寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)介紹

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光電子(17161) 光電子(17161)
寬帶隙器件(2428) 寬帶隙器件(2428)

評(píng)論

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電子內(nèi)窺鏡中超寬帶的應(yīng)用

超寬帶(UWB)是一項(xiàng)高帶寬(480-1320Mb/秒)和短距離(10-50米)的無(wú)線傳輸技術(shù)。本文介紹如何將超寬帶技術(shù)應(yīng)用于電子內(nèi)窺鏡。

2011-11-18 15:29:52

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使用寬帶隙推動(dòng)提高效率的下一代電源設(shè)計(jì)擴(kuò)大了性能差距

功率轉(zhuǎn)換器中使用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)技術(shù)是改進(jìn)的關(guān)鍵，而使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的新型寬帶隙（WBG）類型有望取得重大進(jìn)展。讓我們?cè)敿?xì)研究一下這些優(yōu)勢(shì)。

2022-07-29 08:07:58

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氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)

隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的理論極限，進(jìn)一步發(fā)展只是以緩慢和高成本實(shí)現(xiàn)微小

2023-10-25 16:24:43

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使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術(shù)，幫助

2023-11-16 13:28:33

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寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

寬帶隙器件的技術(shù)優(yōu)勢(shì)實(shí)際應(yīng)用中的寬帶隙功率轉(zhuǎn)換

2021-02-22 08:14:57

寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品中具備的優(yōu)勢(shì)

帶隙高于硅半導(dǎo)體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時(shí)保持相同的隔離電壓。較小的芯片產(chǎn)生較低的寄生電容，并降低了晶體管柵極電荷 (Qg) 及輸出電容 (Coss)。相比于標(biāo)準(zhǔn)的硅 MOSFET，在給定的頻率

2022-11-16 06:48:11

超寬帶技術(shù)有哪些特點(diǎn)？

　　超寬帶（UWB，Ultra Wide Band）技術(shù)是現(xiàn)下一種新型的無(wú)線載波通信技術(shù)，超寬帶技術(shù)不使用正弦載波，而是通過(guò)對(duì)具有很陡上升和下降時(shí)間的沖擊脈沖傳輸數(shù)據(jù)，然后使其所占的頻譜范圍很寬

2023-05-08 17:09:04

超寬帶RF測(cè)量

超寬帶RF測(cè)量DS-UWB 超寬帶方法根據(jù)UWB 論壇3，直序超寬帶(DS-UWB)結(jié)合使用單載波擴(kuò)頻設(shè)計(jì)和寬相干帶寬，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)1.32 Gb/s的數(shù)據(jù)速率。根據(jù)現(xiàn)有的CMOS 技術(shù)布局

2008-11-26 11:41:32

超寬帶人員定位系統(tǒng)

容易將定位與通信結(jié)合?？焖侔l(fā)展的短距離超寬帶通信無(wú)疑將帶動(dòng)UWB在定位技術(shù)的發(fā)展。隨著市場(chǎng)需求的不斷增加，相信不久超寬帶（UWB）人員定位系統(tǒng)會(huì)被應(yīng)用到更廣泛的領(lǐng)域，促進(jìn)社會(huì)的發(fā)展，并得到行業(yè)的認(rèn)可。

2018-11-20 15:07:56

超寬帶認(rèn)知無(wú)線電的關(guān)鍵技術(shù)是什么？

本文從超寬帶認(rèn)知無(wú)線電適配信號(hào)的產(chǎn)生、功率傳輸控制和分布式節(jié)點(diǎn)間的合作三個(gè)方面，對(duì)當(dāng)前該技術(shù)領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的介紹和分析。

2021-05-26 06:51:23

超寬帶通信有什么特點(diǎn)？

　超寬帶是利用納秒級(jí)窄脈沖發(fā)射無(wú)線信號(hào)的技術(shù), 適用于高速、近距離的無(wú)線個(gè)人通信。按照FCC 的規(guī)定, 從 3 . 1GHz 到 10 . 6GHz 之間的 7 . 5GHz 的帶寬頻率為UWB 所使用的頻率范圍。

2019-10-24 09:02:11

UBW超寬帶天線的設(shè)計(jì)

UWB系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和應(yīng)用是無(wú)線通信領(lǐng)域激烈競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)，特別是2002年漂亮國(guó)聯(lián)邦通信委員會(huì)FCC將3.1～10.6GHz頻段列為超寬帶（UWB）民用頻段后 . 超寬帶天線用作超寬帶。該系統(tǒng)的重要

2022-11-08 18:05:50

UWB超寬帶技術(shù)又是什么黑科技？

空間感知能力是什么意思？U1芯片到底能做什么？UWB超寬帶技術(shù)又是什么黑科技？UWB技術(shù)和我們現(xiàn)在常用的定位技術(shù)，又有什么不同呢？

2021-06-16 06:25:13

UWB超寬帶傳輸技術(shù)特點(diǎn)

的非正弦波窄脈沖傳輸數(shù)據(jù)，因此，其所占的頻譜范圍很寬，適用于高速、近距離的無(wú)線個(gè)人通信。FCC規(guī)定，UWB的工作頻段范圍從3.1 GHz到10.6 GHz，最小工作頻寬為500MHz。超寬帶傳輸技術(shù)

2019-06-14 07:19:32

UWB超寬帶定位技術(shù)概念

`UWB超寬帶定位技術(shù)概念：超寬帶無(wú)線通信技術(shù)（UWB）是一種無(wú)載波通信技術(shù)，UWB不使用載波，而是使用短的能量脈沖序列，并通過(guò)正交頻分調(diào)制或直接排序?qū)⒚}沖擴(kuò)展到一個(gè)頻率范圍內(nèi)。UWB的主要特點(diǎn)

2018-10-19 15:18:17

uwb超寬帶定位原理全面解析

`UWB超寬帶定位是一種新型的無(wú)線通信技術(shù)。UWB信號(hào)的發(fā)生可通過(guò)發(fā)射時(shí)間極短（如2ns）的窄脈沖（如二次高斯脈沖）通過(guò)微分或混頻等上變頻方式調(diào)制到UWB工作頻段實(shí)現(xiàn)。UWB超寬帶定位的主要優(yōu)勢(shì)有

2018-10-16 09:55:08

為什么說(shuō)寬帶隙半導(dǎo)體的表現(xiàn)已經(jīng)超越了硅？

滿足市場(chǎng)需求，使用硅的新器件年復(fù)一年地實(shí)現(xiàn)更大的功率密度和能效，已經(jīng)越來(lái)越成為一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。從本質(zhì)上講，芯片的演進(jìn)已經(jīng)接近其基礎(chǔ)物理極限。但是，為什么說(shuō)寬帶隙半導(dǎo)體的表現(xiàn)已經(jīng)超越了硅呢？

2019-07-30 07:27:44

使用寬帶隙器件做電路設(shè)計(jì)時(shí)的注意事項(xiàng)

說(shuō)到功率轉(zhuǎn)換電子器件，每位設(shè)計(jì)師都希望用到損耗最小的完美半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，而寬帶隙碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件通常被認(rèn)為是接近完美的器件。不過(guò)，想要達(dá)到“完美”，只靠低損耗是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。開(kāi)關(guān)必須

2023-02-05 15:14:52

關(guān)于超寬帶無(wú)線通信技術(shù)的知識(shí)點(diǎn)你想知道的都在這

關(guān)于超寬帶無(wú)線通信技術(shù)的知識(shí)點(diǎn)你想知道的都在這

2021-05-31 06:38:46

基于全光矢量調(diào)制技術(shù)的超寬帶光載無(wú)線系統(tǒng)及其關(guān)鍵技術(shù)分析介紹

的最高速率。隨之光載無(wú)線(RoF)概念被提出來(lái)，用來(lái)在光纖無(wú)線接入網(wǎng)絡(luò)中提供固定和移動(dòng)雙重寬帶業(yè)務(wù)接入。RoF技術(shù)不僅僅局限于現(xiàn)有微波波段，更高頻率的毫米波段(30～300 GHz)以及超寬帶無(wú)線信號(hào)

2019-06-17 06:52:14

如何利用TH-UWB02超寬帶發(fā)射芯片實(shí)現(xiàn)超寬帶窄脈沖發(fā)射機(jī)電路？

本文利用單片機(jī)和自主設(shè)計(jì)的TH-UWB02超寬帶發(fā)射芯片實(shí)現(xiàn)了一個(gè)超寬帶窄脈沖發(fā)射機(jī)電路，能夠發(fā)送高速率的窄脈沖超寬帶脈沖序列，由接收機(jī)解調(diào)后可以實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)的無(wú)線傳輸，可用于無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸、射頻標(biāo)簽等領(lǐng)域。

2021-03-18 07:22:52

如何實(shí)現(xiàn)超寬帶EMI濾波器的設(shè)計(jì)？

如何實(shí)現(xiàn)超寬帶EMI濾波器的設(shè)計(jì)？超寬帶EMI濾波器的工作原理是什么？

2021-04-12 07:10:33

怎么設(shè)計(jì)基于枝節(jié)加載的超寬帶濾波器？

自2002年美國(guó)聯(lián)邦通訊委員會(huì)(FCC)批準(zhǔn)把3.1GHz到10.6GHz之間的頻段分配給超寬帶通信系統(tǒng)使用以來(lái)，小型化，高性能已經(jīng)成為了超寬帶無(wú)線通信系統(tǒng)的必然趨勢(shì)。

2019-08-21 07:39:35

新型寬帶隙材料的優(yōu)勢(shì)

2018-08-30 14:43:17

結(jié)構(gòu)緊湊型超寬帶單極子天線結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)介紹

1引言超寬帶（UWB）無(wú)線通信技術(shù)以其極大的容量和極小的功率特性等優(yōu)勢(shì)，成為這個(gè)時(shí)代最具潛力的技術(shù)之一。近年來(lái)，隨著超寬帶技術(shù)的不斷發(fā)展，超寬帶天線已在衛(wèi)星通信、雷達(dá)、電子對(duì)抗系統(tǒng)等方面得到了廣泛

2019-06-13 07:54:58

請(qǐng)問(wèn)怎樣去設(shè)計(jì)超寬帶低噪聲放大電路？

怎樣去設(shè)計(jì)超寬帶低噪聲放大電路？如何對(duì)超寬帶低噪聲放大電路進(jìn)行仿真測(cè)試？有什么方法可以放大脈沖信號(hào)嗎？

2021-04-20 07:13:22

針對(duì)電機(jī)控制應(yīng)用如何選擇寬帶隙器件？

在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，使用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件作為開(kāi)關(guān)，能讓開(kāi)關(guān)性能更接近理想狀態(tài)。相比硅MOSFET或IGBT，寬帶隙器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗都更低。此外還有

2023-02-05 15:16:14

空時(shí)編碼技術(shù)在超寬帶通信系統(tǒng)中的應(yīng)用

空時(shí)編碼技術(shù)在超寬帶通信系統(tǒng)中的應(yīng)用空時(shí)編碼技術(shù)和超寬帶技術(shù)是當(dāng)前無(wú)線通信領(lǐng)域的熱點(diǎn)技術(shù)。為了提高短距離速率無(wú)線通信的性能，討論了空時(shí)編碼技術(shù)在超寬帶

2009-12-30 10:11:43

UWB超寬帶無(wú)線通信技術(shù)及其發(fā)展前景

　本文首先介紹了超寬帶技術(shù)的定義,描述了超寬帶技術(shù)的特點(diǎn)和信道模型,闡述用于超寬帶系統(tǒng)常用的多址方式和調(diào)制方式,給出了超寬帶通信收發(fā)機(jī)結(jié)構(gòu),最后分析了國(guó)內(nèi)外超寬

2010-08-12 17:21:36

什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料

什么是寬帶隙半導(dǎo)體材料氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗慕麕挾榷荚?個(gè)電子伏以上，在室溫下不可

2010-03-04 10:32:48

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超寬帶無(wú)線通信,超寬帶無(wú)線通信是什么意思

超寬帶無(wú)線通信,超寬帶無(wú)線通信是什么意思摘要　隨著無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展，人們對(duì)高速短距離無(wú)線通信的要求

2010-03-13 10:57:03

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超寬帶無(wú)線通信技術(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域

超寬帶無(wú)線通信技術(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域摘要：首先簡(jiǎn)要介紹了超寬帶（UWB）的系統(tǒng)框架，而后介紹了其主要技術(shù)特征和標(biāo)準(zhǔn)化情況，最后對(duì)UWB技術(shù)的應(yīng)

2010-03-13 10:58:14

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什么是超寬帶無(wú)線通信技術(shù)

什么是超寬帶無(wú)線通信技術(shù) 摘要：超寬帶(UWB)具有傳輸速率高、通信距離短、平均發(fā)射功率低等特點(diǎn)，非常適合于短距離高速無(wú)線通信。文

2010-03-13 11:15:42

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超寬帶系統(tǒng)的脈位調(diào)制技術(shù)研究

超寬帶是一種與傳統(tǒng)無(wú)線通信技術(shù)有所區(qū)別的通信，針對(duì)影響 超寬帶 脈位調(diào)制技術(shù)的因素進(jìn)行了研究，簡(jiǎn)要介紹了超寬帶的技術(shù)特征、調(diào)制解調(diào)原理和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，重點(diǎn)分析了無(wú)載波的

2011-08-05 14:58:24

超寬帶的發(fā)展之路與趨勢(shì)

超寬帶( UWB )一詞最先由美國(guó)國(guó)防部于1989年提出。由于超寬帶可以與其他通信系統(tǒng)共存使得超寬帶得到快速的發(fā)展，市場(chǎng)應(yīng)用更加廣闊。 UWB技術(shù)是一種新型的無(wú)線通信技術(shù)。它通過(guò)對(duì)具

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超寬帶雷達(dá)介紹

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基于超寬帶技術(shù)的戰(zhàn)車通信探討

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2020-11-18 09:41:07

基于超寬帶的無(wú)線USB技術(shù)

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2020-11-18 09:41:07

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超寬帶初露鋒芒，基礎(chǔ)知識(shí)介紹，有需要的下來(lái)看看

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新型光子帶隙寬帶雙極化微帶天線設(shè)計(jì)

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新型寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)——第一部分

隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。在這篇包括兩個(gè)部分的博客系列中，我將討論這些新型寬帶隙材料是怎樣能讓新設(shè)計(jì)從中受益的。采用帶隙高于硅半導(dǎo)體的新型材料可縮減芯片尺寸，同時(shí)保持相同的隔離電壓。

2017-04-18 08:41:11

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2018年寬帶隙器件市場(chǎng)與技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

2018年寬帶隙基準(zhǔn)源半導(dǎo)體市場(chǎng)與技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

2018-02-06 14:41:13

關(guān)于寬帶隙半導(dǎo)體與硅的對(duì)比分析

正是由于帶隙，使得半導(dǎo)體具備開(kāi)關(guān)電流的能力，以實(shí)現(xiàn)給定的電子功能;畢竟，晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開(kāi)關(guān)。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優(yōu)于硅的半導(dǎo)體特性。相較于硅器件，WBG器件可以在較小

2019-08-28 12:31:06

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超寬帶技術(shù)詳解

超寬帶（UWB）是一種無(wú)線技術(shù)，可以在短時(shí)間內(nèi)以極低功率實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速傳播。超寬帶有很多獨(dú)特的技術(shù)特性，是具有極強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的短距無(wú)線傳輸技術(shù)。但該技術(shù)在2002年之后才正式被大家關(guān)注，主要是該技術(shù)

2020-03-13 15:45:00

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IEEE發(fā)布半導(dǎo)體技術(shù)路線圖，助力碳化硅和氮化鎵材料發(fā)展

近日，為了促進(jìn)寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，IEEE電力電子學(xué)會(huì)（PELS）發(fā)布了寬帶隙功率半導(dǎo)體（ITRW）的國(guó)際技術(shù)路線圖。

2020-04-13 16:01:31

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寬帶隙器件如何在汽車雙向電源轉(zhuǎn)換中增加價(jià)值

寬帶隙（WBG）開(kāi)關(guān)器件由于其高速度和高效率而得到應(yīng)用，這種器件可減小功率轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和損耗。

2020-04-14 09:17:56

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寬帶隙半導(dǎo)體是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)

摘要：傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好，能夠提高M(jìn)OSFET的性能，是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)。商用硅基功率MOSFET已有近40年

2020-09-18 17:08:33

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GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力。應(yīng)用程序。在新世紀(jì)即將來(lái)臨

2021-04-01 14:10:19

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超寬帶UWB為什么那么重要

（UWB）以及它為什么重要產(chǎn)生了很多困惑。我們當(dāng)中有幸從事超寬帶技術(shù)和產(chǎn)品相關(guān)工作的人永遠(yuǎn)不會(huì)把它和 5G 數(shù)據(jù)計(jì)劃混為一談。現(xiàn)在就讓我們來(lái)揭開(kāi)一些有關(guān)超寬帶的迷思。 超寬帶不是指：得克薩斯農(nóng)工大學(xué) （Texas AM）的 Fightin’ Texas Aggie 樂(lè)隊(duì)擁有 400 多名成員，他們站在一起時(shí)

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更寬帶隙的磁傳感器-量子阱霍爾傳感器，應(yīng)用在惡劣的環(huán)境（-100℃-200℃）保持良好的靈敏度和線性度。

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以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻，但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻，并且通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑，包括含水無(wú)機(jī)酸和堿溶液，以及熔融鹽。濕法蝕刻對(duì)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)具有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過(guò)產(chǎn)生特征凹坑或小丘來(lái)識(shí)

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寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問(wèn)世以來(lái)，WBG 半導(dǎo)體被證明是電力電子行業(yè)最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比

2022-07-27 15:11:44

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分析寬帶隙半導(dǎo)體的計(jì)算模型

了解半導(dǎo)體價(jià)帶和導(dǎo)帶的形成機(jī)制對(duì)于新材料生產(chǎn)的潛在技術(shù)影響至關(guān)重要。這項(xiàng)工作提出了一種寬帶隙計(jì)算模型，突出了理解能帶結(jié)構(gòu)的理論困難，然后將其與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了比較。

2022-07-29 11:18:02

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碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導(dǎo)體推動(dòng)汽車電氣化

用電動(dòng)汽車市場(chǎng)的爆炸式增長(zhǎng)。在先進(jìn)汽車技術(shù)論壇的電動(dòng)汽車寬帶隙半導(dǎo)體小組會(huì)議上，三位行業(yè)專家討論了解決 GaN 和 SiC 當(dāng)前挑戰(zhàn)和未來(lái)機(jī)遇的努力。把握電氣化勢(shì)頭在清潔能源領(lǐng)域，電動(dòng)汽車市場(chǎng)是迄今為止最具活力的。 2012 年，全球售出約 130,000 輛電動(dòng)汽車

2022-07-29 12:06:00

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分析用于電力電子的寬帶隙半導(dǎo)體

使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是最近推出的寬帶隙

2022-07-29 08:06:46

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碳化硅寬帶隙半導(dǎo)體有什么好處

寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體極大地影響了使用它們的設(shè)備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導(dǎo)體價(jià)帶的最高占據(jù)態(tài)移動(dòng)到導(dǎo)帶的最低未占據(jù)態(tài)所需的能量。

2022-07-29 15:10:45

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變速驅(qū)動(dòng)器和基于寬帶隙的逆變器技術(shù)的影響

考慮到SiC MOSFET在高壓應(yīng)用中與IGBT相比的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，人們顯然會(huì)為新設(shè)計(jì)選擇寬帶隙組件，尤其是在應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高功率密度和低損耗的情況下。

2022-07-29 08:07:12

508

寬帶隙半導(dǎo)體：GaN 和 SiC 的下一波浪潮

AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會(huì)?用一整天的時(shí)間介紹寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體，特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點(diǎn)是“下一波 GaN

2022-07-29 18:06:26

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寬帶隙半導(dǎo)體：到電動(dòng)汽車及以后

改進(jìn)，從而增強(qiáng)熱管理并減少寄生效應(yīng)。憑借這種對(duì)改進(jìn)的不懈追求，我們正在達(dá)到一個(gè)平臺(tái)，在這個(gè)平臺(tái)上，進(jìn)一步的技術(shù)迭代只能是漸進(jìn)式的。碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN ) 等寬帶隙材料 (WBG) 是硅的絕佳替代品，它們的商業(yè)化和采用被證

2022-08-05 10:28:31

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GaN和SiC等寬帶隙技術(shù)的挑戰(zhàn)

對(duì)硅替代品的探索始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材料技術(shù)的巨大潛力應(yīng)用程序。在新世紀(jì)之初，氮化鎵

2022-08-05 11:58:28

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汽車應(yīng)用中的寬帶隙材料

寬帶隙半導(dǎo)體 (WBG)，例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，與硅相比具有更出色的性能：更高的效率和開(kāi)關(guān)頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV 和 HEV 包括幾個(gè)功率轉(zhuǎn)換階段，累積功率損耗

2022-08-08 10:21:49

768

寬帶隙半導(dǎo)體為通向太空鋪平道路

自硅問(wèn)世以來(lái)，寬帶隙半導(dǎo)體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，這些材料具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)，例如能夠管理高功率水平、對(duì)輻射不敏感、能夠在

2022-08-08 10:57:39

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寬帶隙設(shè)備優(yōu)化電動(dòng)汽車和機(jī)器人的移動(dòng)性和自主性

　　汽車和工業(yè)電子產(chǎn)品需要高性能的解決方案，在降低設(shè)備尺寸的同時(shí)提供能源效率和可靠性。近年來(lái)，隨著成本的下降，氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）器件等寬帶隙半導(dǎo)體已成為這些應(yīng)用中越來(lái)越受歡迎的硅開(kāi)關(guān)替代品。

2022-08-09 08:02:01

578

寬帶隙器件對(duì)于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義

　長(zhǎng)期以來(lái)，硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開(kāi)始，由于摩爾定律的失敗，復(fù)合材料被開(kāi)發(fā)出來(lái)，特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體，因?yàn)樗鼈兝昧酥匾奶匦?，與傳統(tǒng)的硅對(duì)應(yīng)物（如電力電子）相比，它們可以實(shí)現(xiàn)具有卓越性能的器件。

2022-09-11 09:29:00

453

寬帶隙半導(dǎo)體封裝用于高壓來(lái)突出陶瓷基板

? ? ? ?寬帶隙半導(dǎo)體可實(shí)現(xiàn)高壓（10kv及以上）開(kāi)關(guān)。因此，需要新的封裝解決方案來(lái)為此類設(shè)備奠定的基礎(chǔ)。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術(shù)，適用于高達(dá)3.3kv的電壓，但它在較高電壓

2022-09-19 16:29:54

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寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品中具備的優(yōu)勢(shì)——第一部分

2022-11-02 08:16:27

利用超寬帶技術(shù)展示圣經(jīng)

利用超寬帶技術(shù)展示圣經(jīng)

2022-12-26 10:16:17

502

德州儀器 (TI) 寬帶隙解決方案

2022-12-29 10:02:45

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超什么波段？超寬帶！

超什么波段？超寬帶！

2022-12-29 10:02:49

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寬帶隙增強(qiáng)功率轉(zhuǎn)換

2023-01-03 09:45:08

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開(kāi)工大吉！可支持寬帶隙開(kāi)關(guān)器件的電流傳感器提供更高精度、更高效率

兔年大吉玉兔迎春，家和業(yè)興，Allegro祝您開(kāi)工大吉！ ACS37002 今天Allegro為大家介紹一款可支持寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的電流傳感器。從事電動(dòng)汽車和其它新能源行業(yè)設(shè)計(jì)的朋友都會(huì)

2023-02-01 21:30:01

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寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于哪？

集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品，是一個(gè)不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)，可以提供效率和功率密度的改善，在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。WBG具有更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。繼續(xù)閱讀，了解更多關(guān)于基于WBG的半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用。

2023-02-02 16:36:16

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寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展

　　寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、激光器件、光電子器件等領(lǐng)域。

2023-02-16 15:07:08

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碳化硅寬帶隙的重要性

寬帶隙半導(dǎo)體材料（如SiC）與更傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料（如Si）相比具有許多優(yōu)勢(shì)?？紤]帶隙隨著溫度升高而縮小的事實(shí)：如果我們從寬帶隙開(kāi)始，那么溫度升高對(duì)功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙，因此它可以在更高的溫度下繼續(xù)工作，通常高達(dá)400°C。

2023-05-24 11:13:48

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【干貨分享】針對(duì)電機(jī)控制應(yīng)用如何選擇寬帶隙器件？

2023-07-11 09:20:02

309

為什么叫帶隙電壓？電壓型的帶隙與電流型的帶隙的區(qū)別？

之間的關(guān)系，對(duì)于半導(dǎo)體材料的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)都有著非常大的影響。同時(shí)，帶隙也是半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電子器件和光電子器件中的原因之一。在介紹電壓型的帶隙和電流型的帶隙的區(qū)別之前，我們需要先了解一下半導(dǎo)體材料的基本概

2023-09-20 17:41:21

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直接帶隙和間接帶隙的區(qū)別與特點(diǎn)

直接帶隙和間接帶隙的區(qū)別與特點(diǎn)? 半導(dǎo)體材料是廣泛應(yīng)用于電子器件制造和光電子技術(shù)中的重要材料之一。在研究半導(dǎo)體材料性質(zhì)時(shí)，經(jīng)常要關(guān)注材料的電子能帶結(jié)構(gòu)，其中直接帶隙和間接帶隙是兩種常見(jiàn)的帶隙類型

2023-09-20 17:41:24

13635

寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)

本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路

2023-09-21 17:09:32

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功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)柵極電阻選型注意事項(xiàng)

功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)柵極電阻選型注意事項(xiàng)

2023-11-23 16:56:32

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新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率

新的寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率

2023-11-30 18:00:18

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功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)，柵極電阻選型注意事項(xiàng)

2023-11-27 09:16:27

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寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運(yùn)輸行業(yè)

解決方案（火車、飛機(jī)和輪船）。為了控制溫室氣體 (GHG) 排放并減緩全球變暖，我們需要既能最大限度提高效率，又能減少環(huán)境影響的解決方案。寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體具備多種特性，使得其對(duì)交通運(yùn)輸應(yīng)用具有很大吸引力。使用這些半導(dǎo)體可以打造更高效、更快速、更輕巧的汽車，

2024-02-13 16:38:00

805

寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體助力可持續(xù)電動(dòng)汽車電源轉(zhuǎn)換，頂部冷卻(TSC)技術(shù)提升熱性能

制造商努力降低電動(dòng)汽車成本，高效和可持續(xù)的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)對(duì)于滿足日益增長(zhǎng)的需求和電力要求至關(guān)重要。為此，采用寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN

2024-06-27 11:45:15

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Nexperia斥資2億美元加速漢堡工廠寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體研發(fā)與生產(chǎn)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia今日宣布將投入高達(dá)2億美元(折合約1.84億歐元)的資金，以顯著擴(kuò)大其位于德國(guó)漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體研究、開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)能力。此次投資的核心聚焦于下一代

2024-07-15 17:02:37

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寬帶隙和超寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)介紹

評(píng)論