功率器件被稱為功率電子器件，即具有處理高電壓和高電流能力的功率型半導體器件。它是電子部件和電子設備-發電機的統稱。功率放大是晶體管的電流控制效果或FET的電壓控制功能，以將電源轉換為根據輸入信號變化的電流。它主要由電子元器件行業、半導體分立器件和集成電路頁面組成。電力電子用于電力電子設備，如電源、伺服驅動器、變頻器、電機保護器等。

　　優勢：

　　1.設備可以快速恢復，以滿足越來越高的速度需求

　　2.同質壓降降低

　　3.電流控制能力提高

　　4.額定耐壓大

　　5.溫度和功率

　　功率器件是電子器件中功率轉換和電路控制的核心，主要包括二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT；其中，低頻二極管和晶閘管主要用于整流，如晶閘管則主要用于直流輸電領域。MOSFET高頻低功率，主要應用于開關電源、通信電源、影視揚聲器電源等中低壓高頻領域。其中，IGBT具有寬頻率、寬功率，目前主要應用于新能源汽車、光伏風電、充電樁、工業控制、消費電子快速充電等行業，也是價值含量最高、技術壁壘最高的功率器件。

　　目前，功率半導體器件主要基于三種材料：Si，SiC和GaN。

　　硅功率器件是主流，最重要的原因是成本。Si材料的擊穿電壓是三者中最低的，而SiC和GaN是寬帶隙半導體材料，具有較高的帶隙和較高的擊穿電壓。

　　高擊穿電壓的特性使得SiC和GaN在大功率和超高壓控制中的應用更具前景。但由于產業鏈協調發展階段不同，與成熟的硅產業鏈相比，SiC和GaN在技術水平和供應規模上遠不及Si材料，這使得SiC和GaN在成本上難以與Si行業競爭。它們只能應用于某些特定的、非成本優先的特殊領域。一般來說，SiC和GaN器件主要用于高壓和高頻電路。

　　就特性而言，功率器件可分為可控和不可控。不受控制的設備無法控制信號流;可控設備可分為部分可控和完全可控。晶閘管大多是部分可控器件（注：完整的晶閘管系列也有完全可控型），而MOSFET、IGBT和BJT可以根據需要完全實現信號控制。

　　由SiC材料制成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作溫度可達500°C以上，可提供在極端環境下工作的電子系統;由于其高飽和電子速度和高臨界擊穿場強，也是微波和高頻元件的良好材料;由SiC材料制成的各種類型的MOS器件在耐壓指數和溫度指數方面已經達到了硅MOS器件無法達到的水平，是非常重要的功率器件類型。隨著SiC材料的成長和器件制造技術的不斷成熟，越來越多的SiC電子產品將進入應用領域。

　　功率器件幾乎應用于所有電子制造行業，包括筆記本電腦、PC、服務器、顯示器和計算機領域的各種外圍設備;手機、電話機等終端和辦公設備在網絡通信領域。

　　綜合雪球、與非網整合

　　審核編輯：郭婷