電子發(fā)燒友網(wǎng)>汽車電子>英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計魯棒性

英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計魯棒性

【2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來車用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇，如電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、制動系統(tǒng)、斷開開關(guān)和新區(qū)域架構(gòu)。OptiMOS 7 系列產(chǎn)品還可用于電池管理、電子保險絲盒以及 DC-DC 和 BLDC 驅(qū)動器。
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英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。該系列采用領(lǐng)先的技術(shù)，能在緊湊的設(shè)計中提供優(yōu)異的效率和功率。這些半導(dǎo)體器件具有卓越的功率密度和能效，同時具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。”
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全新 OptiMOS 系列產(chǎn)品降低了開關(guān)損耗，并提高了安全工作區(qū)（SOA）的魯棒性和高雪崩電流能力。因此，它們有助于未來高效汽車應(yīng)用的設(shè)計。該器件系列采用多種堅固的車規(guī)級功率封裝方式，包括 TDSON-8、HSOF-5、HSOF-8 和頂部冷卻封裝。得益于緊湊的外形，該系列可在提高系統(tǒng)效率的同時大幅降低空間需求。此外，新產(chǎn)品可以改善冷卻，同時降低了系統(tǒng)成本。借助這些器件，設(shè)計人員能夠輕松設(shè)計出質(zhì)量卓著的產(chǎn)品和應(yīng)用。
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供貨情況
OptiMOS 40 V 系列已經(jīng)投產(chǎn)，首批產(chǎn)品可于 2023 年 8 月開始訂購。更多信息請訪問 www.infineon.com/optimos7。
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如需進一步了解英飛凌在提高能源效率方面做出的貢獻，請訪問：www.infineon.com/green-energy。
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英飛凌(136807) 英飛凌(136807)
MOSFET(209668) MOSFET(209668)

意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管，具備更好的節(jié)能降噪特性

2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換

2022-06-24 09:57:45

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飛兆半導(dǎo)體推出型號為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計人員在汽車動力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。

2012-12-04 14:56:04

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IR推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET

IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）），全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。

2013-01-22 13:27:21

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英飛凌面向汽車電子推出創(chuàng)新型H-PSOF封裝

英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出一種創(chuàng)新型封裝技術(shù)，為純電動汽車和混合動力汽車等要求苛刻的汽車電子應(yīng)用帶來更大的電流承受能力和更高效率

2012-02-01 09:37:49

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性價比一流：英飛凌推出面向低頻率應(yīng)用的600 V CoolMOSTM S7超結(jié)MOSFET

英飛凌科技股份公司成功開發(fā)出滿足最高效率和質(zhì)量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關(guān)應(yīng)用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產(chǎn)品可帶來領(lǐng)先的功率密度和能效。

2020-03-04 07:46:00

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英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置

OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯(lián)作業(yè)進行了優(yōu)化。

2020-11-04 11:20:37

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東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，支持車載設(shè)備對更大電流的需求

中國上海， 2023 年 2 月 3 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

2023-02-06 10:01:47

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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率

2023-12-12 18:04:37

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6.0V - 40V輸入的汽車儀表盤寬電壓輸入電源解決方案包括原理圖，框圖及硬件設(shè)置

。前端降壓轉(zhuǎn)換器 (TPS65320-Q1) 能夠支持 4.5V 冷啟動情況。主要特色寬輸入電壓范圍：6.0V - 40V，可承受啟動/停止和負(fù)載突降情況單片高壓開關(guān)穩(wěn)壓器包含一個 40V 集成開關(guān)、一個

2018-08-09 07:16:19

9 - 40V 汽車輸入、5V/2.1A 智能 USB 充電器

`描述此參考設(shè)計是來源于汽車電池的完整車用 USB 充電器解決方案。此設(shè)計采用 9V 到 40V 的直流輸入來生成 5V/2.1A 的輸出，適用于智能手機和平板電腦。特性適用于汽車應(yīng)用的完整 USB

2015-04-22 14:11:49

40V 3A降壓式DC/DC驅(qū)動芯片 BD8153A

本帖最后由深圳市巴丁微電子于 2016-11-7 15:51 編輯 BD8153是一款由深圳市巴丁微電子有限公司推出的輸入耐壓可達40V的降壓式DC/DC驅(qū)動電路，能夠?qū)崿F(xiàn)精確的恒流以及

2016-10-31 15:03:46

40V功率MOSFET能滿足汽車要求嗎？

意法半導(dǎo)體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。

2019-08-09 07:28:08

40V耐壓SL3061內(nèi)置MOS,電流2.5A,可兼容替代XL1509系列

、高效率、高可靠性等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各種電源、電機控制、電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。本文將介紹一款具有內(nèi)置MOS管、電流能力2.5A、耐壓40V的SL3061芯片，并探討其是否可以替代芯龍XL1509系列。一

2023-11-13 15:24:19

MOSFET驅(qū)動及工作區(qū)的問題分析

。問題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅(qū)動通用驅(qū)動電壓的功率MOSFET，有什么問題？問題分析：檢查數(shù)據(jù)表中不同的VGS的導(dǎo)通電阻，發(fā)現(xiàn)對應(yīng)的導(dǎo)通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時系統(tǒng)的效率降低。極端情況下在低溫的時候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開通。

2016-12-21 11:39:07

OptiMOS 3功率MOSFET系列產(chǎn)品為高能效產(chǎn)品提供更高性能

的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓

2018-12-07 10:21:41

開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程哦，來教你怎么選擇MOSFET

和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。圖 1—降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖DC/DC 開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側(cè) FET和低側(cè)

2019-11-30 18:41:39

開關(guān)電源芯片 FDC6324L 內(nèi)置負(fù)載開關(guān) 降低導(dǎo)通電阻減少成本

= 1.5V至8V2.為極低導(dǎo)通電阻而設(shè)計的高單元密度3.VON/OFF齊納二極管保護可增強耐靜電放電能力>6kV人體模型4.SuperSOT?-6封裝設(shè)計（使用銅引線框架），可提供出色的熱和電氣能力應(yīng)用領(lǐng)域：電動汽車車載充電器太陽能互聯(lián)照明

2021-11-27 12:14:08

開關(guān)的導(dǎo)通電阻對傳遞函數(shù)的影響

”這個參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ)，按照同樣步驟來推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡圖上標(biāo)出了作為開關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻

2018-11-30 11:48:22

提升開關(guān)電源效率和可靠性：半橋諧振LLC+CoolMOS開關(guān)管

電源當(dāng)中，而這種拓?fù)湓?b class="flag-6" style="color: red">提升效率的同時也對MOSFET提出了新的要求。不同于硬開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)LLC諧振拓?fù)洌粌H僅對MOSFET的導(dǎo)通電阻（導(dǎo)通損耗），Qg（開關(guān)損耗）有要求，同時對于如何能夠有效的實現(xiàn)軟

2018-12-03 11:00:50

汽車類40V至1kV輸入反激式參考設(shè)計包括BOM及框圖

) 或電動汽車 (EV) 牽引逆變器系統(tǒng)。40V 最低輸入電壓支持來自牽引電機的可再生制動的功能安全測試。該參考設(shè)計實現(xiàn)了一款碳化硅 (SiC) MOSFET，該器件具有用于降低開關(guān)損耗的高阻斷

2018-10-15 14:56:46

英飛凌40V和60V MOSFET

，英飛凌成功完成了全新40V 和 60V MOSFET的開發(fā)工作。與OptiMOS?3技術(shù)直接比較，結(jié)果表明，新一代MOSFET不僅可極大地降低通態(tài)電阻RDS(on)，還可大幅改進開關(guān)特性。阻斷電壓為

2018-12-06 09:46:29

面向嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)化型IGBT

歐元（600 V、20 A）到5.10歐元（1,200 V、40 A）。針對應(yīng)用而優(yōu)化的IGBT提高能源效率和改進系統(tǒng)成本，仍然是光伏逆變器、不間斷電源（UPS）和焊接系統(tǒng)等傳統(tǒng)IGBT應(yīng)用，以及

2018-12-03 13:47:00

B1M080120HC 1200V碳化硅MOSFET替代C2M0080120D 可降低器件損耗更適合應(yīng)用于高頻電路

B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機控制器

2021-11-10 09:10:42

Diodes 集成功率MOSFET

轉(zhuǎn)換，負(fù)載開關(guān)，電機控制，背光，電池保護，電池充電器，音頻電路和汽車。推薦產(chǎn)品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相關(guān)產(chǎn)品請點擊此處前往特征：低導(dǎo)通電阻低柵極閾值電壓輸入

2019-05-13 11:07:19

EN系列可保持低導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度，改善噪聲性能

第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面

2018-12-05 10:00:15

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻

2010-05-06 08:55:20

IR新型DirectFET MOSFET

國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS

2018-11-26 16:09:23

IR發(fā)布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET

DirectFET2功率環(huán)保封裝　　由于采用COOLiRFET硅技術(shù), 40V AUIRF8736M2與上一代設(shè)備相比，導(dǎo)通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導(dǎo)損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式

2018-09-28 15:57:04

KN系列：保持低噪聲性能并可高速開關(guān)

超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲等特征，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。非常

2018-12-04 10:17:20

MAX1553高效40V升壓轉(zhuǎn)換器電子資料

概述：MAX1553能夠以恒定電流驅(qū)動串聯(lián)的白色LED，為蜂窩電話、PDA及其它手持設(shè)備提供高效的顯示器背光驅(qū)動。這款升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)部包含一個40V、低RDSON的N溝道MOSFET開關(guān)，可提高效率、延長電池壽命。

2021-04-21 07:38:25

OC5820——2.5A，40V 降壓DCDC

。OC5820 采用 ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點? 2.5A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內(nèi)部功率 MOSFET? 效率高達 93%? 頻率可調(diào)? 熱關(guān)斷? 逐周期過流保護? 寬輸入電壓范圍：6

2022-01-13 09:35:22

ROHM新品 | 適用于工業(yè)設(shè)備和基站電機的新一代雙極MOSFET

泛的需求，ROHM還開發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產(chǎn)品陣容已達12款。本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝，實現(xiàn)了業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導(dǎo)

2021-07-14 15:17:34

SAR ADC RC濾波器，請問輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？

忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？

2018-08-06 07:49:37

SJ MOSFET的效率改善和小型化

公司也有生產(chǎn)，但是ROHM在推進獨自開發(fā)。此次內(nèi)置的SJ MOSFET不僅實現(xiàn)了650V的高耐壓，還實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻與低柵極電荷，開關(guān)速度也非常快。這將大大改善開關(guān)即MOSFET的導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗。這

2019-04-29 01:41:22

SL3061耐壓40V降壓恒壓芯片 40V降12V降5V 支持電流2.5A

。 SL3061 40V/2.5A開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品概述:SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供

2023-12-12 16:11:08

SiC MOSFET SCT3030KL解決方案

與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關(guān)速度、更高的電流密度以及更低的導(dǎo)通電阻，非常適用于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車、家用電器等高功率應(yīng)用。但是，在實際應(yīng)用中，工程師需要考慮SiC MOSFET

2019-07-09 04:20:19

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

通過電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。　　SiC器件漂移層的阻抗

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低

2019-04-09 04:58:00

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

2019-05-07 06:21:55

【在線研討會】英飛凌新 OptiMOS 全面提升不同負(fù)載效率

新的功率密度和能效標(biāo)準(zhǔn)。　極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導(dǎo)通電阻使得New OptiMOS成為服務(wù)器，數(shù)據(jù)通信和電信產(chǎn)品電壓調(diào)節(jié)器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器

2012-07-13 10:50:22

為何使用 SiC MOSFET

狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，并且具有更低的導(dǎo)通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導(dǎo)通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側(cè)）與硅

2017-12-18 13:58:36

什么是MOS管40N120-ASEMI的導(dǎo)通特性，40N120開關(guān)損失怎么看

編輯-Z使用MOS管40N120設(shè)計開關(guān)電源或電機驅(qū)動電路時，一般需要考慮40N120導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等因素。什么是MOS管40N120-ASEMI的導(dǎo)通特性？40N120開關(guān)損失怎么看

2021-12-29 16:53:46

低功耗40v降壓IC 輸出ADJ 2.5A 電動車專用芯片

概述SL3061是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良的負(fù)載和線性調(diào)整。寬范圍輸入電壓（6V至40V）可提供最大2.5A電流高效率輸出。SL3061安全保護

2022-06-10 15:16:08

具備低導(dǎo)通電阻的單通道限流高側(cè)開關(guān)IC

、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側(cè)開關(guān)IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導(dǎo)通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB

2019-04-10 06:20:03

內(nèi)置高耐壓低導(dǎo)通電阻MOSFET的降壓型1ch DC/DC轉(zhuǎn)換器

需要具備非常先進的技術(shù)能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。　　BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊

2018-10-19 16:47:06

內(nèi)置高耐壓低導(dǎo)通電阻MOSFET的降壓型1chDC/DC轉(zhuǎn)換器

非常先進的技術(shù)能力才能實現(xiàn)。此外，內(nèi)置MOSFET的導(dǎo)通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉(zhuǎn)換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內(nèi)置

2018-12-04 10:10:43

同時具備MOSFET和IGBT優(yōu)勢的HybridMOS

系列Hybrid MOS是同時具備超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為

2018-11-28 14:25:36

品佳推出英飛凌汽車LED大燈驅(qū)動方案

大聯(lián)大控股(WPG Holding)旗下品佳推出英飛凌汽車LED大燈驅(qū)動解決方案，不同于傳統(tǒng)白熾燈需要恒定直流電源供電，而且需要一系列保護功能和狀態(tài)回饋，LED將讓汽車照明更有效率且具有更多優(yōu)勢

2018-12-12 09:50:04

基于QR分解和提升小波變換的魯棒音頻水印方法

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 編輯利用QR分解的穩(wěn)定性以及提升小波計算速度快的優(yōu)良特性,給出一種基于QR分解和提升小波變換的盲魯棒數(shù)字音頻水印方法.為了保護原始

2011-03-04 21:44:30

基于聯(lián)鎖柵極驅(qū)動器提高三相逆變器的魯棒性

停工和生產(chǎn)損失。因此，VFD的可靠性和魯棒性是機器制造商和工廠業(yè)主的關(guān)鍵要求。圖1所示的三相逆變器結(jié)構(gòu)是VFD的核心，能夠?qū)⒄骱蟮碾娫措妷恨D(zhuǎn)換為輸出到電機的可變頻率和可變電壓。逆變器的魯棒性是確保VFD魯棒性的關(guān)鍵要素。該項技術(shù)由德州儀器研發(fā)。

2019-07-12 07:11:20

封裝寄生電感對MOSFET性能的影響

的影響。封裝源電感是決定切換時間的關(guān)鍵參數(shù)，后者與開關(guān)速度和開關(guān)可控性密切相關(guān)。英飛凌最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET能最大限度地減少傳統(tǒng)的TO247封裝寄生電感造成的不利影響，實現(xiàn)更高系統(tǒng)效率。

2018-10-08 15:19:33

應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

　　采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列　　產(chǎn)品型號　　BMF600R12MCC4　　BMF400R12MCC4　　汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2

2023-02-27 11:55:35

強魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動電路設(shè)計指導(dǎo)手冊

設(shè)計，TI推出的新一代低側(cè)柵極驅(qū)動芯片UCC27624針對以上提到的風(fēng)險點，作出了相應(yīng)優(yōu)化，大大提升了芯片的魯棒性：高達30V的VDD最大耐壓值，提升了安全裕度；提高了內(nèi)部LDO的噪聲抑制能力，從而提升

2022-11-03 08:28:01

德州儀器14款采用TO-220及SON封裝的功率MOSFET

陣營。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可為廣泛大電流電機控制及電源應(yīng)用提供優(yōu)異的散熱性能。　　最低導(dǎo)通電阻：　　兩款最新 80V 及 100V

2018-11-29 17:13:53

新品速遞 #6 40V、2.5A、低IQ同步升壓Silent Switcher -LT8336 數(shù)據(jù)手冊

范圍、低VIN引腳靜態(tài)電流（突發(fā)工作模式下）以及用于同步MOSFET的100%占空比能力（直通工作模式下，VIN ≥ VOUT），使其非常適合通用升壓和汽車預(yù)升壓應(yīng)用。LT8336集成了40V、2.5A

2020-08-28 10:06:36

淺析降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的原理與方法

`　　（1）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻

2018-11-01 15:01:12

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

的主要損耗包括開關(guān)損耗、傳導(dǎo)損耗、體二極管損耗和柵極驅(qū)動損耗。開關(guān)損耗主要是由器件本身結(jié)構(gòu)的寄生電容產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗是器件工作在增強模式時由導(dǎo)通電阻（RDS(on)）產(chǎn)生的。體二極管損耗是正向電壓

2012-12-06 14:32:55

電動汽車的全新碳化硅功率模塊

CoolSiC 汽車 MOSFET 技術(shù)的成熟，英飛凌也成功的將該技術(shù)進入 EasyPACK，并獲得了汽車級認(rèn)證，目前正在擴展該模塊系列的應(yīng)用范圍，旨在涵蓋具有高效率和高開關(guān)頻率需求的電動汽車的高壓應(yīng)用。其中

2021-03-27 19:40:16

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢壘二極管

并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和

2023-04-11 15:29:18

碳化硅如何改進開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計？

。　　總結(jié)　　與硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢，再加上其在硬開關(guān)應(yīng)用中的魯棒性，使其值得在最有效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC? MOSFET 技術(shù)在經(jīng)濟上更加可行，適合那些將功率轉(zhuǎn)換推向極限的用戶。

2023-02-23 17:11:32

結(jié)構(gòu)小巧綠色環(huán)保的OptiMOS 3 MOSFET可達到更高的效率

達100A的電流處理能力等特性，使該系列產(chǎn)品在40至80V電壓等級的低電阻MOSFET應(yīng)用方面樹立了全新的標(biāo)準(zhǔn)。OptiMOS 3產(chǎn)品用于要求高效率和高功率密度的功率轉(zhuǎn)換和電源管理系統(tǒng)，應(yīng)用范圍廣泛

2018-12-07 10:23:12

資深工程師經(jīng)驗：提升開關(guān)電源效率和可靠性的措施

開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)LLC諧振拓?fù)洌粌H僅對MOSFET的導(dǎo)通電阻（導(dǎo)通損耗），Qg（開關(guān)損耗）有要求，同時對于如何能夠有效的實現(xiàn)軟開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求

2019-02-20 06:30:00

過壓故障保護模擬開關(guān)對分立保護器件的替代

作者：Paul O'Sullivan摘要設(shè)計具有魯棒性的電子電路較為困難，通常會導(dǎo)致具有大量分立保護器件的設(shè)計的相關(guān)成本增加、時間延長、空間擴大。本文將討論故障保護開關(guān)架構(gòu)，及其與傳統(tǒng)分立保護

2019-07-26 08:37:28

降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法

的矛盾。　　即便如此，高壓MOSFET在額定結(jié)溫下的導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通壓降仍居高不下，耐壓500V以上的MOSFET 的額定結(jié)溫、額定電流條件下的導(dǎo)通電壓很高，耐壓800V以上的導(dǎo)通電壓高得驚人，導(dǎo)

2023-02-27 11:52:38

高性能功率半導(dǎo)體封裝在汽車通孔的應(yīng)用

是將一系列元件組合在電路中，電流必須不受限制地流過封裝，熱量必須導(dǎo)入冷卻系統(tǒng)。因此，系統(tǒng)的魯棒性取決于整個鏈條中最薄弱的環(huán)節(jié)。如果一只典型MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)約為8毫歐，那么比這個

2019-05-13 14:11:51

高耐壓超級結(jié)MOSFET的種類與特征

%。特性方面的定位是標(biāo)準(zhǔn)特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快”的特征，但存在其高速性導(dǎo)致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發(fā)了EN系列。該系列產(chǎn)品融合了

2018-12-03 14:27:05

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹立硬開關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn) 英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢，可降低設(shè)

2009-06-23 21:17:44

595

德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以

德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5

2010-01-15 08:39:05

727

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件

英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)

2010-01-26 09:22:57

828

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS

英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列為提高計算和電信產(chǎn)品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會議和產(chǎn)品展示

2010-03-01 11:20:47

731

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET 　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620

2010-03-12 10:28:39

1444

導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?

導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么? 傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號傳輸，如果將不同VI

2010-03-23 09:27:47

4912

IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻

IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系

2010-04-09 11:50:32

746

英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及

2010-07-05 08:48:26

1675

IR推出堅固的新型平面MOSFET系列

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。

2011-07-12 08:40:54

966

英飛凌推出單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品:OptiMOS P2

英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進一步

2011-09-13 08:33:16

692

英飛凌推出新型汽車電源管理40V P通道OptiMOS P2系列

英飛凌科技推出采用先進溝槽技術(shù)制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產(chǎn)品。新型40V OptiMOS P2產(chǎn)品為提升能源效率、減少CO2排放及節(jié)省成本設(shè)立新的基準(zhǔn)

2011-09-28 19:35:41

648

英飛凌科技推出汽車封裝無鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET

2011-12-08 10:42:45

1014

Toshiba推車用低導(dǎo)通電阻功率MOSFET

東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機驅(qū)動器和開關(guān)穩(wěn)壓器

2013-01-22 10:25:30

964

e絡(luò)盟進一步擴充英飛凌CoolMOS與OptiMOS系列功率MOSFET

e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進一步擴充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。

2015-03-02 17:37:38

1393

英飛凌推出面向18?40kHz開關(guān)用途的低損耗IGBT

英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）“RC-E系列”（英文發(fā)布資料）。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管

2016-11-14 14:51:36

1390

英飛凌科聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動力汽車新技術(shù)

英飛凌聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的新技術(shù)：芯片嵌入式功率MOSFET。

2019-05-14 16:58:30

1298

關(guān)于英飛凌OptiMOS實現(xiàn)這款90W車載充電器方案介紹

英飛凌革命性OptiMOS產(chǎn)品的P溝道功率MOSFET之一，在導(dǎo)通電阻的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計中，能經(jīng)受極高的質(zhì)量考驗以滿足高性能的需求；加入增強模式，可根據(jù)不同應(yīng)用場景選擇Normal Level

2019-09-24 11:37:51

3181

英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術(shù)革新，為高開關(guān)頻率應(yīng)用樹立全新行業(yè)標(biāo)桿

OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設(shè)計理念，具有更低的導(dǎo)通電阻和同類產(chǎn)品中更佳的優(yōu)值系數(shù) （FOM）。

2021-12-03 10:50:38

1074

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。

2022-02-15 13:51:38

2073

什么是OptiMOS MOSFET？

OptiMOS 已經(jīng)成為采用英飛凌獨特技術(shù)的中低耐壓 MOSFET 的商標(biāo)，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應(yīng)用。英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車

2022-08-19 15:05:05

3322

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計

使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優(yōu)化電源設(shè)計

2022-12-29 10:02:53

785

東芝新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET支持車載大電流設(shè)備

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB

2023-02-04 18:31:45

2676

EN系列：保持低導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度，改善噪聲性能

超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。

2023-02-10 09:41:07

579

資料下載 | 低導(dǎo)通電阻 Nch 功率MOSFET（銅夾片型）產(chǎn)品參考資料

近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列

2023-05-17 13:35:02

471

CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET：高速開關(guān)和改進的dv/it能力

摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術(shù)。它具有快速開關(guān)和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。本文將介紹CMS4070M的特點、應(yīng)用領(lǐng)域以及關(guān)鍵性能參數(shù)。

2023-06-08 14:28:28

663

英飛凌推出新一代面向汽車應(yīng)用的OptiMOS 7 40V MOSFET系列

英飛凌科技汽車 MOSFET 產(chǎn)品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標(biāo)桿。

2023-06-26 13:10:00

302

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。

2023-07-03 16:11:12

678

納芯微推出首款車規(guī)級40V/單通道90mΩ智能低邊開關(guān)NSE11409系列

納芯微推出首款車規(guī)級40V/單通道90mΩ智能低邊開關(guān)NSE11409系列納芯微全新推出首款業(yè)界領(lǐng)先的NSE11409系列智能低邊開關(guān)芯片，該款芯片是專門針對驅(qū)動高可靠性負(fù)載應(yīng)用而設(shè)計的，廣泛應(yīng)用于驅(qū)動汽車和工業(yè)場景中的繼電器、執(zhí)行閥、照明和加熱電阻絲等負(fù)載元件。

2022-10-27 13:42:50

545

英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。

2023-10-13 16:25:12

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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15

2023-12-29 12:30:49

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英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計魯棒性

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