片150mm晶圓的消耗量，這里還未統計其他手機制造商對功率器件、其他平臺對光電子應用的需求量。碳化硅（SiC）應用持續升溫150mm晶圓的另一突出應用領域是SiC功率MOSFET。如今，SiC功率
2019-05-12 23:04:07
` 誰來闡述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
誰來闡述一下mosfet是電壓型器件嗎
2019-10-25 15:58:03
在庫存回補需求帶動下，包括環球晶、臺勝科、合晶、嘉晶等硅晶圓廠第二季下旬出貨續旺，現貨價出現明顯上漲力道，合約價亦確認止跌回升。 新冠肺炎疫情對半導體材料的全球物流體系造成延遲影響，包括晶圓
2020-06-30 09:56:29
` 晶圓級封裝是一項公認成熟的工藝，元器件供應商正尋求在更多應用中使用WLP，而支持WLP的技術也正快速走向成熟。隨著元件供應商正積極轉向WLP應用，其使用范圍也在不斷擴大?！ ∧壳坝?種成熟
2011-12-01 14:33:02
有沒有能否切割晶圓/硅材質濾光片的代工廠介紹下呀
2022-09-09 15:56:04
`晶圓切割目的是什么？晶圓切割機原理是什么？一.晶圓切割目的晶圓切割的目的，主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離。首先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
簡單的說晶圓是指擁有集成電路的硅晶片,因為其形狀是圓的,故稱為晶圓.晶圓在電子數碼領域的運用是非常廣泛的.內存條、SSD，CPU、顯卡、手機內存、手機指紋芯片等等，可以說幾乎對于所有的電子數碼產品
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本階段：晶圓制造（材料準備、長晶與制備晶圓）、積體電路制作，以及封裝。晶圓制造過程簡要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圓制造的基礎知識，適合入門。
2014-06-11 19:26:35
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
圖為一種典型的晶圓級封裝結構示意圖。晶圓上的器件通過晶圓鍵合一次完成封裝，故而可以有效減小封裝過程中對器件造成的損壞?！ D1 晶圓級封裝工藝過程示意圖 1 晶圓封裝的優點 1）封裝加工
2021-02-23 16:35:18
` 誰來闡述一下晶圓有什么用？`
2020-04-10 16:49:13
本人想了解下晶圓制造會用到哪些生產輔材或生產耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圓的制造過程是怎樣的？
2021-06-18 07:55:24
` 硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導體的材料，經過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
`晶圓的結構是什么樣的？1 晶格：晶圓制程結束后，晶圓的表面會形成許多格狀物，成為晶格。經過切割器切割后成所謂的晶片 2 分割線：晶圓表面的晶格與晶格之間預留給切割器所需的空白部分即為分割線 3
2011-12-01 15:30:07
晶圓級封裝技術源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動。1964年，美國IBM公司在其M360計算器中最先采用了FCOB焊料凸點倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
Plane）：圖中的剖面標明了器件下面的晶格構造。此圖中顯示的器件邊緣與晶格構造的方向是確定的。（6）晶圓切面／凹槽（Wafer flats／notche）：圖中的晶圓有主切面和副切面，表示這是一個 P 型 晶向的晶圓（參見第3章的切面代碼）。300毫米晶圓都是用凹槽作為晶格導向的標識。
2020-02-18 13:21:38
晶圓針測制程介紹 晶圓針測（Chip Probing；CP）之目的在于針對芯片作電性功能上的 測試（Test），使 IC 在進入構裝前先行過濾出電性功能不良的芯片，以避免對不良品增加制造成
2020-05-11 14:35:33
`159-5090-3918回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，回收6寸晶圓，8寸晶圓，12寸晶圓，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
請問有人用過Jova Solutions的ISL-4800圖像測試儀嗎，還有它可否作為CIS晶圓測試的tester，謝謝！
2015-03-29 15:49:20
。正因為這些優點，也驅使半導體制造公司不斷的采取新的工藝，追求更低的工藝尺寸，來提升半導體器件的性能、降低功耗。圖2：變形的平面橫向導電MOSFET結構圖2右上角為平面MOSFET的結構，實際的結構稍微變形
2017-01-06 14:46:20
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]該TDM31066采用先進的溝槽技術[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進的溝槽技術◆40V/ 100A[tr]提供優異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
= 25 V，高溫柵極偏壓（HTGB）應力測試在175°C下在77個器件上執行，從三個不同的晶圓批次到2300小時。觀察到可忽略的偏差?！ ×硪粋€被證明長期穩定的參數設置是MOSFET的阻斷電壓和關斷狀態
2023-02-27 13:48:12
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
更大直徑的晶圓，一些公司仍在使用較小直徑的晶圓。半導體硅制備半導體器件和電路在半導體材料晶圓的表層形成，半導體材料通常是硅。這些晶圓的雜質含量必須非常低，必須摻雜到指定的電阻率水平，必須是制定
2018-07-04 16:46:41
納米到底有多細微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
的輔助。 測試是為了以下三個目標。第一，在晶圓送到封裝工廠之前，鑒別出合格的芯片。第二，器件/電路的電性參數進行特性評估。工程師們需要監測參數的分布狀態來保持工藝的質量水平。第三，芯片的合格品與不良品
2011-12-01 13:54:00
` 晶圓電阻又稱圓柱型精密電阻、無感晶圓電阻、貼片金屬膜精密電阻、高精密無感電阻、圓柱型電阻、無引線金屬膜電阻等叫法;英文名稱是：Metal Film Precision Resistor-CSR
2011-12-02 14:57:57
`晶圓級封裝(WLP)就是在其上已經有某些電路微結構（好比古董）的晶片（好比座墊）與另一塊經腐蝕帶有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化學鍵結合在一起。在這些電路微結構體的上面就形成了一個帶有密閉空腔的保護
2011-12-01 13:58:36
半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅
2021-07-23 08:11:27
電源管理ICTDM3412雙路N溝道增強型MOSFET 描述：TDM3412采用先進的溝槽技術，提供出色的RDS（ON）和低柵極電荷。 這個器件適合用作負載開關或PWM應用。一般描述：?頻道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
1、為什么晶圓要做成圓的？如果做成矩形，不是更加不易產生浪費原料？2、為什么晶圓要多出一道研磨的工藝？為什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅動電路簡單，驅動的功率小，而且開關速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結構有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
單晶的晶圓制造步驟是什么？
2021-06-08 06:58:26
, such as “N-type” and “P-type”.導電類型 - 晶圓片中載流子的類型，N型和P型。Contaminant, Particulate (see light point defect)污染微粒 （參見
2011-12-01 14:20:47
晶圓劃片 (Wafer Dicing )將晶圓或組件進行劃片或開槽，以利后續制程或功能性測試。提供晶圓劃片服務，包括多項目晶圓(Multi Project Wafer, MPW)與不同材質晶圓劃片
2018-08-31 14:16:45
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:43:15
``揭秘切割晶圓過程——晶圓就是這樣切割而成芯片就是由這些晶圓切割而成。但是究竟“晶圓”長什么樣子，切割晶圓又是怎么一回事，切割之后的芯片有哪些具體應用，這些可能對于大多數非專業人士來說并不是十分
2011-12-01 15:02:42
`各位大大:手頭上有顆晶圓的log如下:能判斷它的出處嗎?非常感謝!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圓劃片或晶圓分撿裝盒合作加工廠聯系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
隨著集成電路設計師將更復雜的功能嵌入更狹小的空間，異構集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術的一種更為實用且經濟的方式。作為異構集成平臺之一，高密度扇出型晶圓級封裝技術正獲得越來越多
2020-07-07 11:04:42
看到了晶圓切割的一個流程，但是用什么工具切割晶圓？求大蝦指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區別嗎？其實二者是一個概念。集成電路（IC）是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法
2011-12-02 14:30:44
結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以發現，超結型結構實際是綜合了平面型和溝槽型結構兩者的特點，是在平面型結構中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結構的高耐壓和溝槽型結構低電阻的特性。內建橫向
2018-10-17 16:43:26
晶圓測溫系統，晶圓測溫熱電偶，晶圓測溫裝置一、引言隨著半導體技術的不斷發展，晶圓制造工藝對溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測量設備，在晶圓制造中具有重要的應用價值。本文
2023-06-30 14:57:40
1）更高集成的功率場效應管——溝槽結構器件2）溝槽型功率管參數的提升3）溝槽型功率管在工程實踐中的運用
2010-06-28 08:39:27
22 全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ
2009-11-02 09:16:32
947 近日，中芯晶圓的首批8英寸（200mm）半導體硅拋光片順利下線，自打下第一根樁，到第一批硅片產出，杭州中芯晶圓僅用了16個月的時間。
2019-07-04 17:42:333568 捷捷微電首批具有高浪涌防護能力的六英寸晶圓于 2022 年 3 月 26 日產出下線，良率高達 97.79%。
2022-03-31 16:17:592556 在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211381 
60 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:580 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002KQB
2023-02-15 19:23:530 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BSH205G2A
2023-02-17 19:19:450 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB8XN
2023-02-20 19:36:100 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-2N7002NXBK
2023-02-20 19:44:550 20 V、4 A P 溝道溝槽 MOSFET-PMV32UP
2023-02-23 19:24:460 在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
20 V、2 A P 溝道溝槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-BSH205G2
2023-02-27 19:07:560 20 V，單個 N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB23XNE
2023-03-02 22:22:270 20 V，單個 N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB10XNE
2023-03-02 22:23:100 20 V、雙 N 溝道溝槽 MOSFET-PMDPB30XN
2023-03-02 22:24:160 20 V，互補溝槽 MOSFET-PMCPB5530X
2023-03-02 22:47:460 30 V、單 N 溝道溝槽 MOSFET-PMZB370UNE
2023-03-02 22:48:350 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMXB43UNE
2023-03-02 22:51:030 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV50XP
2023-03-02 22:52:300 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV30UN2
2023-03-02 22:53:330 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMN42XPEA
2023-03-02 22:56:290 20 V、單 P 溝道溝槽 MOSFET-PMN27XPEA
2023-03-02 22:56:450 20 V 雙 P 溝道溝槽 MOSFET-PMDPB85UPE
2023-03-02 22:57:370 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:170 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV28UNEA
2023-03-03 19:34:280 60 V N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB40SNA
2023-03-03 20:08:232 溝槽柵結構是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側壁上形成MOSFET柵極的一種結構。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區
2023-04-27 11:55:023037 
SiC具有高效節能、穩定性好、工作頻率高、能量密度高等優勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關損耗、低導通損耗、快速開關速度等特點
2023-12-27 09:34:56475 
一汽弗迪電池項目再創行業里程碑！一汽弗迪首批成品電芯順利下線。總投資135億元人民幣，占地80萬平方米，總產能45GWh，每年可滿足60萬輛電動汽車的電池配置需求。
2024-01-02 16:37:47869
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