（三）熱阻網絡設計

前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計算，那么得到了損耗之后，如何轉化為溫升呢？這里就用到了熱等效電路的概念（熱阻網絡），分別將溫度、損耗 P、 熱阻 R 、熱容 *C *等效成電路中的參數，具體如下

因此，如下熱阻網絡的溫升計算為：

(注：幾階熱網絡就對應幾個R，圖中所示為3階熱網絡，熱網絡的階數會影響溫度變化的動態過程。為便于理解，本文主要討論一階熱網絡，不對階數展開討論)

熱網絡設計中有如下幾個參數：

① 損耗：已在第二部分講解；

② 熱阻：分為自熱阻和耦合熱阻。自熱阻的意思是該節點本身產生的單位損耗導致的溫升；耦合熱阻是其他與該節點有熱耦合作用的節點產生的單位損耗導致的溫升；

比如熱網絡中包含A、B節點，對A節點施加損耗Pa，A、B節點對應的溫升分別為 ΔTa、ΔTb?? 。

對于A節點來說，它的自熱阻 Rth_self = ΔTa/Pa ;

對于B節點來說，它與A節點的耦合熱阻 R_AB = ΔTb/ Pa;

③ 階數：階數越大，動態變化過程的誤差越小，但代碼實現也越復雜，計算量越大；本文只討論一階的情況；

④ 節點數：熱網絡中考慮溫度估算的點的個數；

比如逆變器中，U/V/W三相，不考慮相與相之間熱耦合作用，只考慮單相中上下橋臂之間的熱耦合作用，那么節點數為4，分別是上橋IGBT、上橋Diode、下橋IGBT、下橋Diode。

如果考慮相與相之間的熱耦合作用，那么節點數為12個，分別是U相上橋IGBT、U相上橋Diode、U相下橋IGBT、U相下橋Diode、V相上橋IGBT、V相上橋Diode、V相下橋IGBT、V相下橋Diode、W相上橋IGBT、W相上橋Diode、W相下橋IGBT、W相下橋Diode。

以4節點為例，并將其中的上橋IGBT節點拿出來進行自熱阻、耦合熱阻的分析和溫升的計算，則

其他節點類似。