士兵中若無志于成為將軍之志者，難稱為優(yōu)秀之士。同理，致力于碳化硅（SiC）融資活動的公司，其目標多半是朝著股票市場進發(fā)。碳化硅之所以受到投資青睞，歸功于其獨特的半導體屬性，能夠在極端的高溫、高壓、高功率、和高頻環(huán)境中發(fā)揮出色，預(yù)示著其在多種應(yīng)用場景中的巨大潛力。

然而，碳化硅的生產(chǎn)工藝不僅復雜、技術(shù)門檻高昂，而且生產(chǎn)成本也相對較高。這就意味著，從事該材料生產(chǎn)的企業(yè)普遍需要較大的資金投入。通過籌集資金和上市，這些企業(yè)不僅能夠獲得必要的資金支持以擴張生產(chǎn)規(guī)模、提升技術(shù)水平、增強其在市場中的競爭力，還能提高自身的品牌影響力和知名度，吸引更多的人才和合作伙伴，從而為其長期發(fā)展打下堅實的基礎(chǔ)。

盡管如此，走向上市并非企業(yè)發(fā)展的終極目標，也并非所有企業(yè)都能順利登陸股票市場。企業(yè)若想在上市之路上取得成功，必須具備強大的技術(shù)力量、穩(wěn)定的市場需求、健全的財務(wù)體系等基礎(chǔ)條件。此外，企業(yè)還需要關(guān)注自身的核心競爭力和持續(xù)發(fā)展能力，不斷提升產(chǎn)品和服務(wù)的質(zhì)量，以滿足顧客及投資者的期待。

讓我們探討一下目前尚未在國內(nèi)上市的碳化硅企業(yè)的表現(xiàn)情況。

爍科晶體

爍科晶體，隸屬于中國電科集團，成立于2018年，已經(jīng)成為國內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導體材料——碳化硅的研發(fā)與生產(chǎn)企業(yè)。2019年4月1日，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地的第一期項目動工，到了2020年3月，該基地的首批生產(chǎn)設(shè)備投入使用。該期項目設(shè)計容量可達600臺碳化硅單晶生長爐，預(yù)計完工后的生產(chǎn)能力將達到每年10萬片4至6英寸n型碳化硅單晶晶片和5萬片4至6英寸高純半絕緣碳化硅單晶晶片，標志著其成為國內(nèi)規(guī)模最大的碳化硅材料生產(chǎn)基地。?? ?

4英寸高純半絕緣碳化硅襯底已成功進入產(chǎn)業(yè)化階段，月產(chǎn)量達到8000片，占據(jù)了國內(nèi)市場超過50%的份額。在2022年，爍科晶體在保證高純半絕緣襯底穩(wěn)定生產(chǎn)的同時，顯著增加了6英寸n型襯底的生產(chǎn)能力，原先的月產(chǎn)能為6000片。該年，公司還實現(xiàn)了8英寸n型碳化硅拋光片的小批量生產(chǎn)，為國產(chǎn)8英寸n型碳化硅拋光片批量化生產(chǎn)邁出了重要一步。

爍科晶體的二期擴展項目于2023年9月啟動建設(shè)，10月份進入了關(guān)鍵的主體鋼結(jié)構(gòu)施工階段，隨后在11月份主體建筑成功封頂，并滿足了設(shè)備入場的條件。到了2024年2月，該二期項目已開始投入生產(chǎn)。預(yù)計到2025年，當項目全面投產(chǎn)之后，其年產(chǎn)碳化硅襯底的能力將達到30萬片，大幅提升了爍科晶體在碳化硅材料領(lǐng)域的生產(chǎn)規(guī)模和市場競爭力。?? ?

天科合達

天科合達自2006年成立以來，已經(jīng)成為國內(nèi)率先專注于第三代半導體碳化硅晶片研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)。該公司業(yè)務(wù)覆蓋從碳化硅單晶爐的制造到碳化硅單晶生長原料的準備、碳化硅單晶襯底及碳化硅外延層的制備，其碳化硅襯底在全球市場的占有率位列第二。

到了2022年11月，天科合達推出了8英寸導電碳化硅襯底晶片，該產(chǎn)品在多個關(guān)鍵性能指標上達到了行業(yè)領(lǐng)先水平，并已具備量產(chǎn)能力，自2023年起開始進行小批量生產(chǎn)。?? ?

在2023年2月，天科合達完成了Pre-IPO輪的融資，并于8月開啟了碳化硅晶片的二期擴產(chǎn)計劃，預(yù)計新增16萬片的年產(chǎn)能。該擴產(chǎn)項目計劃在2024年6月完成建設(shè)，并于8月正式投產(chǎn)，屆時公司的總年產(chǎn)能預(yù)計將達到23萬片。

同年5月，天科合達與全球半導體巨頭英飛凌簽訂了長期供貨協(xié)議，承諾提供6英寸碳化硅晶圓和晶錠，并計劃供應(yīng)占英飛凌長期需求的兩位數(shù)比例；同時，天科合達還將提供8英寸碳化硅材料，支持英飛凌向更大尺寸晶圓的過渡。

在2023年9月，受到宏觀經(jīng)濟和股市變動的影響，上市政策突遭緊縮，導致天科合達的上市之路再次遭遇阻礙。盡管面臨這樣的挑戰(zhàn)，該公司在2023年下半年的業(yè)績卻呈現(xiàn)亮眼的表現(xiàn)，實現(xiàn)了營業(yè)收入的歷史性突破，首次超過10億元人民幣，相比去年實現(xiàn)了翻倍的增長。此外，天科合達已經(jīng)向國內(nèi)外超過500家客戶提供了服務(wù)，累計銷售的導電型碳化硅襯底材料數(shù)量超過了60萬片，展現(xiàn)了其在半導體材料領(lǐng)域的強大實力和廣泛的市場影響力。

同光半導體

同光半導體，自2012年成立以來，專注于碳化硅單晶襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，成為國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅單晶襯底量產(chǎn)企業(yè)之一。此外，它也屬于全球為數(shù)不多的企業(yè)之一，能夠同時掌握高純半絕緣襯底和導電型襯底的制備技術(shù)。?? ?

經(jīng)過超過兩年的研發(fā)努力，同光半導體成功研制出8英寸導電型碳化硅晶體樣品，并正在致力于將其加工成碳化硅單晶襯底。該公司預(yù)計將在不久的將來開始小批量生產(chǎn)，期待通過客戶反饋來驗證產(chǎn)品的芯片制作成功率。

到了2022年，同光半導體位于河北的碳化硅襯底年產(chǎn)能達到了大約10萬片，并計劃大規(guī)模擴產(chǎn)。公司正在規(guī)劃建設(shè)一座擁有2000臺碳化硅晶體生長爐的生長基地，以及一個年產(chǎn)60萬片碳化硅單晶襯底的加工基地。預(yù)計到2025年末，這些擴建項目將全面達到產(chǎn)能，顯著提升同光半導體在碳化硅半導體材料市場的地位和影響力。

世紀金芯

世紀金芯，自2019年成立以來，專注于第三代半導體碳化硅功能材料的研發(fā)與生產(chǎn)。該公司代表著行業(yè)內(nèi)技術(shù)創(chuàng)新的前沿力量。?? ?

到了2022年9月，世紀金芯在合肥啟動的年產(chǎn)3萬片6英寸碳化硅單晶襯底項目正式投產(chǎn)。該項目的晶體良率超過92%，而綜合良率達到了65%。對于襯底外延后的下游芯片流片，SBD產(chǎn)品的綜合良率超過了95%，而MOSFET產(chǎn)品的綜合良率則達到了88%，產(chǎn)品已經(jīng)開始批量生產(chǎn)和交付。同時，8英寸單晶研發(fā)也取得了顯著進展，已經(jīng)進入到送樣驗證階段，且所有關(guān)鍵性能指標均達到了行業(yè)領(lǐng)先水平。

到了2024年1月，世紀金芯的全資子公司宇海電子的年產(chǎn)70萬片6至8英寸碳化硅單晶襯底項目在包頭市發(fā)改委完成了備案審批。該項目計劃總投資高達35億元人民幣，占地面積達到270畝，預(yù)計年產(chǎn)能達到70萬片6至8英寸碳化硅單晶襯底。項目的總建筑面積約為12萬平方米，包括碳化硅長晶爐、切磨拋加工以及測試等相關(guān)設(shè)施。總的建設(shè)周期為三年，計劃從2024年4月開始至2027年4月結(jié)束。?? ?

據(jù)悉，世紀金芯的產(chǎn)品線已經(jīng)涵蓋了6英寸、8英寸碳化硅襯底以及其他第三代半導體材料的研究。其6英寸碳化硅襯底已經(jīng)與國內(nèi)多家領(lǐng)先的外延和晶圓廠商建立了合作關(guān)系，并成功與HT、ZDK進行了多批次的樣品驗證。此外，該公司還在與臺灣的HY、JJ、韓國的GJ實驗室、SX進行產(chǎn)品驗證，并與日本的FG等進行了8英寸襯底產(chǎn)品的驗證。

中電化合物

中電化合物自2019年起步，得到華大投資支持，成立了一家專注于碳化硅晶體、襯底、外延以及氮化鎵（GaN）外延制造的企業(yè)，其中華大對中電化合物的持股比例高達48.93%。

在2022年10月，中電化合物宣布了一項總投資額達10.5億元人民幣的寬禁帶半導體材料項目，并打算在2021至2025年間投入8億元人民幣。項目計劃分為兩個階段進行：首期投資2.2億元人民幣，租用一萬平方米的工廠空間；第二期則計劃征用70畝土地，旨在形成年產(chǎn)8萬片4至6英寸碳化硅襯底及外延產(chǎn)品和碳化硅基氮化鎵N外延產(chǎn)品的能力。?? ?

到了2023年6月，中電化合物與韓國的Power Master達成了一項長期供應(yīng)協(xié)議，包括提供8英寸的碳化硅材料。緊接著在7月，中電化合物成功獲得瑞能半導的投資，金額達5000萬元人民幣，這進一步加強了其在半導體材料制造領(lǐng)域的資金和技術(shù)實力。

南砂晶圓

南砂晶圓，創(chuàng)辦于2018年，標志著一家專注于碳化硅單晶材料研究、制造及銷售的綜合型國家級高新技術(shù)企業(yè)的誕生。該企業(yè)依托山東大學近期在碳化硅單晶生長及襯底處理技術(shù)方面的研究成果，建立了深度的產(chǎn)學研合作體系。

2022年年末，南砂晶圓成功完成了B+輪的融資活動，此輪融資由渾璞投資牽頭。更早之前，在2021年9月，該公司啟動的總部基地建設(shè)項目達到了封頂里程碑，該項目總投資達到9億元人民幣，占地約36.8畝，預(yù)計建成面積達到91,372.47平方米，旨在年產(chǎn)各類碳化硅襯底達到150,000片的規(guī)模。

通過與山東大學晶體材料國家重點實驗室的緊密合作，南砂晶圓在過去幾年中在理論與技術(shù)研發(fā)方面取得了顯著成果，成功研發(fā)出了高品質(zhì)的8英寸導電型4H-SiC單晶及其襯底材料。

超芯星

超芯星，自2019年設(shè)立以來，已成為國內(nèi)首批致力于大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一，目前已成功實現(xiàn)6英寸碳化硅襯底的量產(chǎn)和出貨。該公司的創(chuàng)始團隊擁有國際領(lǐng)先的HTCVD技術(shù)背景，來自于全球知名的Norstel公司，并在1、2、3、4、6英寸碳化硅襯底的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化過程中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。?? ?

超芯星不僅在國內(nèi)市場取得了顯著成就，還是國內(nèi)為數(shù)不多能在國際競爭中占據(jù)一席之地的碳化硅襯底供應(yīng)商之一。特別值得一提的是，其6英寸碳化硅襯底產(chǎn)品已成功打入美國頂尖器件制造商，標志著中國碳化硅襯底企業(yè)在國際市場的重要突破。為了迎合全球市場的高需求，超芯星正按計劃進行產(chǎn)品交付并積極擴大產(chǎn)能，預(yù)計在不久的將來6至8英寸碳化硅襯底的年產(chǎn)能將達到150萬片。

到了2023年12月，超芯星已成功完成了數(shù)億元人民幣的C輪融資，進一步加強了其在碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化方面的領(lǐng)先地位。

科友半導體

科友半導體，自2018年成立以來，已經(jīng)成長為一家集第三代半導體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計及科研成果轉(zhuǎn)化為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。該公司的研發(fā)活動涵蓋了半導體裝備制造、晶體生長工藝、襯底加工等多個重要領(lǐng)域。?? ?

2022年5月，科友半導體的產(chǎn)學研基地一期工程順利完工，該項目自2020年啟動。依托公司自主研發(fā)的技術(shù)，一條年產(chǎn)10萬片第三代半導體襯底材料的生產(chǎn)線預(yù)備投入生產(chǎn)。

科友半導體已經(jīng)成功開發(fā)了6至8英寸碳化硅晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)和2至4英寸氮化鋁晶體生長的關(guān)鍵技術(shù)，其中6英寸碳化硅晶體的厚度已經(jīng)突破到了40mm。至2022年年底，該公司利用自主設(shè)計和制造的電阻長晶爐成功生產(chǎn)出直徑超過8英寸、表面光滑無缺陷的碳化硅單晶，其最大直徑超過了204mm，標志著科友半導體在6英寸碳化硅晶體厚度突破后又一次實現(xiàn)了重大技術(shù)進步。?? ?

目前，科友半導體擁有一條長晶爐生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達200臺長晶爐，以及一套高純石墨加工設(shè)備和一套高純度碳化硅原料制備設(shè)備。此外，公司還運營著一條6至8寸碳化硅晶體生產(chǎn)線，年產(chǎn)6至8寸碳化硅襯底達10萬片。

科友半導體在8英寸碳化硅襯底量產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)上取得了顯著成果，尤其在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速度、制備成本及裝備穩(wěn)定性等方面。到了2023年4月，公司的8英寸碳化硅中試線正式運行并開始生產(chǎn)，平均長晶良率已經(jīng)突破50%，晶體厚度達到了15mm以上，這一成就突破了國際的限制和封鎖，進一步證明了科友半導體在第三代半導體領(lǐng)域的技術(shù)實力和創(chuàng)新能力。

乾晶半導體

乾晶半導體，創(chuàng)立于2020年，致力于第三代半導體材料的研究與開發(fā)，成為一家融合半導體碳化硅單晶生長、晶片加工及設(shè)備開發(fā)于一體的創(chuàng)新型高新技術(shù)企業(yè)。?? ?

2023年2月，乾晶半導體成功完成了1億元人民幣的Pre-A輪融資。緊接著在4月，公司啟動了“6/8英寸碳化硅拋光襯底研發(fā)及中試項目”，該項目總占地22畝，總建筑面積大約19,000平方米，總投資達到約3億元人民幣，旨在建立一個集碳化硅6/8英寸單晶生長與襯底加工于一體的中試生產(chǎn)基地。

到了5月，浙江大學杭州科技創(chuàng)新中心的先進半導體研究院與杭州乾晶半導體聯(lián)合實驗室成功開發(fā)出8英寸導電型碳化硅產(chǎn)品，其中包括8英寸碳化硅晶錠及8英寸碳化硅拋光襯底。采用多段式電阻加熱的物理氣相傳輸（PVT）技術(shù)，實現(xiàn)了27mm厚的8英寸n型碳化硅單晶錠的生長，并進一步加工成8英寸碳化硅襯底，使乾晶半導體加入了8英寸碳化硅領(lǐng)域的先進行列。?? ?

在長晶技術(shù)上，乾晶半導體生長的6英寸碳化硅晶體厚度超過20mm，最厚處可達50mm，成品率高達70%，晶體生長周期僅需5天，位于國內(nèi)先進水平。在切割技術(shù)上，公司解決了使用金剛石線進行高速切割時的挑戰(zhàn)，包括劇烈的加工過程和晶片的翹曲問題，將單次切割時長縮短至20小時，顯著提升了加工效率。乾晶半導體還在積極開發(fā)激光剝離技術(shù)，以期進一步降低晶片切割的損耗和損傷層的厚度，展現(xiàn)了其在半導體材料加工技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新能力和技術(shù)優(yōu)勢。

天達晶陽

天達晶陽，自2020年成立伊始，便以中國科學院物理研究所和天科合達的先進技術(shù)為基礎(chǔ)，迅速在碳化硅單晶襯底行業(yè)中嶄露頭角。其采用的高端技術(shù)綜合實力在國內(nèi)居首位，全球排名第四，標志著該公司已達到國內(nèi)領(lǐng)先及國際先進的水平。

2021年4月，天達晶陽啟動了其碳化硅單晶體項目的關(guān)鍵階段——無塵車間的改造工作。該項目的第一階段涉及54臺碳化硅單晶生長爐，所有設(shè)備已經(jīng)到位，其中30臺設(shè)備已經(jīng)完成安裝并處于調(diào)試階段。

到了2022年4月，公司進一步加大投資力度，注資7.31億元人民幣，計劃建設(shè)一條配備400套完整設(shè)備的碳化硅晶體生產(chǎn)線。預(yù)計該生產(chǎn)線達產(chǎn)后，4至8英寸的碳化硅晶片年產(chǎn)能將能夠達到12萬片，顯著提升公司在碳化硅單晶襯底市場的競爭力和影響力。

晶越半導體

晶越半導體，自2020年成立以來，專注于6至8英寸導電型碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，成為該領(lǐng)域的重要參與者。

2020年6月，晶越半導體在上海與當?shù)厥薪?jīng)開區(qū)、溢起投資合伙企業(yè)及高冰博士團隊簽訂了“晶越碳化硅晶圓項目”的三方投資協(xié)議書。該項目規(guī)劃分為三個階段進行，總投資額達到驚人的100億元人民幣，預(yù)計第一階段投產(chǎn)后，月產(chǎn)能將達到1500片碳化硅晶圓。

到了2021年7月，浙江紹興市的生態(tài)環(huán)境局接受了晶越碳化硅項目的環(huán)評文件。項目第一期的計劃投資約為1.35億元人民幣，預(yù)期年產(chǎn)能為1.2萬片6英寸碳化硅晶片，顯示了晶越半導體在產(chǎn)業(yè)發(fā)展和環(huán)保責任方面的重視。?? ?

2022年6月，晶越成功完成了B輪融資，本輪融資由紅杉資本等領(lǐng)投，融資后的估值達到了1.35億元人民幣。這一重要的財務(wù)里程碑不僅為晶越半導體的未來發(fā)展注入了新的動力，也反映了資本市場對于晶越在碳化硅襯底材料研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域潛力的高度認可。

粵海金半導體

粵海金半導體，成立于2022年，隸屬于高金富恒集團，專注于碳化硅半導體材料的研發(fā)與生產(chǎn)。公司擁有山東東營的產(chǎn)業(yè)化基地和北京的研發(fā)中心，這兩大核心板塊構(gòu)成了其強大的產(chǎn)業(yè)與研發(fā)網(wǎng)絡(luò)。

依托于中科鋼研和國宏中宇第三代半導體材料制備關(guān)鍵共性技術(shù)的北京市工程實驗室，粵海金已經(jīng)建立了一套具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)體系。這些技術(shù)的應(yīng)用不僅提升了公司的研發(fā)實力，也為碳化硅半導體材料的產(chǎn)業(yè)化奠定了堅實的基礎(chǔ)。?? ?

國宏中能的年產(chǎn)11萬片碳化硅襯底項目，總投資達6.5億元，總建筑面積為3萬平方米。項目通過不斷的科研投入，在材料制備技術(shù)體系和核心裝備研制方面取得了顯著進展，已經(jīng)具備了投產(chǎn)的條件。

到了2023年5月，粵海金成功完成了超過億元的Pre-A輪融資。從2022年9月起，高金富恒集團已經(jīng)累計投入超過6億元人民幣，對北京研發(fā)中心和山東生產(chǎn)基地進行了技術(shù)升級與擴能改造。目前，粵海金的碳化硅襯底產(chǎn)品即將開始量產(chǎn)交付。

在2023年11月，粵海金半導體在碳化硅半導體領(lǐng)域取得了又一重大成就，成功研制出8英寸導電型碳化硅單晶與襯底片，標志著公司在高端碳化硅半導體材料研發(fā)和生產(chǎn)方面邁出了重要一步。

國碳半導體

國碳半導體，自2020年成立以來，依托自1991年起始的碳化硅長晶技術(shù)研發(fā)，已成為專注于碳化硅襯底晶體生長、加工及關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的創(chuàng)新型企業(yè)。該公司集合了擁有豐富襯底材料研發(fā)背景和成熟企業(yè)運營管理經(jīng)驗的創(chuàng)始團隊，其6-8英寸碳化硅襯底研發(fā)項目已在深圳市中清欣達膜技術(shù)研究院落戶，并計劃以10億元的投資在深圳建設(shè)一條年產(chǎn)24萬片6寸碳化硅襯底的生產(chǎn)線。?? ?

到了2022年10月，國碳半導體的6英寸車規(guī)級碳化硅襯底項目在深圳正式啟動生產(chǎn)。截至2023年11月，公司已成功獲得全球頂級客戶的Vendor Code，確保了年產(chǎn)50萬片碳化硅襯底的意向性產(chǎn)能需求。

此外，國碳半導體在2023年11月宣布，已經(jīng)聘請華興泛亞投資顧問（北京）有限公司負責其融資活動，本輪融資將主要用于中山生產(chǎn)基地的建設(shè)，展示了國碳半導體在碳化硅半導體材料領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展和擴張計劃。

晶格領(lǐng)域?? ?

晶格領(lǐng)域，自2020年創(chuàng)立以來，已成為一家融合碳化硅襯底研發(fā)、生產(chǎn)及銷售為一體的創(chuàng)新型高新技術(shù)企業(yè)。作為國內(nèi)首個采用液相法核心技術(shù)生長碳化硅晶體的企業(yè)，晶格領(lǐng)域擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的液相法生長技術(shù)。該技術(shù)相較于現(xiàn)有的物理氣相傳輸法（PVT法），不僅能顯著提升晶體質(zhì)量，降低生產(chǎn)成本，還能解決碳化硅襯底p型摻雜在產(chǎn)業(yè)化過程中難以實現(xiàn)的問題，對于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有深遠的意義。

晶格領(lǐng)域的液相法生長碳化硅半導體襯底項目是中國科學院物理所的科技成果轉(zhuǎn)化項目，項目分三期實施，預(yù)計總投資達7.5億元人民幣。在項目的第一階段，公司投資5000萬元，在中關(guān)村順義園租賃了1050平方米的廠房，用于建設(shè)4至6英寸液相法碳化硅晶體的中試生產(chǎn)線。2021年4月，項目的首批設(shè)備已經(jīng)到位并啟動了試生產(chǎn)。

目前，晶格領(lǐng)域已經(jīng)成功生長出4至6英寸的p型碳化硅晶體，無論是晶體尺寸、質(zhì)量還是厚度，均達到了國際先進水平，展示了公司在碳化硅襯底技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域的強大實力和創(chuàng)新能力。

審核編輯：黃飛

?