功率MOSFET管
自1976年開發出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
1870 MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。本文探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。
2016-12-15 16:00:3417031 
功率場效應管自身擁有眾多優點，但是MOSFET管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應用場合，所以在應用功率MOSFET對必須為其設計合理的保護電路來提高器件的可靠性。功率MOSFET保護電路主要有以下幾個方面：
2018-12-25 09:43:009378 
功率電路中常用垂直導電結構的MOSFET(還有橫向導電結構的MOSFET，但很少用于耐高壓的功率電路中)，如下圖是這種MOSFET的分層結構圖。
2023-02-16 11:25:471304 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
導致電壓尖脈沖、輻射和傳導EMI增加。為選擇正確的柵極驅動阻抗以滿足導通di/dt 的需求，可能需要進行電路內部測試與驗證，然后根據MOSFET轉換曲線可以確定大概的值 (見圖3)。假定在導
2018-08-27 20:50:45
MOSFET及MOSFET驅動電路基礎
2021-02-25 06:05:27
具備控制功率小、開關速度快的特點，廣泛應用于低中高壓的電路中，是功率半導體的基礎器件。在如今興起的新能源電動車中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽車電子中的核心元件，汽車引擎、驅動系統
2023-02-21 15:53:05
功率mosfet 在中國IC市場中有很大的市場，2010年預計整個MOSFET的市場收益大于160億。主要的應用使數據處理如： 臺式電腦，筆記本，還有家電，汽車和工業控制。。功率MOSFET 按分裝
2011-03-07 14:30:04
分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
，和推薦的印制電路板(PCB)占用面積。在為應用選擇合適的器件時，首先從最大額定值表開始考慮。最大額定值表中指定了最大漏源電壓和柵源電壓。這是在決定一個功率MOSFET是否適用于設計時首先要看的地方。例如，智能手機
2018-10-18 09:13:03
本資料主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，對驅動電路進行了
2019-03-01 15:37:55
功率MOSFET的感性負載關斷過程和開通過程一樣，有4個階段，但是時間常數不一樣。驅動回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內部的柵極電阻
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關損耗。開關損耗內容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關斷過程和和關斷損耗。功率MOSFET及驅動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
一、功率MOSFET的正向導通等效電路1）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
不同，對測量結果的影響非常大。IAR和EAR的測試電路和單脈沖雪崩電流以及單脈沖雪崩能量一樣，中、低功率MOSFET使用去耦測量電路，高壓功率MOSFET使用非去耦測量電路，只是在測試過程中使用多個重復
2017-09-22 11:44:39
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
針對采用單片集成功率 MOSFET 的 DC/DC 轉換器解決方案上，探討使用控制器驅動分立式高、低側功率 MOSFET 對的 DC/DC 穩壓器電路適用的 EMI 的抑制技術，到底有哪些具體要求？
2019-09-10 15:18:08
具有廣泛的保護功能，可增強系統的安全性和可靠性。當驅動器溫度高于內置熱折返保護觸發點時，AL1697開始降低輸出電流。
特性
兩種內部高壓MOSFET選項：用于超級結的RDSON 4Ω和1.8
2023-10-12 15:09:18
產品描述 QQ289 271 5427 DP950XB系列是高度集成的恒流LED功率開關， 芯片采用了準諧振的工作模式，無需輔助繞組檢測 消磁。同時內部集成有高壓500V功率MOSFET和 高壓自供
2019-09-27 15:10:01
概述 FM7318A是內置高壓功率MOSFET的電流模式PWM控制芯片，適用于全電壓18W離線式反激開關電源，具有高性能、低待機功耗、低成本的優點。 為了保證芯片正常工作，FM7318A針對
2020-07-06 10:57:25
`光電耦合器IGBT驅動TLP250的結構和使用方法，給出了其與功率MOSFET和DSP控制器接口的硬件電路圖。在闡述IRF840功率MOSFET的開關特性的基礎上，設計了吸收回路。最后結合直流斬波
2012-06-14 20:30:08
IPS5451是美國國家半導體公司生產的一款高壓側功率MOSFET開關，它為單列5腳封裝，工作電壓50V，電流35A，Rds(on) 25m歐姆。
2021-04-23 07:32:01
LLC電路簡介LLC，即半橋諧振電路，隨著開關電源功率密度的增加，需要我們不斷增加開關頻率，以減小變壓器和濾波器等器件的尺寸。但是過高的開關損耗成為高頻的障礙，因此諧振開關技術得到了很大發展，LLC
2019-09-17 09:05:04
NCP5181BAL36WEVB，NCP5181,36 W鎮流器評估板。 NCP5181是一款高壓功率MOSFET驅動器，提供兩路輸出，用于直接驅動2個N溝道功率MOSFET，這些功率MOSFET
2019-10-12 10:29:07
模塊電源的開關頻率來降低驅動損耗，從而進一步提高輕負載條件下的效率，使得系統在待機工作下，更節能，進一步提高蓄電池供電系統的工作時間，并且還能夠降低EMI的輻射問題;2.通過降低、來減少MOSFET
2019-09-25 07:00:00
N+區，作為功率MOSFET導通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導通電阻功能分開，分別設計在不同的區域，就可以實現上述的要求。基于超結SuperJunction的內建橫向電場的高壓功率MOSFET
2017-08-09 17:45:55
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
變速驅動的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導體驅動IC應用
2021-04-21 07:06:40
程中導致開關電流升高。 盡管超結MOSFET開關管優化過的體硅二極管大幅降低了能耗，但IGBT還是能夠利用共同封裝的超快速二極管降低導通能耗。 在低功率壓縮機驅動電路內，意法半導體最新超結MOSFET
2018-11-20 10:52:44
時，考慮了激光調整，以防止激光熱量的注入影響整個晶體管的工作。應用混合信號制造技術而不影響可制造性成本。總結在批量生產中使用激光修整已經進行了多年。在高壓超結功率MOSFET的情況下，采用這種制造技術是獨特且開創性的。它不僅為設計人員追求電路優化開辟了許多新方法，而且這種微調選項可用于大批量生產。
2023-02-27 10:02:15
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
的功率耗散和允許環境溫度通過計算得出。當允許的環境溫度達到或略高于我們所期望的機箱內最高溫度時（機箱內安裝了電源及其所驅動的電路），這個過程就結束了。 迭代過程始于為每個MOSFET假定一個結溫，然后
2021-01-11 16:14:25
功率三極管（GTR）來做比較的：優點—開關速度快、輸入阻抗高、驅動方便等；缺點—難以制成高電壓、大電流型器件，這是因為耐壓高的功率 MOSFET 的通態電阻較大的緣故。言歸正傳，下面來看看具體如何選型
2019-11-17 08:00:00
問題：如何通過驅動高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
變壓器耦合方式來實現對高壓功率開關器件的激勵和輸入級與輸出級之間的隔離，同時還兼有對功率開關器件關斷時，施加反向偏置，來加速器件的關斷。當驅動MOSFET器件時，常規的驅動電路是用一個驅動變壓器實現
2009-10-24 09:30:11
怎么實現MOSFET的半橋驅動電路的設計？
2021-10-11 07:18:56
HiperLCS是一款集成了多功能控制器、高壓端和低壓端柵極驅動以及兩個功率MOSFET的LLC半橋功率級。圖1（上）所示為采用HiperLCS器件的功率級結構簡圖，其中LLC諧振電感集成在變壓器中
2019-03-07 14:39:44
設計角度，討論如何降低電路 EMI。為提高開關電源的功率密度，電源工程師首先想到的辦法是選擇開關頻率更高的 MOSFET,通過提高開關速度可以顯著地減小輸出濾波器體積，從而在單位體積內可實現更高的功率
2020-10-10 08:31:31
摘要：針對橋式拓撲功率MOSFET因柵極驅動信號振蕩產生的橋臂直通問題，給出了計及各寄生參數的驅動電路等效模型，對柵極驅動信號振蕩的機理進行了深入研究，分析了驅動電路各參數與振蕩的關系，并以此為依據
2018-08-27 16:00:08
的寄生電容和以下的因素相關：? 溝道的寬度和溝槽的寬度? G極氧化層的厚度和一致性? 溝槽的深度和形狀? S極體-EPI層的摻雜輪廓? 體二極管PN結的面積和摻雜輪廓高壓平面功率MOSFET的Crss由
2016-12-23 14:34:52
功率MOSFET來說，通常連續漏極電流是一個計算值。當器件的封裝和芯片的大小一定時，如對于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
AN1315，用于三相電機驅動的L6386 MOSFET功率驅動器評估板。 L6386，用于三相電機驅動的MOSFET功率驅動器。三相演示板是用于評估和設計高壓柵極驅動器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
控雙極性晶體管IGBTIGBT晶體管是集GP與MOSFET二者優點于一體的復合器件，既有MOSFET輸入阻抗高、速度快、開關損耗小、驅動電路簡單、要求驅動功率小、極限工作溫度高、易驅動的特點穩定運行直流
2018-11-27 11:04:24
供電，其中輸入電壓V在直接來自總線電壓。這可能會有很大的電壓變化，包括由于應用環境而導致的高壓尖峰。耗盡型MOSFET可用于在線性穩壓器電路中實現浪涌保護，如圖5所示。MOSFET 以源極跟隨器配置連接
2023-02-21 15:46:31
運放正負12伏供電，運放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運放反饋端，我想把運放個mosfet進行隔離，求方案。求器件。整個原理其實就是運放控制mosfet實現電流源。
2018-08-02 08:55:51
設計角度，討論如何降低電路EMI。為提高開關電源的功率密度，電源工程師首先想到的辦法是選擇開關頻率更高的MOSFET,通過提高開關速度可以顯著地減小輸出濾波器體積，從而在單位體積內可實現更高的功率等級
2020-10-21 07:13:24
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
等級，同時，在器件導通時，形成一個高摻雜N+區，作為功率MOSFET導通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導通電阻功能分開，分別設計在不同的區域，就可以實現上述的要求。基于超結
2018-10-17 16:43:26
。在此基礎上，本文繼續探討使用控制器驅動分立式高、低側功率 MOSFET 對的 DC/DC 穩壓器電路適用的 EMI 的抑制技術。使用控制器（例如圖 1 所示同步降壓穩壓器電路中的控制器）的實現方案具有諸多優點
2022-11-09 08:02:39
極電流，驅動電路簡單，需要的驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性優于GTR， 但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 功率MOSFET的結構和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
本文分析了功率MOSFET 對驅動電路的要求，對電路中的正弦波發生電路，信號放大電路和兩路隔離輸出變壓器進行了設計。仿真和試驗結果證明了所設計驅動電路的可行性。關
2009-06-18 08:37:15
59 功率MOSFET驅動電路分析:針對功率MOSFET的特點，介紹由多個—概管組成的組臺式驅動電路．在逆變焊接電源上做了實驗．驗證了該方法的合理性。關鍵詞：功率MOSFET，半橋式電路，
2010-04-12 08:36:5470 摘要：介紹了一種用于功率MOSFET的諧振柵極驅動電路。該電路通過循環儲存在柵極電容中的能量來實現減少驅動功率損耗的目的，從而保證了此驅動電路可以在較高的頻率下工作。
2010-05-04 08:38:1253 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅動電路和在動態開關模式下的并聯均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態及動態特性，然后根據功率MOSFET對驅動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 功率MOSFET的隔離式柵極驅動電路
2009-04-02 23:36:182182 
高壓變壓器驅動電路
高壓變壓器驅動電路采用單端驅動工作方式，這種電路簡單、工作可靠性高。功率管由
2009-08-07 21:19:494412 
IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用及原理
通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討
2009-10-09 09:56:011851 
IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用研究
IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 15:43:50743 
MOSFET與MOSFET驅動電路原理及應用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的
2009-12-29 10:41:099784 用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 本內容提供了功率MOSFET與高壓集成電路的知識概括。眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅動功率，且開關速度優異。可以說具有理想開關的特性。其主要缺點是開
2011-07-22 11:28:47235 本文介紹了專用驅動芯片組UC3724的主要特點和原理, 并對其構成的功率MOSFET驅動電路進行了分析和實驗實驗結果表明, 該集成驅動電路具有開關速度快, 且能滿足驅動所需的功率, 是一種
2011-09-14 17:34:39114 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:004947 
功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅動與保護電路的設計要求；計算了MOSFET驅動器的功
2012-03-05 15:56:44134 分析了對功率MOSFET器件的設計要求；設計了基于EXB841驅動模塊的功率MOSFET驅動保護電路。該電路具有結構簡單，實用性強，響應速度快等特點。在電渦流測功機勵磁線圈驅動電路中的實
2012-03-14 14:23:48221 功率場效應晶體管由于具有諸多優點而得到廣泛的應用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅動與保護電路的設計要求；計算了MOSFET驅動器的功
2012-10-10 16:32:583880 
功率MOSFET驅動和保護電路，以及其的相關應用。
2016-04-26 16:01:467 采用集成高壓MOSFET和Qspeed?二極管的高功率PFC控制器
2016-05-11 15:18:1421 集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅動器設計，感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用及原理，感興趣的小伙伴們可以看看。
2016-07-26 11:11:0026 本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅動電路設計，功率mosfet驅動電路原理圖。
2016-08-04 18:15:3534308 
LCS700-708 HiperLCS?產品系列集成的LLC控制器、高壓功率MOSFET及驅動器
2016-11-23 11:00:160 大功率開關電源中功率MOSFET驅動技術
2017-09-14 09:55:0225 高壓MOSFET驅動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅動一個高壓側功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 的主要功能是將脈寬控制器輸出的可變寬度脈沖進行功率放大，以作為高壓功率開關器件的驅動信號。驅動電路一般都具有隔離作用，常用變壓器耦合方式來實現對高壓功率開關器件的激勵和輸入級與輸出級之間的隔離，同時
2018-09-20 18:26:553032 大功率LED高壓驅動電路,LED driver
關鍵字：大功率LED高壓驅動電路
本電路可驅動5~12只大功率LED，可用于照明場合
2018-09-20 19:50:172470 功率MOSFET通常由PWM或其它模式的控制器IC內部的驅動源來驅動，為了提高關斷的速度，實現快速的關斷降低關斷損耗提高系統效率，在很多ACDC電源、手機充電器以及適配器的驅動電路設計中，通常
2020-06-07 12:01:325064 電源系統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
為解決功率MOSFET因柵極驅動信號振蕩產生的過熱損壞問題，從MOSFET的模型入手，給出了考慮驅動電路各寄生參數的半橋逆變電路等效模型．深入分析了柵極振蕩的產生機理，推導了各參數與振蕩之間的關系
2021-05-10 10:05:3877 為了研究 Boost 變流器中 MOSFET 門極驅動電路的電磁干擾（EMI）發射特性，通過測試將 Boost 變流器門極信號的 EMI 發射與整機 EMI 發射分離。分離的測試結果表明門極電路自身
2021-05-30 09:58:0216 功率MOSFET的驅動電路設計論文
2021-11-22 15:57:3784 傳統的電機驅動解決方案是門級驅動芯片+功率 MOSFET 的架構。對于三相無刷直流電機來說，需要6個外置的 MOSFET 組成三個橋臂來分別驅動每相繞組。在當前電子產品模塊越來越小的發展趨勢下，這種解決方案有個主要缺點：電路板尺寸偏大。
2021-12-16 16:13:384444 
功率 MOSFET 是最常見的功率半導體，主要原因是因為其柵極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度，使其成為電機驅動時最常用的功率半導體。本文將為您簡介功率 MOSFET 的技術特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的產品特性。
2022-09-27 15:17:561407 
本文介紹了三個驅動MOSFET工作時的功率計算 以及通過實例進行計算 輔助MOSFET電路的驅動設計中電流的計算 不是mosfet導通電流 是mosfet柵極驅動電流計算和驅動功耗計算
2022-11-11 17:33:0335 在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005293 
SIC MOSFET對驅動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應用于各種驅動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:49417
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