功率MOS場效應晶體管電參數指標中規定的電參數一般分為三大類：直流參數、交流參數和極限參數。直流參數包括：漏源擊穿電壓BVDSS，靜態漏源導通電阻RDS(on)，柵閾值電壓VGS(th)，正向跨導gfs等;交流參數包括：輸入電容Ciss、輸出電容Coss，反向傳遞電容Crss，開關時間ton、ts、tf等；極限參數包括：連續電流ID和脈沖漏電流IDM，最大耗散功率PD，柵源電壓VGS，單脈沖雪崩耐量EAS等。

功率MOS場效應晶體管的設計任務就是根據用戶使用要求，確定主要電學參數指標，設計出滿足參數指標要求的縱向參數、橫向參數和熱學參數。

功率MOS場效應晶體管在實際設計過程中，主要從以下幾個方面進行設計：功率MOS場效應晶體管的結構設計、功率MOS場效應晶體管的主要電參數設計、功率MOS場效應晶體管的工藝設計以及功率MOS場效應晶體管的零部件設計。

由產品電參數指標可知，該產品具有漏源擊穿電壓（BVDSS）、導通電阻低、電流容量高、耗散功率大、抗靜電擊穿能力強等特點。產品具有電壓控制、快開關速度、易并聯以及電參數溫度穩定性高。非常適合應用于開關電源、馬達驅動、逆變器、斬波器、音頻放大器以及高能量脈沖電路。

表1 產品電參數指標（25℃）

柵氧化層厚度和P型體區結構參數:

P型體區摻雜濃度與柵氧化層厚度tox共同受到閾值電壓指標的約束。同時，P型體區摻雜濃度Na和擴散結深也受到器件的溝道穿通電壓限制,應先從滿足漏源擊穿的角度確定出Na的值.

閾值電壓可近似表示為：

其中,QOX為等效地柵氧化層正電荷面密度，具體值由柵氧化工藝條件決定,在設計過程中取QOX=8×10-8C；Nd是多晶硅柵摻雜濃度,在設計過程中取8×1018cm。

柵氧化層厚度越薄，在工藝實施過程中其重復性和均勻性越難保證，而且柵氧化層越厚，柵源、柵漏電容小，器件的頻率特性越好，因此，從上述兩點考慮柵氧化層厚度不宜過薄。但柵氧化層太厚會增大器件的導通電阻，因此在頻率特性與導通電阻兩者之間存在著相互制約的矛盾。

在設計過程中，取器件的柵氧化層的厚度為50nm，我們取Na為3×1017cm-3。經計算,柵氧化層電容COX為6.9×10-8F；P型體區襯底費米勢為0.45V；P型體區表面強反型型最大耗盡層電荷為29.91×10-8C；N型多晶硅與P型體區間功函數差φSS為-0.98V。將上述值代入閾值電壓公式（3）得到閾值電壓Vth=2.95V