電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V 7 通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器TPL7407L數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-19 09:27:41
0 臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴(yán)格的車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
279 蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核，同時(shí)通過(guò)了新能源行業(yè)頭部廠(chǎng)商的導(dǎo)入測(cè)試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:21204 
榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱(chēng)雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
KF8451A高效率同步降壓IC產(chǎn)品描述KF8451A一款輸入耐壓可達(dá)40V，4.5-40V輸入電壓條件正常工作，并且能夠?qū)崿F(xiàn)精確恒流以及恒壓控制的同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。無(wú)需外部補(bǔ)償，可以依靠
2024-02-19 16:51:330 ZC3201是一款40V高精度微安級(jí)功率LDO穩(wěn)壓器。只有l(wèi)uA的功耗使其適用于大多數(shù)高壓節(jié)電系
統(tǒng)。其最大工作電壓高達(dá)40V.
其他功能包括低壓差，±1%的極高輸出精度，限流保護(hù)和高紋波抑制比
2024-02-19 16:12:50
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)！EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車(chē)身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車(chē)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)打開(kāi)了增長(zhǎng)的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠(chǎng)流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性?xún)r(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00916 
今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
V 功率 MOSFET 的半導(dǎo)體制造商，采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn)，我們使客戶(hù)能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能，賦能未來(lái)。
2023-12-29 12:30:49362 
近日，澎芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品開(kāi)拓方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展
2023-12-28 13:40:31395 
概述PC5028是一款高性能的增壓器驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET的控制器同步升壓功率級(jí)，從寬輸入電源范圍從4.5V到40V。當(dāng)控制器從輸出電壓偏置控制器可以從低至啟動(dòng)后1V。開(kāi)關(guān)頻率可以通過(guò)編程FREQ
2023-12-25 18:23:47
據(jù)悉，潤(rùn)鵬半導(dǎo)體是華潤(rùn)微電子與深圳市合力推出的精于半導(dǎo)體特色工藝的12英寸晶圓制造項(xiàng)目。主要研發(fā)方向包括CMOS、BCD、e-Flash等工藝
2023-12-20 14:13:25214 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將對(duì)MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線(xiàn)的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
。
SL3061 40V/2.5A開(kāi)關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線(xiàn)性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供
2023-12-12 16:11:08
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 官方網(wǎng)站稱(chēng)，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 來(lái)源：ACT半導(dǎo)體芯科技 2023年已接近尾聲，半導(dǎo)體行業(yè)依然在挑戰(zhàn)中前行。隨著市場(chǎng)需求和應(yīng)用領(lǐng)域的變化，半導(dǎo)體企業(yè)需要不斷推出新產(chǎn)品和解決方案，以滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代信息技術(shù)
2023-11-20 18:32:52262 
轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線(xiàn)性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
想用運(yùn)放實(shí)現(xiàn)1~-40V的脈沖電源，1到-40V的時(shí)間為2us，計(jì)算SR至少要求63V/us，看了下幾款車(chē)規(guī)級(jí)高壓運(yùn)放，請(qǐng)問(wèn)下使用LT1010可以實(shí)現(xiàn)嗎？能否提供一下LT1010的LTSPICE的仿真模型？
謝謝！
2023-11-13 14:20:54
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CW9403R無(wú)線(xiàn)充電接收端控制芯片規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-31 15:15:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CW9403T無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射端控制芯片規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-31 15:14:030 AON6884，規(guī)格書(shū)， 設(shè)計(jì)方案，使用方法，AOS/萬(wàn)代，40V雙N溝道MOSFET 一般說(shuō)明,AON6884采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)以低柵極電荷提供優(yōu)異的RDS（ON）。這是一個(gè)適用于大范圍
2023-10-24 15:03:33
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8338: 40V, 1.2A Micropower Synchronous Boost Converter with PassThru Data Sheet
2023-10-17 19:07:46
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTC3115-1:40V, 2A 同步巴克-波星DC/DC轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LTC3115-1:40V, 2A 同步巴克-波星DC/DC
2023-10-10 18:54:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LT8204:40V 全脊或雙半脊半脊數(shù)據(jù)表的引腳圖、接線(xiàn)圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料
2023-10-08 16:47:10
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
DMP4047SSDQ 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMP4047SSDQ 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越
2023-09-15 10:01:52
DMP4047SSD 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMP4047SSD 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能
2023-09-15 09:54:20
DMP4047LFDE 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMP4047LFDE 這款新一代 40V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能
2023-09-14 19:46:59
▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474 穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)洌酌?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車(chē)載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無(wú)接觸3D掃描成像等功能，多方面滿(mǎn)足客戶(hù)測(cè)量需求，解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
這種40V雙電源電路是應(yīng)菲律賓Michael的要求而設(shè)計(jì)的。他的應(yīng)用是為此處發(fā)布的150瓦放大器電路供電。我認(rèn)為這種電源設(shè)計(jì)足以達(dá)到目的。變壓器T1降低電源電壓，電橋D1執(zhí)行整流，C1和C2執(zhí)行濾波工作。C3和C4是去耦電容。
2023-07-18 17:41:321035 
RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 20:07:270 RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:48:120 RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-07-11 19:47:590 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車(chē)
2023-07-04 20:37:240 RBA160N04AHPF-4UA01 40V – 160A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車(chē)
2023-07-04 20:37:050 采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車(chē)規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677 
英飛凌科技汽車(chē) MOSFET 產(chǎn)品線(xiàn)高級(jí)副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹(shù)立新標(biāo)桿。
2023-06-26 13:10:00302 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
優(yōu)恩半導(dǎo)體40D系列徑向?qū)?lián)壓敏電阻通過(guò)提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應(yīng)用提供了理想的電路保護(hù)解決方案。極限 峰值浪涌電流額定值可達(dá)30ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:39:23
電機(jī)控制領(lǐng)域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導(dǎo)體推出的基于ARM-Cortex M0+內(nèi)核的高端電機(jī)控制專(zhuān)用芯片。主頻高達(dá)64MHz；工作電壓1.8V至5.5V；提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開(kāi)關(guān)和改進(jìn)的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。
2023-06-08 14:28:28663 
蘭奈梅亨--(美國(guó)商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導(dǎo)體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實(shí)現(xiàn)具有史上最低導(dǎo)通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 【 2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書(shū)數(shù)據(jù)來(lái)看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來(lái)長(zhǎng)期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專(zhuān)用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET 等類(lèi)型；從技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)看，采用制程復(fù)雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優(yōu)異性能參數(shù)產(chǎn)品是場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠(chǎng)商不斷追蹤的熱點(diǎn)。
廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)
2023-05-26 14:24:29
? 2023 年 5 月 24 日，中國(guó) —— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM
2023-05-26 14:11:20701 
中國(guó)—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類(lèi)產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 新微半導(dǎo)體40V氮化鎵功率器件工藝平臺(tái)擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無(wú)金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對(duì)準(zhǔn)工藝，使得柵極形貌良好，且最小線(xiàn)寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:051698 
RJF0411JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 34A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:56:480 RJF0409JSP 數(shù)據(jù)表 (40V, 5A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:400 RJF0408JPD 數(shù)據(jù)表 (40V, 30A Silicon N Channel Thermal FET Power Switching)
2023-05-15 18:37:280 試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動(dòng)以及國(guó)家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前，我國(guó)已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
2023-04-14 16:00:28
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動(dòng)以及國(guó)家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前，我國(guó)已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
2023-04-14 13:46:39
應(yīng)用: DC-DC轉(zhuǎn)換 SMPS中的同步整流 硬開(kāi)關(guān)和高速電路 電動(dòng)工具 電機(jī)控制 概述： PL1303N04是寶礫微推出的4開(kāi)關(guān)N溝道功率MOSFET，采用QFN6*6-40L封裝。產(chǎn)品具有較強(qiáng)
2023-04-11 14:47:50513 創(chuàng)新、自主可控，推出HPM6000高性能RISC-V MCU產(chǎn)品系列，助力推動(dòng)國(guó)產(chǎn)創(chuàng)新型替代進(jìn)程。國(guó)潮崛起，先楫半導(dǎo)體邀您一起共同邁向高性能 “芯” 時(shí)代。
2023-04-10 18:39:28
5057-9403
2023-03-29 21:49:46
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
2023-03-28 22:35:09
MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
2023-03-28 22:35:06
MOSFET N-CH 40V 110A
2023-03-28 22:34:51
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
2023-03-28 22:34:51
MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
2023-03-27 14:31:11
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