CT 引腳上 GND 的電容器設置轉換速率，電容器越高，轉換速率越高。上升時間如下所示。以下公式可用于估算不同 VIN 和 CT 電容器的上升時間：
*附件：tps22995.pdf

tR = （0.3418VIN + 0.1036） × CT + 14.064VIN + 12.255

• tR = 上升時間，單位為 μs。
• VIN = 輸入電壓，單位為 V。
• CT = CT 電容器，單位為 pF。

特性

• 輸入工作電壓范圍 （VIN）：0.4 V – 5.5 V
• 偏置電源電壓 （VBIAS）：1.5 V – 5.5 V
• 最大持續電流：3.8 A
• 導通電阻 （RON）：18 mΩ（典型值）
• 通過外部電容器進行可調轉換速率控制
• 快速輸出放電 （QOD）：100 Ω（典型值）
• 熱關斷
• 智能 ON 引腳下拉 （RPD，ON）：
• • ≥ VIH （ION）：25 nA（最大值）
  • ≤ VIL （RPD，ON）：500 kΩ（典型值）
• 低功耗：
  • ON 狀態 （IQ）：10 uA（典型值）
  • OFF 狀態 （ISD）：0.1 uA（典型值）

參數

方框圖

1. 產品概述

TPS22995是一款單通道負載開關，集成了N-channel MOSFET，具有低導通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時間，用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業PC及離散工業解決方案等應用。

2. 關鍵特性

• ?輸入電壓范圍?：0.4 V至5.5 V
• ?偏置電壓范圍?：1.5 V至5.5 V
• ?最大連續電流?：3.8 A
• ?低導通電阻?：18 mΩ（典型值）
• ?可調上升時間?：通過外部電容控制
• ?快速輸出放電?：100 Ω（典型值）
• ?熱關斷保護?
• ?智能ON引腳下拉?
• ?低功耗?：ON狀態10 μA（典型值），OFF狀態0.1 μA（典型值）

3. 封裝與尺寸

• ?封裝類型?：6-pin WQFN，有兩種尺寸選項（1.25 × 0.85 mm和1.50 × 0.75 mm）

4. 電氣特性

• ? 導通電阻（R_ON） ?：在不同輸入電壓和偏置電壓下的典型值為17 mΩ至27 mΩ
• ? 智能下拉電阻（R_PD,ON） ?：ON引腳電壓≤V_IL時為500 kΩ（典型值）
• ? 快速輸出放電電阻（R_QOD） ?：25°C時為100 Ω，-40°C至125°C時為150 Ω
• ?熱關斷溫度?：典型值為170°C，滯回溫度為20°C

5. 開關特性

• ? 開啟時間（t_ON） ?：根據不同輸入電壓和CT電容值，范圍從796 μs至2810 μs
• ? 上升時間（t_RISE） ?：根據不同輸入電壓和CT電容值，范圍從315 μs至9230 μs
• ? 關斷時間（t_OFF） ?：典型值為60 μs至63.6 μs

6. 功能描述

• ?可調上升時間?：通過連接至地的CT引腳電容來設置，有助于減少或消除因大涌入電流引起的電源壓降。
• ?快速輸出放電?：當開關關閉時，輸出通過放電電阻拉至0 V，防止輸出浮動。
• ?智能ON引腳下拉?：在電源首次應用時，使用智能下拉保持ON引腳不浮動，直到系統完成排序。
• ?熱關斷?：當設備溫度達到熱關斷閾值時，設備自動關閉以防止熱損壞。

7. 應用領域

• 筆記本電腦
• 平板電腦
• 工業PC
• 離散工業解決方案

8. 布局與電源建議

• ?布局指南?：建議所有走線盡可能短，輸入和輸出電容應靠近設備放置，以減少寄生電感的影響。
• ?電源建議?：輸入電源應穩定且靠近設備終端，對于大瞬態電流或大負載電流步長，可能需要額外的輸入電容。

9. 文檔與支持

• ?數據手冊?：提供了詳細的電氣特性、功能描述、應用信息和封裝信息等。
• ?支持資源?：包括TI E2E?支持論壇，提供設計幫助和快速驗證答案。