超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。

低噪聲 EN系列

以往的超級結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面MOSFET的低噪聲特性與SJ MOS的低導(dǎo)通電阻特性的系列產(chǎn)品。下面是ROHM第一代標準特性的AN系列、其他公司同等產(chǎn)品及EN系列的噪聲特性比較圖。

EN系列因其保持了平面MOSFET的噪聲水平、且導(dǎo)通電阻更低，因而是改善平面MOSFET的傳導(dǎo)損耗的替代品。A?Ron的比較中，與平面MOSFET相比，以往產(chǎn)品AN系列降低65%，EN系列則降低達80%。

該系列的產(chǎn)品陣容如下。1款機型具有多種封裝。

■R60xxENx系列：低噪聲

.tbl_wrap th { font-size: 12px!important; background: #eee; } .tbl_wrap td { font-size: 12px!important; text-align: center; }

※機型名最后的x根據(jù)封裝類型代入相應(yīng)的字母。

D : CPT3 (D-Pak), J : LPT (D2-Pak), X : TO220FM, Z : TO3PF, Z1 : TO247, D3 : TO252

※ ☆ : 開發(fā)中

審核編輯：湯梓紅