日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域?yàn)橹行牡摹⑤斎腚妷?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2012-08-08 09:18:23
1141 飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:04971 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 業(yè)內(nèi)最受歡迎的適用于AEC-Q101高溫應(yīng)用的BAS16 / 21二極管和BC807 / 817晶體管。
2019-07-07 10:33:18852 （VGS=10V）內(nèi)阻：28mR（VGS=10V）結(jié)電容：550pF結(jié)電容：650pF類型：SGT工藝NMOS類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V開啟電壓：1.8V封裝：TO-252封裝：TO-252惠海半導(dǎo)體MOSFET選型表參考：
2021-06-11 14:05:36
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
森利威爾還提供以下產(chǎn)品,40V降壓恒壓IC用SL3036D車充ICPOE分離器降壓IC 48V轉(zhuǎn)12V1.5A小體積 低成本POE電源降壓IC,POE電源降壓芯片，POE安防監(jiān)控電源芯片，POE安防
2019-04-22 15:31:53
器件上執(zhí)行的全部驗(yàn)證測(cè)試列表可在生產(chǎn)部件批準(zhǔn)流程 (PPAP) 文檔中找到。例如，較為常見的一種例外情況是 ESD 性能。AEC-Q100 要求器件能夠承受 2000V 人體放電模式 (HBM)，在邊角
2018-09-20 15:16:25
近期汽車電子委員會(huì)(AEC)根據(jù)車載MEMS特性制定出最新標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q103，由于之前MEMS微機(jī)電系統(tǒng)做車規(guī)認(rèn)證一直是參照AEC-Q100，此次制定的標(biāo)準(zhǔn)無(wú)疑是為行業(yè)提供了更具有針對(duì)性的要求
2019-10-17 10:01:43
車規(guī)級(jí)共模扼流圈
過濾汽車和工業(yè)應(yīng)用中的功率和信號(hào)噪聲
Abracon最新的共模扼流圈（CMC）可用于電源線和信號(hào)線的應(yīng)用。此外，信號(hào)線CMC可以支持can、can-FD和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)傳輸中的噪聲
2023-09-12 14:48:02
作者： Robert GeeMaxim Integrated核心產(chǎn)品事業(yè)部執(zhí)行業(yè)務(wù)經(jīng)理 在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，管理成本依然是最嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)之一，因?yàn)樽詣?dòng)化測(cè)試設(shè)備(ATE)是一項(xiàng)重大的資本支出。那么，有沒有能夠降低每片晶圓的成本，從而提升競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的方法呢？有，答案就是提高吞吐率。
2019-07-29 08:11:12
安規(guī)測(cè)試基礎(chǔ)問題有哪些？
2021-05-12 06:27:03
車規(guī)二級(jí)管，有通過AEC-Q101、TS16949、IATF16949希望對(duì)所有汽車電子設(shè)計(jì)有幫助，產(chǎn)品特點(diǎn)：1.領(lǐng)先全球薄型封裝片式二級(jí)管： 0402/0603/0805/1206/2010
2018-02-09 15:22:44
。 車規(guī)電容與普通電容的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn)： 首先是AEC-Q200認(rèn)證。AEC-Q200（stress] 車規(guī)電容標(biāo)準(zhǔn)，你知道了嗎？`
2021-01-06 13:44:43
分享車載T-BOX方案：上海航芯ACL16系列芯片集成多種加密算法，車規(guī)工藝，工作溫度-40到125度，且通過了車規(guī)AEC-Q100 Grade1認(rèn)證，在車載應(yīng)用中提供聯(lián)網(wǎng)的身份認(rèn)證、密鑰存儲(chǔ)等功能
2023-02-03 12:00:10
保證電子產(chǎn)品能在車上（如溫濕度，發(fā)動(dòng)機(jī)周邊溫度-40℃-150℃；震動(dòng)沖擊等等）穩(wěn)定、可靠的工作，必然對(duì)電子元器件有著幾乎苛刻的要求；優(yōu)恩半導(dǎo)體新推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管TPSMAJ
2018-07-30 09:27:08
)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動(dòng)組件)。其測(cè)試條件雖然比消費(fèi)型芯片規(guī)范嚴(yán)苛，但測(cè)試條件仍以JEDEC或
2018-08-27 14:47:58
)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動(dòng)組件)。其測(cè)試條件雖然比消費(fèi)型芯片規(guī)范嚴(yán)苛，但測(cè)試條件仍以JEDEC或
2018-09-06 17:05:17
AEC-Q100、AEC-Q101或AEC-Q200，MCM產(chǎn)品只需進(jìn)行AEC-Q104H內(nèi)僅7項(xiàng)的測(cè)試，包括4項(xiàng)可靠性測(cè)試:TCT(溫度循環(huán))、Drop(落下)、LowTemperature
2020-11-16 15:46:06
的NPN和PNP晶體管系列，符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有高可靠性。 SOT23封裝尺寸適用于卷軸。推薦產(chǎn)品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27
GW2A 系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))數(shù)據(jù)手冊(cè)主要包括高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))特性概述、產(chǎn)品資源信息、內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹、電氣特性、編程接口時(shí)序以及器件訂貨信息，幫助用戶快速了解高云半導(dǎo)體 GW2A系列 FPGA 產(chǎn)品(車規(guī)級(jí))特性，有助于器件選型及使用。
2022-09-29 07:47:16
建立標(biāo)準(zhǔn)化汽車系統(tǒng)的通用零件質(zhì)量。由于AEC明確的晶體管，二極管和其他分立半導(dǎo)體可靠性標(biāo)準(zhǔn)，制造商嚴(yán)重依賴AEC的指南。也許AEC 因其AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)而被電子設(shè)計(jì)者所熟知，該標(biāo)準(zhǔn)提供了測(cè)試
2020-09-23 10:46:20
. 總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V
2018-09-28 15:57:04
，SOT1061）具有中等功率功能的無(wú)鉛超小型SMD塑料封裝（SOT1061）符合AEC-Q101快速參考數(shù)據(jù)：應(yīng)用：線性穩(wěn)壓器；能源管理；低側(cè)開關(guān)；MOSFET驅(qū)動(dòng)器；電池驅(qū)動(dòng)設(shè)備；功放`
2020-03-11 17:20:01
。
SL3061 40V/2.5A開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測(cè)試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
大家好如題，i.MX RT1170車規(guī)級(jí)產(chǎn)品有AEC-Q100認(rèn)證嗎？如果是，能否提供相關(guān)文件？
2023-03-15 08:24:23
的通用化水平。
1.產(chǎn)品采用的所有電子元器件均為車規(guī)級(jí)（AEC-Q*** Qualified）；
2.產(chǎn)品滿足汽車電子設(shè)計(jì)開發(fā)要求；
3.產(chǎn)品滿足大型車企的測(cè)試要求；
4.產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量前裝（量小的車型不算
2023-09-19 13:35:01
為何產(chǎn)品要進(jìn)行電氣安規(guī)測(cè)試？安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)於耐壓測(cè)試環(huán)境是否有特殊的要求？耐壓測(cè)試與電源泄漏測(cè)試測(cè)出的泄漏電流兩者有什么不同呢？
2021-05-12 07:02:32
），AEC-Q101，AEC-Q200為最常見。其中AEC-Q100是AEC的第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，AEC-Q100于1994年6月首次發(fā)表，現(xiàn)經(jīng)過了十多年的發(fā)展，AEC-Q100已經(jīng)成為汽車電子系統(tǒng)的通用標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)于車
2019-07-18 13:19:45
`車用電子主要依據(jù)國(guó)際汽車電子協(xié)會(huì)(Automotive Electronics Council，簡(jiǎn)稱AEC)作為車規(guī)驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件
2020-07-06 09:06:36
一定的短路能力。下表是派恩杰半導(dǎo)體部分產(chǎn)品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半導(dǎo)體針對(duì)柵極的可靠性是嚴(yán)格按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行，在柵極分別加負(fù)壓和正壓（-4V
2022-03-29 10:58:06
AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管SM8ZXXA/CA系列，產(chǎn)品系列齊全，以滿足不同標(biāo)準(zhǔn)要求的客戶需求。特性：[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽車標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證；[size
2019-03-28 10:45:32
概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護(hù)
2022-06-10 15:16:08
了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力，同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線（涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng)）。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品。MDD致力滿足客戶高品質(zhì)需求，目前產(chǎn)品
2022-11-11 11:50:23
的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。事實(shí)上，比亞迪半導(dǎo)體，目前在國(guó)內(nèi)已經(jīng)處于龍頭地位。網(wǎng)絡(luò)公開資料顯示，比亞迪半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)最大的IDM車規(guī)級(jí)IGBT廠商，旗下車規(guī)級(jí)IGBT是新能源汽車電控核心零部件，已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模
2021-05-14 20:17:31
，滿足高壽命、高可靠性的車用需求，協(xié)助您順利跨進(jìn)Tier 1車廠供應(yīng)鏈。參考國(guó)際規(guī)范JESD 22-B103MIL-STD 883 method 2007ASTM D4169AEC-Q100 /AEC-Q101
2018-10-16 15:14:46
管（MOSFET）MOS管型號(hào)：惠海半導(dǎo)體HG012N06LMOS管參數(shù)：60V50A（50N06）內(nèi)阻：11mR（VGS=10V）結(jié)電容：550pF 類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝
2020-08-29 14:51:46
AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)對(duì)汽車級(jí)離散器件的影響之后，它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩款符合AEC標(biāo)準(zhǔn)的SiC功率器件，并強(qiáng)調(diào)了成功設(shè)計(jì)必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車提供動(dòng)力
2019-08-11 15:46:45
檢測(cè)可以協(xié)助您的產(chǎn)品符合AEC-Q100/AEC-Q101/AEC-Q104/AEC-Q200規(guī)范，協(xié)助您順利跨進(jìn)Tier 1車廠供應(yīng)鏈。
2018-09-29 15:56:07
。
CW32A030C8T7通過AEC-Q100車規(guī)可靠性測(cè)試
作為武漢芯源半導(dǎo)體首款車規(guī)級(jí)MCU產(chǎn)品，CW32A030C8T7產(chǎn)品順利通過AEC-Q100（Grade2）車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試，符合車用電
2023-11-30 15:47:01
要進(jìn)入車輛領(lǐng)域，打入各一級(jí)(Tier1)車電大廠供應(yīng)鏈，必須取得兩張門票，第一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2018-11-20 15:47:25
) 或電動(dòng)汽車 (EV) 牽引逆變器系統(tǒng)。40V 最低輸入電壓支持來(lái)自牽引電機(jī)的可再生制動(dòng)的功能安全測(cè)試。該參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，該器件具有用于降低開關(guān)損耗的高阻斷
2018-10-15 14:56:46
想用運(yùn)放實(shí)現(xiàn)1~-40V的脈沖電源，1到-40V的時(shí)間為2us，計(jì)算SR至少要求63V/us，看了下幾款車規(guī)級(jí)高壓運(yùn)放，請(qǐng)問下使用LT1010可以實(shí)現(xiàn)嗎？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
謝謝！
2023-11-13 14:20:54
，封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素。基本半導(dǎo)體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。目前碳化硅二級(jí)管產(chǎn)品已通過AEC-Q101測(cè)試，工業(yè)級(jí)1200V碳化硅MOSFET也在進(jìn)行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26
，使用壽命要求更長(zhǎng)，可靠性和安全性要求更高。笙泉科技MGEQ1C064AD48于近期已通過AEC-Q100 (Grade 2)認(rèn)證，滿足車規(guī)級(jí)產(chǎn)品工作環(huán)境惡劣的要求，可幫助實(shí)現(xiàn)車載應(yīng)用和控制等支持，協(xié)助
2023-06-26 13:07:39
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保護(hù)器是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)器，適用于汽車應(yīng)用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封裝，設(shè)有雙路
2021-01-27 10:11:12
尤為明顯，其中包含封裝電阻在內(nèi)的總通態(tài)電阻幾乎減半。英飛凌推出了多個(gè)型號(hào)的40V和 60V MOSFET器件（圖3），使設(shè)計(jì)工程師能夠輕松地找到最理想的應(yīng)用解決方案。圖3：40V和60V產(chǎn)品組合實(shí)用性
2018-12-06 09:46:29
近日，重慶平偉實(shí)業(yè)股份有限公司肖特基二極管、二極管兩項(xiàng)產(chǎn)品經(jīng)華碧實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)順利通過AEC-Q101認(rèn)證，此次通過該車規(guī)可靠性認(rèn)證，標(biāo)志著重慶平偉實(shí)業(yè)的二極管產(chǎn)品質(zhì)量邁入了國(guó)際領(lǐng)先水平，為該公司在汽車
2022-12-08 15:25:00
加強(qiáng)符合車規(guī)MCU芯片功能及平臺(tái)工具，并協(xié)助客戶加速車載應(yīng)用方案開發(fā)、縮短產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)程，共創(chuàng)智能汽車產(chǎn)業(yè)的繁榮前景。
關(guān)于AEC-Q100:
●汽車電子委員會(huì)(AEC)制定的車用電子組件可靠性測(cè)試
2023-09-15 12:04:18
服務(wù)介紹隨著技術(shù)的進(jìn)步，各類半導(dǎo)體功率器件開始由實(shí)驗(yàn)室階段走向商業(yè)應(yīng)用，尤其以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體器件國(guó)產(chǎn)化的腳步加快。但車用分立器件市場(chǎng)均被國(guó)外巨頭所把控，國(guó)產(chǎn)器件很難分一杯羹，主要的原因
2022-05-25 11:07:09
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
AEC-Q102產(chǎn)品試驗(yàn)車燈是整車的重要組件，圍繞車燈及其附件的可靠性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)紛繁復(fù)雜，各主機(jī)廠的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)均有不同描述，通用性較差。廣電計(jì)量提供一站式AEC-Q102產(chǎn)品試驗(yàn),光電器件車規(guī)級(jí)認(rèn)證服務(wù)
2024-01-29 21:38:13
AEC-Q104認(rèn)證測(cè)試廣電計(jì)量AEC-Q104測(cè)試能力提供全套的測(cè)試認(rèn)證服務(wù)，通過使用各種測(cè)試分析技術(shù)和分析程序確認(rèn)產(chǎn)品的失效現(xiàn)象，分辨其失效模式或機(jī)理，確定其最終原因，提出改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造工藝
2024-01-29 21:47:22
服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
汽車動(dòng)力操控（Power Steering）系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案。快捷半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor） 的40V N 通道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品可協(xié)助設(shè)計(jì)者應(yīng)對(duì)這
2012-12-05 09:12:22929 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）已經(jīng)大幅擴(kuò)充針對(duì)嚴(yán)格的汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的AEC-Q100和AEC-Q101合格認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)元器件陣容。
2013-08-08 19:30:24405 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證
2013-12-13 15:07:13844 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩顆用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02698 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對(duì)稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171005 系列現(xiàn)已符合AEC-Q101資格，證明這些電子組件符合用于汽車市場(chǎng)的主要標(biāo)準(zhǔn)。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格，意味著汽車原始設(shè)備制造商（OEM）以及一級(jí)和其他供應(yīng)商能夠在各種車載應(yīng)用中使用這款產(chǎn)品。
2017-06-19 10:20:29742 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理中文標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2018-10-25 08:00:00
38 意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范
2019-01-25 07:15:01511 
ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571418 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:504947 AECQ101主要對(duì)汽車分立器件，元器件標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，AECQ101認(rèn)證將會(huì)是汽車級(jí)半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認(rèn)證包含了離散半導(dǎo)體元件（如晶體管，二極管等）最低應(yīng)力測(cè)試要求的定義和參考測(cè)試條件，目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測(cè)試以及被認(rèn)為能夠提供某種級(jí)別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:385087 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”，尺寸僅為1.0mm×1.0mm。
2020-09-29 15:27:171062 ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號(hào)，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:23457 
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”，而且共有13款型號(hào)，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:24564 
白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 IN AUTOMOTIVE APPLICATIONS：車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測(cè)試驗(yàn)證 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的分立半導(dǎo)體元器件的最小工作溫度范圍：-40℃~+125℃ LED的最小工作溫度范圍-40℃~+85
2023-05-16 15:17:01737 
Semiconductors，基于分立半導(dǎo)體應(yīng)力測(cè)試認(rèn)證的失效機(jī)理，名字有點(diǎn)長(zhǎng)，所以一般就叫“分立半導(dǎo)體的應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)”。現(xiàn)在的Rev E版本是2021.03.01剛發(fā)布的最新版。 AEC-Q101認(rèn)證包含了分立半導(dǎo)體
2023-05-31 17:09:082684 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663 
Semiware推出符合AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級(jí)TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防護(hù)產(chǎn)品系列齊全，以滿足高標(biāo)準(zhǔn)的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13450 
級(jí)IGBT產(chǎn)品在2019年后再次獲得TV萊茵頒發(fā)的AEC-Q101認(rèn)證證書。AEC-Q101認(rèn)證是半導(dǎo)體分立器件的汽車級(jí)測(cè)試，包括各類環(huán)境應(yīng)力，可靠性，耐久性，壽
2022-06-21 09:18:39887 
是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來(lái)是基于失效機(jī)制對(duì)汽車領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認(rèn)證測(cè)試AEC-Q101最新的版本是Rev_E，發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:291128 
USAEC-Q101認(rèn)證的概念AEC-Q101：車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機(jī)理的應(yīng)力測(cè)試驗(yàn)證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域，而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:03503 AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測(cè)試意義在于證實(shí)極高溫度，極低溫度和高溫與低溫交替作用時(shí)，機(jī)械應(yīng)力對(duì)于器件焊接性能的作用，標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101
2023-08-30 08:27:50567 功率循環(huán)測(cè)試-簡(jiǎn)介功率循環(huán)測(cè)試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級(jí)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)的必測(cè)項(xiàng)目。相對(duì)于溫度循環(huán)測(cè)試，功率循環(huán)通過在器件內(nèi)運(yùn)行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:59858 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn) 采用小型有引腳和無(wú)引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:36:081 AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證并通過高壓960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核，使公司成為國(guó)內(nèi)少數(shù)SiC功率分立器件產(chǎn)品通過雙重考核的廠商之一。 ? 創(chuàng)新突破，無(wú)懼極限考驗(yàn) AEC-Q101
2023-10-24 15:52:32606 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后
2023-10-25 18:28:10423 
11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
。 CW32A030C8T7通過 AEC-Q100 車規(guī)可靠性測(cè)試 作為武漢芯源半導(dǎo)體首款車規(guī)級(jí)MCU產(chǎn)品，CW32A030C8T7產(chǎn)品順利通過AEC-Q100（Grade2）車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試，符合
2023-11-30 16:46:07465 
。CW32A030C8T7通過AEC-Q100車規(guī)可靠性測(cè)試作為武漢芯源半導(dǎo)體首款車規(guī)級(jí)MCU產(chǎn)品，CW32A030C8T7產(chǎn)品順利通過AEC-Q100（Grade2
2023-11-30 15:48:35185 
近日，武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車規(guī)級(jí)MCU，這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型車規(guī)MCU產(chǎn)品。
2023-12-08 14:29:50367 
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293 
3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時(shí)通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:21205 
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 2024年3月22日， 國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢測(cè)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS為安芯電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“安芯電子”）及其子公司安徽安美半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“安美半導(dǎo)體”）頒發(fā)了AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:21:55378 近日，國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS（以下簡(jiǎn)稱為“SGS”）為吉林華微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱為“華微電子”）頒發(fā)AEC-Q101認(rèn)證證書。
2024-03-22 18:25:56363
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