本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:09
1026 
成國內(nèi)首條集晶體生長、晶體加工、薄膜外延于一體的
氧化鎵完整產(chǎn)業(yè)線。行業(yè)分析人士表示，
氧化鎵是第四代半導(dǎo)體材料，在市場對性能好、損耗低、
功率密度
高的
功率器件需求不斷釋放背景下，
氧化鎵市場發(fā)展?jié)摿薮?/div>
2023-03-15 11:09:59
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
的大多數(shù)器件不可避免要問的一個(gè)問題，而且通常問的是無源器件，比如濾波器、耦合器和天線。但隨著微波真空管（如行波管（TWT））和核心有源器件（如硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管和氮化鎵
2019-06-21 07:43:10
改進(jìn)控制技術(shù)來降低器件功耗，比如諧振式開關(guān)電源。總體來講，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業(yè)自動(dòng)化場合，功率電子器件已越來越多
2018-05-08 10:08:40
效率低下，發(fā)熱嚴(yán)重。GaN HEMT(氮化鎵晶體管)可以替代高壓高頻電動(dòng)機(jī)應(yīng)用中的MOSFET和IGBT器件，這類參數(shù)比較寬的半導(dǎo)體器件為大功率密度電動(dòng)機(jī)開辟了新的應(yīng)用領(lǐng)域，它們可以處理更高的電壓、電流
2019-07-16 20:43:13
本帖最后由 tmm0717 于 2021-5-21 17:51 編輯
1、產(chǎn)品型號(hào)：ETA4054-SOT23-52、應(yīng)用產(chǎn)品：電子玩具、藍(lán)牙耳機(jī)、鋰電保護(hù)3、產(chǎn)品特點(diǎn)：高耐壓16V4、聯(lián)系：***
2021-05-21 17:47:35
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
充電器變得高效起來，發(fā)熱更低，體積也縮小便于攜帶，推進(jìn)了百瓦大功率充電器的普及，也改變了人們對大功率充電器的印象。但是氮化鎵器件對柵極驅(qū)動(dòng)電壓要求非常敏感，并且對布線要求也很高，這也導(dǎo)致了應(yīng)用門檻較高
2021-11-28 11:16:55
GaN功率集成電路的進(jìn)展:效率、可靠性和自主性
2023-06-19 09:44:30
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動(dòng)態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進(jìn)行了具體分析，并同其他微波器件進(jìn)行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線借助于
2017-08-14 14:41:32
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
硅RF外側(cè)擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)，在3.8GHz范圍內(nèi)具有滿足WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施的輸出功率和線性性能。飛思卡爾面向工業(yè)、科學(xué)以及醫(yī)療(ISM)應(yīng)用的高電壓HV7工藝支持48V工作電壓
2019-07-05 06:56:41
硅RF外側(cè)擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)，在3.8GHz范圍內(nèi)具有滿足WiMAX基礎(chǔ)設(shè)施的輸出功率和線性性能。飛思卡爾面向工業(yè)、科學(xué)以及醫(yī)療(ISM)應(yīng)用的高電壓HV7工藝支持48V工作電壓
2019-07-09 08:17:05
因?yàn)椋瑸榱藨?yīng)對全球共通的 “節(jié)能化”和“小型化”課題，需要高效率高性能的功率元器件。然而，最近經(jīng)常聽到的“功率元器件”，具體來說是基于什么定義來分類的呢？恐怕是沒有一個(gè)明確的分類的，但是，可按以高電壓大功率
2018-11-28 14:34:33
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
相比，能夠以具有更高的雜質(zhì)濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數(shù)千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導(dǎo)通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
技術(shù)而成功研發(fā)，并實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)化。 另外，伴隨著功率元器件的高耐壓化，還開發(fā)了外圍使用的新系列電阻產(chǎn)品，即高耐壓電阻KTR系列。以往在高電壓發(fā)生部位（例：相機(jī)的閃光燈用電壓部，使氙氣型閃光燈瞬時(shí)產(chǎn)生
2018-09-26 09:44:59
作為高等院校脈沖功率技術(shù)專業(yè)師生的教學(xué)參考書。目錄緒論0.1高功率脈沖電源的進(jìn)展0.2能量壓縮的基本概念0.3高功率脈沖電源概述參考文獻(xiàn)第一章 電容儲(chǔ)能高功率脈沖電源1.1引言1.2電容器組放電技術(shù)
2018-04-11 19:18:50
簡介這篇文章闡述了一種被飛思卡爾使用的高功率射頻功放的熱測量方法。半導(dǎo)體器件的可靠性和器件的使用溫度有很大的關(guān)系，因此，建立使用了高功率器件的系統(tǒng)的可靠性模型，這些高功率器件的精確的溫度特性非常關(guān)鍵。
2019-06-27 07:52:25
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣
2019-07-31 07:54:41
的設(shè)計(jì)和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計(jì)，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級(jí)為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]與砷化鎵和磷化銦等高頻工藝相比，氮化鎵器件輸出的功率更大；與LDCMOS和碳化硅（SiC）等功率工藝相比，氮化鎵的頻率特性更好。氮化鎵器件的瞬時(shí)
2019-07-08 04:20:32
阻，電容器，肖特基勢壘二極管以及電感等少量的外置元器件，可簡單地構(gòu)建高性能的高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。因?yàn)槭请娏髂Ｊ娇刂疲裕辔谎a(bǔ)償簡單，可獲得高速的瞬態(tài)響應(yīng)。開關(guān)頻率可在50kHz～750kHz
2018-12-05 10:00:48
的材料特性，各自都有各自的優(yōu)點(diǎn)和不成熟處，因此在應(yīng)用方面有區(qū)別 。一般的業(yè)界共識(shí)是：SiC適合高于1200V的高電壓大功率應(yīng)用；GaN器件更適合于40-1200V的高頻應(yīng)用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
E5270-6- 使用外部直流電源評(píng)估高功率器件
2019-09-12 06:47:42
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號(hào)1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
基于UC3854B的高功率因數(shù)電源的研制
2012-05-21 17:30:37
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
高耐壓降壓型電源芯片ZCC2451完全替代MP2451 產(chǎn)品特點(diǎn)：·230uA工作靜態(tài)電流·3.3 V至36 V寬工作電壓范圍·500mΩ的內(nèi)部功率MOSFET·2 MHz固定開關(guān)頻率·無采樣電阻的精密電流限制·> 90%的效率·輸出從+ 0.8 V到0.8 x Vin可調(diào)·低關(guān)機(jī)模式電流:
2020-01-16 13:40:13
砷化鎵功率二極管是寬帶隙半導(dǎo)體器件，其性能僅為碳化硅（SiC）的70%左右。本文對10kW LLC轉(zhuǎn)換器中GaAs、SiC和超快硅二極管的性能進(jìn)行基準(zhǔn)測試，該轉(zhuǎn)換器也常用于高效電動(dòng)汽車充電
2023-02-21 16:27:41
射頻放大器的首選器件。隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個(gè)重要參數(shù)，它不僅決定了其輸出功率，還決定了器件的耐壓
2019-07-31 07:30:42
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-05 10:01:25
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
通過低內(nèi)阻和高開關(guān)速度，減小了損耗，降低了散熱要求。變壓器的縮小，以及無需散熱措施，氮化鎵的應(yīng)用大幅減小了充電器的體積。鋰電池作為現(xiàn)代便攜設(shè)備的主要能量來源，出貨量非常巨大。隨著現(xiàn)在手機(jī)和平板大功率快充
2023-02-21 16:13:41
SiC功率器件和高溫器件（包括用于噴氣式引擎的傳感器）。西屋公司已經(jīng)制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻的MESFET。ABB公司正在研制高功率、高電壓的SiC整流器和其他SiC低頻功率器件，用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。
2019-03-03 07:00:00
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時(shí)間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時(shí)的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運(yùn)輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
、開關(guān)速度和可靠性都在不斷提高。這些器件已成功解決低電壓(低于100伏)或高電壓容差(IGBT和超結(jié)器件)中的效率和開關(guān)頻率問題。然而，由于硅的限制，因此無法在單個(gè)硅功率FET中提供所有這些功能。寬帶隙
2018-11-20 10:56:25
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
滿足軍方對小型高功率射頻器件的需求，WBST 計(jì)劃在一定程度上依托早期氮化鎵在藍(lán)光 LED 照明應(yīng)用中的成功經(jīng)驗(yàn)。為了快速跟蹤氮化鎵在軍事系統(tǒng)中的應(yīng)用，WBST 計(jì)劃特準(zhǔn)計(jì)劃參與方深耕 MMIC 制造
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
不易損傷，不燃性結(jié)構(gòu)涂裝3、選用高品質(zhì)瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型電阻氧化膜電阻的缺點(diǎn) 氧化膜電阻在直流下容易發(fā)生電解使氧化物還原，性能不太穩(wěn)定。耐壓較低。用真空鍍膜或者陰極濺射工藝，將
2013-07-15 16:49:07
、電流大。IGBT有望用于直流電壓為1500V的高壓變流系統(tǒng)中。目前，已研制出的高功率溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT(Trench IGBT)是高耐壓大電流IGBT器件通常采用的結(jié)構(gòu)，它避免了模塊內(nèi)部大量的電極引線
2017-11-07 11:11:09
（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大。IGBT有望用于直流電壓為1500V的高壓變流系統(tǒng)中。目前，已研制出的高功率溝槽柵結(jié)構(gòu)IGBT(Trench IGBT)是高耐壓大電流IGBT器件通常采用
2017-05-25 14:10:51
不易損傷，不燃性結(jié)構(gòu)涂裝3、選用高品質(zhì)瓷棒制作小型品以替代大尺寸高功率的一般型電阻氧化膜電阻的缺點(diǎn) 氧化膜電阻在直流下容易發(fā)生電解使氧化物還原，性能不太穩(wěn)定。耐壓較低。用真空鍍膜或者陰極濺射工藝，將
2013-07-15 16:47:00
電子模擬功率負(fù)載的研制
2012-08-15 13:57:25
硅效率在該應(yīng)用中非常差。由于測量到的高緩沖功率水平，超快硅測試僅限于低功率。砷化鎵和碳化硅緩沖功率表現(xiàn)出類似的行為，表明砷化鎵有限Trr引起的額外損耗在很大程度上被SiC器件較高的原生電容所抵消。圖
2023-02-22 17:13:39
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氧化物半導(dǎo)體（Si LDMOS，Lateral Double-diffused Metal-oxideSemiconductor）和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段
2019-04-13 22:28:48
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
繼電保護(hù)測試儀用高電壓功率放大電路的研制，大功率 高帶寬電壓！！！
2013-07-16 13:04:25
原理下，隨著微細(xì)加工技術(shù)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)了開關(guān)更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領(lǐng)域中，微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入滯后數(shù)年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。但是，通過微細(xì)化可以改善的性能僅限于100V
2019-07-08 06:09:02
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程嗎？然后提取參數(shù)想基于candence model editor進(jìn)行氮化鎵器件的建模，有可能實(shí)現(xiàn)嗎？求教ICCAP軟件呢？
2019-11-29 16:04:02
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強(qiáng)大的高壓氮化鎵功率芯片平臺(tái)的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進(jìn)行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
功率密度33W PD解決方案: MK2787/MK2788特性介紹:高耐壓: MK2788 110V Vcc 耐壓，無需穩(wěn)壓電路低應(yīng)力: 專利軟驅(qū)技術(shù)，有效降低原副邊功率管應(yīng)力高集成度: 集成650V
2021-11-12 11:53:21
的晶體管”。 伊斯曼和米什拉是對的。氮化鎵的寬帶隙（使束縛電子自由斷裂并有助于傳導(dǎo)的能量）和其他性質(zhì)讓我們能夠利用這種材料承受高電場的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化鎵是固態(tài)射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域
2023-02-27 15:46:36
將功率MOSFET外置的DC/DC轉(zhuǎn)換器控制器IC和高耐壓MOSFET相組合，可以構(gòu)成高耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器。然而，非單體元器件、而是作為一個(gè)IC實(shí)現(xiàn)80V的高耐壓，則需要高超的制造工藝技術(shù)。用于制造
2018-12-03 14:44:01
功率。導(dǎo)通電阻為30毫歐姆的硅MOSFET或氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管）單元也會(huì)耗散相同的功率，正如前面所述。如今，1200 V的器件很容易達(dá)到這一數(shù)字，比如額定電流為60A、裸片電阻為20毫
2023-02-05 15:16:14
VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu)，將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個(gè)新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個(gè)管芯包括幾千個(gè)元胞
2009-12-21 10:52:24
40 除了少部分其他應(yīng)用之外, 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在功率管理系統(tǒng)中幾乎都用作開關(guān)。這種應(yīng)用引發(fā)了大量的MOSFET技術(shù)創(chuàng)新，并為滿足應(yīng)用的需要推出種類繁多的
2006-03-11 13:44:18611 
一種低高度高耐壓繼電器的研制 1 引言
根據(jù)IEC335《家用及類似用途電器的安全》、IEC730《家用及類似用途電自動(dòng)控制器的
2009-12-08 09:23:15771 基于LPC2119的微弧
氧化電源控制系統(tǒng)的
研制
摘 要:本文介紹了一種自行
研制的微弧
氧化電源控制系統(tǒng)，硬件部分采用philips公司的基于ARM的LPC2119處理器代替?zhèn)?/div>
2010-01-12 09:31:482067 
近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637 近日，中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室（四室）碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進(jìn)展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922 設(shè)計(jì)指南-熱功率器件設(shè)計(jì)中的幾點(diǎn)思考
2018-06-23 11:00:003239 白板向?qū)?熱功率器件設(shè)計(jì)中的幾點(diǎn)思考視頻教程
2018-06-26 07:35:004008 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。
2018-09-30 14:36:333921 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院周弘副教授總結(jié)了目前氧化鎵半導(dǎo)體功率器件的發(fā)展?fàn)顩r。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質(zhì)量外延層生長、高性能二極管以及場效應(yīng)晶體管的研制進(jìn)展。同時(shí)對氧化鎵低熱導(dǎo)率特性的規(guī)避提供了可選擇的方案，對氧化鎵未來發(fā)展前景進(jìn)行了展望。
2019-01-10 15:27:1015118 
從器件的角度來看， Ga 2 O 3 的Baliga品質(zhì)因子要比SiC高出二十倍。對于各種應(yīng)用來說，陶瓷氧化物的帶隙約為5eV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于SiC和GaN的帶隙，后兩者都不到到3.5eV。因此，這種陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作電壓，導(dǎo)通電阻也更低。
2020-10-12 15:58:034956 FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越（Si的帶隙值(eV) 為1.1，SiC為3.3， Ga2O3為5.3 。
2022-07-28 11:22:551281 功率器件的選擇要根據(jù)應(yīng)用環(huán)境、工作條件和性能要求等因素進(jìn)行綜合考慮。首先，要考慮功率器件的工作溫度范圍，以確定功率器件的耐溫性能。其次，要考慮功率器件的電壓等級(jí)，以確定功率器件的耐壓性能。此外，還要考慮功率器件的封裝形式，以確定功率器件的散熱性能。最后，要考慮功率器件的成本，以確定功率器件的性價(jià)比。
2023-02-16 14:11:10419 間的氣體空隙，減小界面接觸熱阻，因而在功率器件熱管理中發(fā)揮著重要的作用。本文綜述了近年來國內(nèi)外熱界面材料的研究進(jìn)展，包括單一基體的熱界面材料、聚合物基復(fù)合熱界面材料和
2022-11-04 09:50:18896 
碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng)，相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級(jí)、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢，有助于實(shí)現(xiàn)新能源車電力電子驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)輕量化、高 效化。
2023-08-02 10:49:59363 三菱電機(jī)公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個(gè)很有前途的候選者。三菱電機(jī)打算加快開發(fā)優(yōu)質(zhì)節(jié)能功率半導(dǎo)體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30301 
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