碳化硅功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度是中國(guó)制造2025戰(zhàn)略的典型成果，通過(guò)政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求共振，實(shí)現(xiàn)了從“進(jìn)口替代”到“全球競(jìng)爭(zhēng)”的跨越。這一進(jìn)程不僅提升了中國(guó)在高端制造領(lǐng)域的國(guó)際地位，還為新能源革命和可持續(xù)發(fā)展提供了關(guān)鍵支撐。

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度是中國(guó)制造2025戰(zhàn)略的重要成果之一，其發(fā)展不僅體現(xiàn)了國(guó)家對(duì)核心技術(shù)的自主可控目標(biāo)，還推動(dòng)了高端制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)。主要得益于政策驅(qū)動(dòng)、市場(chǎng)需求爆發(fā)、技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同四重因素的疊加效應(yīng)。其背后邏輯可拆解為以下關(guān)鍵點(diǎn)：

一、政策強(qiáng)力推動(dòng)：國(guó)家戰(zhàn)略與地方產(chǎn)業(yè)布局

頂層設(shè)計(jì)定位“卡脖子”突破重點(diǎn)

中國(guó)制造2025明確將第三代半導(dǎo)體列為重點(diǎn)突破領(lǐng)域，碳化硅因其在高電壓、高溫環(huán)境下的優(yōu)異性能成為關(guān)鍵方向。

地方政府通過(guò)“鏈長(zhǎng)制”推動(dòng)產(chǎn)業(yè)集群建設(shè)，國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體已經(jīng)構(gòu)建“襯底-外延-器件-封裝”全產(chǎn)業(yè)鏈；

國(guó)產(chǎn)替代窗口期的政策紅利

美國(guó)技術(shù)封鎖加速自主可控需求，國(guó)內(nèi)企業(yè)獲得優(yōu)先采購(gòu)權(quán)。例如，BASiC基本股份自研的碳化硅模塊已用于國(guó)內(nèi)多家主機(jī)廠，替代英飛凌方案。

2023年《汽車(chē)芯片推廣應(yīng)用推薦目錄》中，國(guó)產(chǎn)碳化硅器件占比達(dá)35%，政策傾斜顯著。

二、市場(chǎng)需求爆發(fā)：新能源革命催生剛需

新能源汽車(chē)：核心驅(qū)動(dòng)力

碳化硅器件可將電驅(qū)系統(tǒng)效率提升5%-10%，續(xù)航增加8%-15%。2023年國(guó)內(nèi)新能源車(chē)滲透率超35%，帶動(dòng)碳化硅需求激增。

車(chē)企自研綁定國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈：

BASiC基本股份自2017年開(kāi)始布局車(chē)規(guī)級(jí)SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴(yán)謹(jǐn)?shù)馁|(zhì)量管理體系，將質(zhì)量管理貫穿至設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)到客戶(hù)服務(wù)的各業(yè)務(wù)過(guò)程中，保障產(chǎn)品與服務(wù)質(zhì)量。BASiC基本股份分別在深圳、無(wú)錫投產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)SiC碳化硅（深圳基本半導(dǎo)體）芯片產(chǎn)線和汽車(chē)級(jí)SiC碳化硅功率模塊（無(wú)錫基本半導(dǎo)體）專(zhuān)用產(chǎn)線；BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車(chē)級(jí)SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車(chē)廠和Tier1電控客戶(hù)的30多個(gè)車(chē)型定點(diǎn)，是國(guó)內(nèi)第一批SiC碳化硅模塊（比如BASiC基本股份）量產(chǎn)上車(chē)的頭部企業(yè)。

光伏與儲(chǔ)能：降本增效剛需

碳化硅逆變器可將光伏系統(tǒng)損耗降低2%，國(guó)內(nèi)光伏裝機(jī)量全球占比超80%，倒逼國(guó)產(chǎn)器件替代。

某上市電力電子頭部企業(yè)采用基本半導(dǎo)體的SiC模塊，使儲(chǔ)能變流器功率密度提升25%。

三、技術(shù)突破：從材料到器件的全鏈條創(chuàng)新

襯底與外延片國(guó)產(chǎn)化突破

天岳先進(jìn)的6英寸導(dǎo)電型襯底缺陷密度降至200/cm2，成本比進(jìn)口低40%；

器件設(shè)計(jì)與制造能力提升

在雙脈沖測(cè)試中，BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 碳化硅MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗（Eon/Eoff） 在常溫和高溫下均優(yōu)表現(xiàn)優(yōu)異，得益于SiC MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性（低寄生電容、低反向恢復(fù)電荷）。高 Ciss/Crss 倍率 設(shè)計(jì)優(yōu)化了驅(qū)動(dòng)效率，降低開(kāi)關(guān)損耗。

封裝技術(shù)差異化創(chuàng)新

BASiC基本股份推出銅線鍵合+銀燒結(jié)封裝工藝，器件壽命延長(zhǎng)3倍；

BASiC基本股份的碳化硅模塊通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)AQG324認(rèn)證，耐溫達(dá)175℃。

四、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同：從單點(diǎn)突破到生態(tài)閉環(huán)

縱向整合降低成本

BASiC基本股份自研SiC芯片并綁定多家國(guó)產(chǎn)汽車(chē)主機(jī)廠，形成“設(shè)計(jì)-制造-應(yīng)用”閉環(huán)。

橫向合作構(gòu)建生態(tài)

國(guó)產(chǎn)襯底及器件和終端客戶(hù)打造光伏-儲(chǔ)能-汽車(chē)碳化硅生態(tài)鏈；

五、國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局下的中國(guó)機(jī)遇

產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)：截至2024年，中國(guó)碳化硅晶圓產(chǎn)能占全球35%，預(yù)計(jì)2025年將超60%；

價(jià)格戰(zhàn)策略：國(guó)產(chǎn)6英寸晶圓價(jià)格已降至國(guó)際水平的40%，迫使英飛凌、Wolfspeed降價(jià)應(yīng)對(duì)；

專(zhuān)利突圍：2023年國(guó)內(nèi)碳化硅相關(guān)專(zhuān)利授權(quán)量同比增長(zhǎng)58%，在器件結(jié)構(gòu)、缺陷控制等關(guān)鍵領(lǐng)域形成壁壘。

碳化硅國(guó)產(chǎn)化不僅關(guān)乎半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，更是中國(guó)制造2025“質(zhì)量為先、綠色發(fā)展”理念的縮影。未來(lái)，其應(yīng)用將擴(kuò)展至智能電網(wǎng)、低空經(jīng)濟(jì)等新興領(lǐng)域，成為全球能源革命的核心驅(qū)動(dòng)力

總結(jié)：國(guó)產(chǎn)化背后的深層邏輯

碳化硅功率半導(dǎo)體的高國(guó)產(chǎn)化程度，本質(zhì)上是**“政策紅利+市場(chǎng)倒逼+技術(shù)攻堅(jiān)”**的共振結(jié)果。其意義不僅在于打破海外壟斷，更在于推動(dòng)中國(guó)從“半導(dǎo)體跟隨者”向“規(guī)則制定者”轉(zhuǎn)型——例如，中國(guó)主導(dǎo)的《碳化硅功率器件測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)》已成為國(guó)際電工委員會(huì)（IEC）參考文件。未來(lái)，隨著12英寸晶圓量產(chǎn)和成本進(jìn)一步下探，國(guó)產(chǎn)碳化硅有望在智能電網(wǎng)、低空經(jīng)濟(jì)等新場(chǎng)景中持續(xù)領(lǐng)跑全球。