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簡(jiǎn)述碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

GReq_mcu168 ? 來源:Carbontech ? 作者:Alvin ? 2021-07-29 11:01 ? 次閱讀

隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),引爆了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求,國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),今天我們首先來探討一下碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

◆ 碳化硅襯底類型

碳化硅分為立方相(閃鋅礦結(jié)構(gòu))、六方相(纖鋅礦結(jié)構(gòu))和菱方相3大類共 260多種結(jié)構(gòu),目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價(jià)值。另碳化硅根據(jù)電學(xué)性能的不同主要可分為高電阻(電阻率 ≥105Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底和低電阻(電阻率區(qū)間為 15~30mΩ·cm)的導(dǎo)電型碳化硅襯底,滿足不同功能芯片需求,其中:

半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進(jìn)一步制成氮化鎵射頻器件;

導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上,需在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層得到碳化硅外延片,并在外延層上制造各類功率器件。

大尺寸碳化硅襯底有助于實(shí)現(xiàn)降本增效,已成主流發(fā)展趨勢(shì)。襯底尺寸越大,單位襯底可生產(chǎn)更多的芯片,因而單位芯片成本越低,同時(shí)邊緣浪費(fèi)的減少將進(jìn)一步降低芯片生產(chǎn)成本。目前業(yè)內(nèi)企業(yè)量產(chǎn)的碳化硅襯底主要以4英寸和6英寸為主,在半絕緣型碳化硅市場(chǎng),目前襯底規(guī)格以4英寸為主;而在導(dǎo)電型碳化硅市場(chǎng),目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為6英寸。國(guó)際巨頭CREE、II-VI以及國(guó)內(nèi)的爍科晶體都已成功研發(fā)8英寸襯底產(chǎn)品。

◆ 碳化硅單晶制備技術(shù)

碳化硅襯底制備技術(shù)包括 PVT 法(物理氣相傳輸法)、溶液法和HTCVD法(高溫氣相化學(xué)沉積法)等,目前國(guó)際上基本采用PVT法制備碳化硅單晶。 SiC單晶生長(zhǎng)經(jīng)歷3個(gè)階段,分別是Acheson法、Lely法、改良Lely法。

利用SiC高溫升華分解特性,可采用升華法即Lely法來生長(zhǎng)SiC晶體,它是把SiC粉料放在石墨坩堝和多孔石墨管之間,在惰性氣體(氬氣)環(huán)境溫度為 2 500℃的條件下進(jìn)行升華生長(zhǎng),可以生成片狀SiC晶體。

但Lely法為自發(fā)成核生長(zhǎng)方法,較難控制所生長(zhǎng)SiC晶體的晶型,且得到的晶體尺寸很小,后來又出現(xiàn)了改良的Lely法,即PVT 法(物理氣相傳輸法),其優(yōu)點(diǎn)在于:采用SiC籽晶控制所生長(zhǎng)晶體的晶型,克服了Lely法自發(fā)成核生長(zhǎng)的缺點(diǎn),可得到單一晶型的SiC單晶,且可生長(zhǎng)較大尺寸的SiC單晶。

◆ 為何半絕緣型與導(dǎo)電型碳化硅襯底技術(shù)壁壘都比較高?

PVT方法中SiC粉料純度對(duì)晶片質(zhì)量具有較大影響。粉料中一般含有極微量的氮(N),硼(B)、鋁(Al)、鐵(F e)等雜質(zhì),其中氮是n型摻雜劑,在碳化硅中產(chǎn)生游離的電子,硼、鋁是p型摻雜劑,產(chǎn)生游離的空穴。

為了制備n型導(dǎo)電碳化硅晶片,在生長(zhǎng)時(shí)需要通入氮?dú)猓屗a(chǎn)生的一部分電子中和掉硼、鋁產(chǎn)生的空穴(即補(bǔ)償),另外的游離電子使碳化硅表現(xiàn)為n型導(dǎo)電。

為了制備高阻不導(dǎo)電的碳化硅(半絕緣型),在生長(zhǎng)時(shí)需要加入釩(V)雜質(zhì),釩既可以產(chǎn)生電子,也可以產(chǎn)生空穴,讓它產(chǎn)生的電子中和掉硼、鋁產(chǎn)生的空穴(即補(bǔ)償),它產(chǎn)生的空穴中和掉氮產(chǎn)生的電子,所以所生長(zhǎng)的碳化硅幾乎沒有游離的電子、空穴,形成高阻不導(dǎo)電的晶片(半絕緣型)。

摻釩工藝復(fù)雜,所以半絕緣碳化硅很難制備,成本很高。近年來也出現(xiàn)了通過點(diǎn)缺陷來實(shí)現(xiàn)高阻半絕緣碳化硅的方法。p型導(dǎo)電碳化硅也不容易制備,特別是低阻的p型碳化硅更不容易制備。

◆ 下游市場(chǎng)需求強(qiáng)勁,碳化硅襯底市場(chǎng)迎來黃金成長(zhǎng)期

導(dǎo)電型碳化硅襯底方面,受益于新能源汽車逆變器的巨大需求,將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),根據(jù)中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的數(shù)據(jù)顯示,預(yù)計(jì)2020-2025年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求,4英寸逐步從10萬片市場(chǎng)減少到5萬片,6英寸晶圓將從8萬片增長(zhǎng)到20萬片;2025~2030年:4英寸晶圓將逐漸退出市場(chǎng),6英寸晶圓將增長(zhǎng)至40萬片。

半絕緣型碳化硅襯底方面,受下游5G基站強(qiáng)勁需求驅(qū)動(dòng),碳化硅基氮化鎵高頻射頻器件將逐步加強(qiáng)市場(chǎng)滲透,市場(chǎng)空間廣闊,預(yù)計(jì)2020-2025年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的需求,4英寸逐步從5萬片市場(chǎng)減少到2萬片,6英寸晶圓將從5萬片增長(zhǎng)到10萬片;2025~2030年:4英寸晶圓將逐漸退出市場(chǎng),保守估計(jì)6英寸晶圓將增長(zhǎng)至20萬片。

◆ 碳化硅襯底國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程大提速

全球碳化硅襯底代表企業(yè)主要有CREE、II-VI、SiCrystal,國(guó)際龍頭企業(yè)相比國(guó)內(nèi)企業(yè)由于起步早,在產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)、技術(shù)成熟度、產(chǎn)能規(guī)模等方面具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),搶占了全球碳化硅襯底絕大部分的市場(chǎng)份額。

隨著下游終端市場(chǎng),新能源汽車、光伏、5G基站等領(lǐng)域的快速增長(zhǎng),為上游碳化硅襯底提供了巨大的市場(chǎng)活力,國(guó)內(nèi)以山東天岳、天科合達(dá)、爍科晶體等為代表的企業(yè)紛紛跑馬圈地碳化硅襯底市場(chǎng),通過加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入,逐漸掌握了4英寸至6英寸,甚至8英寸的碳化硅襯底制造技術(shù),縮小了與國(guó)際龍頭之間技術(shù)與產(chǎn)能方面的差距。

編輯:jq

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原文標(biāo)題:碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程

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