說明主要內容包括了:1 半導體的基本知識,2 半導體二極管,3 半導體三極管,4 BJT模型,5 場效應管
2019-01-22 08:00:00
52 正是由于帶隙,使得半導體具備開關電流的能力,以實現給定的電子功能;畢竟,晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開關。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優于硅的半導體特性。 相較于硅器件,WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:06
8446 
近日,為了促進寬帶隙(WBG)半導體技術的發展,IEEE電力電子學會(PELS)發布了寬帶隙功率半導體(ITRW)的國際技術路線圖。
2020-04-13 16:01:31
4681 寬帶隙 (WBG) 半導體器件的集成在多種技術應用中作為硅技術的替代品是一個不斷增長的市場,它可以提供效率和功率密度的改進,這對能源和成本節約有很大的影響 。WBG 具有顯著優勢,例如更高的開關頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:51
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寬帶隙 (WBG) 半導體,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已經終結了硅在電力電子領域的主導地位。自硅問世以來,WBG 半導體被證明是電力電子行業最有前途的材料。與傳統的硅基技術相比
2022-07-27 15:11:44
1258 使用寬帶隙半導體的技術可以滿足當今行業所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是最近推出的寬帶
2022-07-29 08:06:46
1389 
寬帶隙 (WBG) 半導體極大地影響了使用它們的設備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導體價帶的最高占據態移動到導帶的最低未占據態所需的能量。
2022-07-29 15:10:45
1618 工程師熟悉電磁干擾、并聯和布局,但在從硅基芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時,需要多加注意。 據chip稱,硅(Si)基半導體比寬帶隙(WBG)半導體領先十年,主要是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN
2022-08-05 14:30:09
731 
追求更高效的電子產品以功率器件為中心,而半導體材料則處于研發活動的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導體材料。然而,今天,硅正在將其在功率器件中的主導地位讓給兩種更高
2022-08-08 10:16:49
935 
碳化硅(SiC)晶圓經常出現在新聞中,這一事實預示著這種寬帶隙(WBG)材料作為顛覆性半導體技術的證書,適用于更小、更輕、更高效的電力電子設備。
2022-12-15 11:08:18
691 用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導體
2022-12-22 09:32:25
640 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許
2022-12-30 13:57:49
632 
隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙(與常用的硅相比),寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命,這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15
677 寬帶隙半導體是一種具有寬帶隙的半導體材料,其特性是具有較寬的能帶隙,可以吸收和發射更多的光子,從而提高半導體器件的效率。它廣泛應用于太陽能電池、激光器件、光電子器件等領域。
2023-02-16 15:07:08
700 功率半導體器件是一種用于控制和轉換大功率電能的半導體器件,主要包括以下幾種類型:
二極管:功率二極管是一種只允許電流單向流動的半導體器件,常用于整流、反向保護等應用中。
2023-02-28 11:41:34
2705 電子發燒友網站提供《用于高密度和高效率電源設計的意法半導體WBG解決方案.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:54:17
0 調查結果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件,市場正在穩步擴大。
2023-09-04 15:13:24
365 
功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時柵極電阻選型注意事項
2023-11-23 16:56:32
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