在導通數據中,原本2,742μJ的開關損耗變為1,690μJ,損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44
949 
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索,那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:23
1504 MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎?柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎?
2023-05-16 14:33:51
,當開關管導通時,輸入電壓直接向負載供給并把能量儲存在儲能電感中。當開關管截止時,再由儲能電感進行續 流向負載傳遞。把輸入的直流電壓轉換成所需的各種低壓?! ∪绾?b class="flag-6" style="color: red">減少開關電源變壓器的損耗: 減少銅損
2018-10-15 06:00:12
,高頻化可以有效的減小磁性元件的體積和重量,即開關器件的工作頻率越高,其體積和重量越小。傳統的DCOC變換器中,開關器件工作在硬開關狀態?! ∮?b class="flag-6" style="color: red">開關的缺點如下: (1)開通和關斷過程損耗比較大; (2
2019-08-27 07:00:00
升壓式DC_DC變換器LM2623(資料下載)升壓式DC_DC變換器LM2623(資料下載)
2017-10-26 11:51:05
《開關變換器的實用仿真與測試技術》系統地論述了開關變換器模型、控制方面的基本原理和實用設計方法、基本仿真和實驗測試技術,以及開關調節系統設計中的仿真與測試技術的應用。主要內容有:DC-DC變換器模型
2016-06-11 16:50:47
在所有開關電源中,有一些常見的寄生參數,在觀察變換器內主要交流節點的波形時,可以明顯看到它們的影響。有些器件的數據資料中,甚至給出了這些參數,如MOSFET的寄生電容。兩種常見變換器的主要寄生參數見圖3
2020-08-27 08:07:20
寄生參數 在所有開關電源中,有一些常見的寄生參數,在觀察變換器內主要交流節點的波形時,可以明顯看到它們的影響。有些器件的數據資料中,甚至給出了這些參數,如MOSFET的寄生電容。兩種常見變換器的主要
2023-03-16 16:37:04
一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗;關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析:(1)、非理想的開關管在開通時,開關
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)組成的類型,也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比,開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中,Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
將二個電壓疊加就實現的電壓的提升,這就是升壓變換器的基本原理。使用儲能元件從輸入電源獲取能量得到一個電壓,然后將它和輸入電壓順向串聯,就可以實現升壓功能。電容和電感是二種常用的儲能元件,如果使用電
2021-12-29 06:01:10
。開關管Q也為PWM控制方式,但最大占空比Dy必須限制,不允許在Dy=1的狀態下工作。電感Lf在輸入側,稱為升壓電感。Boost變換器也有CCM和DCM兩種工作方式。Buck/Boost變換器也
2021-03-18 09:28:25
類在同頻率下進行比較,這類電壓波形的諧波含量最大。但由于獲得這類電壓波形的諧振變換器中開關損耗相對較小,因而開關頻率可以適當提高,從而減小濾波元件的體積。 5)第5類全波整流方式使得整流級電壓產生
2013-01-22 15:54:30
LLC諧振變換器中常見MOSFET失效模式有哪幾種?怎么解決?
2021-09-18 07:30:41
MAX731開關控制型DCDC升壓變換器電路圖分析
2021-03-31 07:07:29
如圖片所示,為什么MOS管的開關損耗(開通和關斷過程中)的損耗是這樣算的,那個72pF應該是MOS的輸入電容,2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds,而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關,與MOS管的結電容,輸入電容,輸出電容都有關系吧?具體的關系是什么?有沒有具體計算開關損耗的公式?
2017-05-31 10:04:51
光模塊應用首選升壓變換器TPS61390
2020-12-28 06:59:46
ZCS-PWM Buck變換器的工作原理是什么?與功率場效應管(MOSFET)相比,絕緣柵雙極晶體管有什么優點?通過Saber仿真軟件對新型ZCS PWM Buck變換器進行的仿真分析如何?
2021-04-07 07:02:40
高頻化:為減少開關變換器的體積,進步其功率密度,并改善動態響應,小功率DC-DC電源模塊變換器開關頻率將由如今的200-500kHz進步到1MHz以上,但高頻化又會產生新的問題,如:開關損耗以及
2013-05-01 15:48:44
工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。1. 開通過程中MOSFET開關損耗2. 關斷過程中MOSFET開關損耗3. Coss產生的開關損耗4.Coss對開關過程的影響希望大家看了本文,都能深入理解功率MOSFET的開關損耗。
2021-01-30 13:20:31
項目名稱:基于Sic MOSFET的直流微網雙向DC-DC變換器試用計劃:申請理由本人在電力電子領域(數字電源)有五年多的開發經驗,熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓撲。我
2020-04-24 18:08:05
一種準諧振軟開關雙管反激變換器。該變換器具有雙管反激變換器的優點,所有開關管電壓應力鉗位在輸入電壓,因此,可選取低電壓等級、低導通電阻MOSFET以提高變換器的效率、降低成本。利用諧振電感與隔直電容
2018-08-25 21:09:01
本講座將介紹最近研制的600W的不對稱半橋(AHB)直流變換器,采用ZVS軟開關技術減少器件的開關損耗資料來自網絡
2019-05-01 22:39:49
都會產生沖擊;輕載時,不需通過大幅改變頻率來穩住輸出電壓。與串聯諧振相比變換器工作范圍更大,可工作至空載;當輕載時輸入電流變化不大,開關管的通態損耗相對固定。在輕載時的效率比較低,較為適合工作于
2020-10-13 16:49:00
快充及電源適配器通常采用傳統的反激變換器結構,隨著快充及PD適配器的體積進一步減小、功率密度進一步提高以及對于高效率的要求,傳統的硬開關反激變換器技術受到很多限制。采用軟開關技術工作在更高的頻率
2018-06-12 09:44:41
總共可以降低77%。這是前面提到的第一個優勢。右圖是以PWM逆變器為例的損耗仿真,是開關頻率為5kHz和30kHz時開關損耗和傳導損耗的總體損耗。在與IGBT模塊的比較中,5kHz條件下總體損耗降低
2018-11-27 16:37:30
二極管(Si FRD)的IGBT相比,開通損耗顯著降低。 在用于車載充電應用的案例中,開關損耗降低了67%,整體損耗降低了56%。此外,在與通常被認為比IGBT損耗更少的SJ-MOSFET進行比較
2022-07-27 10:27:04
一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢?一、開關損耗
2021-11-18 07:00:00
公式計算:同樣,關斷損耗的米勒平臺時間在關斷損耗中占主導地位。對于兩個不同的MOSFET,如A管和B管,即使A管的Qg和Ciss小于B管的,但如果A管的Crss比B管的大得多時,A管的開關損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
的開通過程中,跨越線性區是產生開關損耗的最根本的原因。這表明:米勒平臺時間在開通損耗中占主導地位,這也是為什么在選擇功率MOSFET的時候,如果關注開關損耗,那么就應該關注Crss或QGD,而不僅僅是
2017-02-24 15:05:54
時的損耗:阻性關斷的損耗和上面過程相類似,二者相加,就是阻性開關過程中產生的總的開關損耗。功率MOSFET所接的負載、變換器輸出負載和變換器所接的輸出負載是三個完全不同的概念,下面以BUCK變換器為例來說
2016-12-16 16:53:16
電機相結合,發展起來的新型無級調速系統。功率變換器是開關磁阻電機驅動系統的重要組成部分,在電機成本中占有很大比重,其性能的好壞將直接影響到電機的工作效率和可靠性。功率變換器拓撲結構的不同主要表現在電機
2018-09-27 15:32:13
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器,如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
本文以升壓ZVT-PWM變換器為例,用集成芯片MC34152和CMOS邏輯器件設計了一種可滿足以上要求的軟開關變換器驅動電路。
2021-04-22 06:45:34
我有幾個問題要采用Boost變換器的睡眠模式:1)數據表中的表6-4(01-849 33 Rev)。*我)表示“芯片必須醒來periodicallyfor Boost有源模式刷新”。如何定義“周期性
2019-11-06 11:00:43
如何更加深入理解MOSFET開關損耗?Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響?
2021-04-07 06:01:07
本文以升壓ZVT-PWM變換器為例,用集成芯片MC34152和CMOS邏輯器件設計了一種可滿足以上要求的軟開關變換器驅動電路。
2021-04-22 06:09:47
DC/DC轉換器是利用MOSFET開關閉合時在電感器中儲能,并產生電流。當開關斷開時,貯存的電感器能量通過二極管輸出給負載。如下圖所示。所示三種變換器的工作原理都是先儲存能量,然后以受控方式釋放能量
2021-11-16 07:54:48
本文以升壓ZVT-PWM變換器為例,用集成芯片MC34152和CMOS邏輯器件設計了一種可滿足以上要求的軟開關變換器驅動電路。
2021-04-21 06:03:59
MOSFET通過降低開關損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術可以實現更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度。 理想開關 在典型的同步降壓開關電源轉換器中,MOSFET作為開關使用時
2012-12-06 14:32:55
線性區產生的開關損耗通??梢院雎圆挥?,因此在低壓功率MOSFET的數據表中,通常不會列出Eoss。常用的ACDC變換器如Flyback結構的電源系統,輸入的電壓范圍為100-380VDC,甚至更高的輸入
2017-03-28 11:17:44
最便宜,但由于電阻消耗了能量,效率較低,在各種軟開關技術中性能最差,而諧振變換器雖然實現了ZVS或ZCS,減少了開關損耗,但諧振能量必須足夠大才能創造ZVS或ZCS條件,而且諧振電路中循環電流較大
2013-05-17 11:36:19
較小,高頻功率變壓器的利用率高等優點。而且全橋DC-DC變換器適合做軟開關管控制,減小變換器中的開關管損耗提高轉化效率?! ∪嗳珮駾C-DC變換器結構,三相的結構將電流、損耗均分到每相中,適合大功率
2023-03-03 11:32:05
的圖像。圖1:開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時,驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段
2018-08-30 15:47:38
在本文中,我將討論直流/直流穩壓器部件的開關損耗,從第1部分中的圖3(此處為圖1)開始:VDS和ID曲線隨時間變化的圖像。圖1:開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關
2018-06-05 09:39:43
可以較好的解決移相全橋PWM ZVS DC/DC變換器存在的缺點。從實現上來說,諧振變換器相對 PWM 變換器,具有開關工作頻率高、開關損耗小、允許輸入電壓范圍寬、效率高、重量輕、體積小、EMI噪聲
2019-09-28 20:36:43
信號,以改變變換器的開關頻率。在比外部用四個功率MOSFET構成高效率同步整流電路,使得在降壓或升壓狀態都可獲得更小的損耗,圖2是其效率特性。
2021-05-12 07:07:49
的選擇 1.DC-DC電源變換器的三個元器件 1)開關:無論哪一種DC/DC變換器主回路使用的元件只是電子開關、電感、電容。電子開關只有快速地開通、快速地關斷這兩種狀態。只有快速狀態轉換引起的損耗才
2014-06-05 15:15:32
了大幅改善。這里有導通和關斷相關的開關損耗比較數據。在導通數據中,原本2,742μJ的開關損耗變為1,690μJ,損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2,039μJ降至1,462μJ,損耗減少了約30
2020-07-01 13:52:06
采用TOP開關的PFC升壓變換器電路圖
2019-05-21 09:54:35
圖1:開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時,驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分,您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段(圖
2022-11-16 08:00:15
極性晶體管制成的100kHz、用MOSFET制成的500kHz電源,雖已實用化,但其頻率有待進一步提高。要提高開關頻率,就要減少開關損耗,而要減少開關損耗,就需要有高速開關元器件。然而,開關速度提高后
2012-06-05 11:59:26
ZVS 移相全橋變換器運行時超前橋臂和滯后橋臂開關管損耗明顯不同,使得大功率變換器散熱器設計困難,且影響了變換器可靠運行。本文在分析ZVS 移相全橋變換器超前橋臂和滯
2009-04-06 11:53:28
66 新型ZVS 軟開關直流變換器的研究:摘要:綜述了幾種新型的零電壓(ZVS)DC/DC變換器,并分析了變換器的優缺點,研究了一種新型MOSFET作為開關器件的三電平ZVS變換器,并分析了這種
2009-06-19 19:49:33
58
提出了5 kW PWM加相移復合控制雙向DC/DC變換器的優化設計.根據不同的開關器件MOSFEWIGBT和不同的輸入電壓42V/380V,依據開關損耗模型設計開關損耗最小的雙向DC/DC變換器.根據PWM加相
2009-10-16 09:19:13
75 介紹了一種具有無損耗緩沖電路的軟開關雙管正激式變換器。它采用無損耗緩沖技術,使開關管工作在軟開關狀態,抑制了dv/dt,使開關管的開關損耗下降一半左右。同時緩沖電路本
2009-10-16 09:35:59
76 新型交錯并聯雙管正激軟開關變換器
摘要:提出一種新型的交錯并聯雙管正激零電壓零電流軟開關脈寬調制(pulse width modulation,PWM) DC-DC 變換器。與傳統的交錯并聯雙
2010-06-10 17:18:31
58 介紹了一種準諧振軟開關反激變換器。它的主要優點是利用開關兩端的電容與變壓器原邊電感產生的諧振,通過適當控制實現了零電壓開通,減小了開關損耗,提高了變換器的效
2010-10-13 15:59:13
38 提出了一種利用耦合輸出電感的新型次級箝位零電壓、零電流開關-脈寬調制(ZVZCS-PWM)全橋變換器。它采用無損耗元件及有源開關的簡單輔助電路,實現了滯后橋臂的零電流開關。
2010-10-26 15:14:19
30
采用TOP開關的PFC升壓變換器電路圖
2009-05-12 14:35:02
808 
升壓變換器,升壓變換器輸入輸出電壓關系及公式
Boost電路:升壓斬波器,入出極性相同。利用同樣的方法,根
2009-05-12 20:53:17
9960 
升壓變換器基本電路
圖 升壓變換器基本電路
升壓變換器是將
2009-07-20 16:04:42
1310 
新型ZVZCT軟開關PWM變換器的研究
摘要:提出一種新型的ZVZCT軟開關PWM變換器,主開關管電壓電流為互相錯開的梯形波(4個零、4個斜坡),輔助管為零電流通斷,特
2009-07-25 10:37:45
756 理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:59
3320 MAX752升壓開關型DCDC變換器應用電路
2009-12-10 10:42:25
962 
MAX731開關控制型DCDC升壓變換器電路
MAX731為開關控制型DC—DC升壓變換器,
2009-12-10 10:44:51
1892 
一、基本電路拓撲與工作原理
基于電感升壓開關型變換器的
2010-10-21 17:36:54
1662 
軟開關技術可降低開關損耗和線路的EMI,提高效率和功率密度,提高開關頻率從而減小變換器體積和重量。
2012-02-23 10:38:57
4382 
MOSFET才導通,因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS,而其關斷是自然的0電壓關斷ZVS,因此同步MOSFET在整個開關周期是0電壓的開關ZVS,開關損耗非常小,幾乎可以忽略不計,所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產生的導通損耗,選取時只需要考慮RDS(ON)而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:23
59180 
為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題,通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖,定位了MOSFET 開關損耗的來源,進而為緩啟動電路設計優化,減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:05
38 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節,但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索,那么該如何量化評估呢?
2017-11-10 08:56:42
6345 針對傳統Boost變換器升壓能力有限,而開關電容網絡輸出電壓不可調問題,提出將開關電容網絡與傳統Boost電路相結合的方法。利用開關電容網絡串聯放電、并聯充電以及傳統Boost電路輸出電壓可調的特點
2017-11-14 15:03:30
10 針對現有升壓變換電路升壓能力有限、紋波大和效率低等問題,設計并實現了一種基于開關電容單級網絡的電源升壓變換器,通過實驗測取開關電容單級網絡升壓變換器在不同占空比條件下輸出電壓隨輸入電壓變化的數據繪制
2017-11-14 17:48:52
9 通常開關型降壓變換器的開關晶體管是串接在電路中的,而開關型升壓變換器的開關晶體管則是與負載并聯的,與負載串聯連接的元器件是電感線圈和二極管。所以若把這兩種變換器用做備份,當電源處于待機狀態時,降壓變換器由于開關晶體管將輸人輸出端的通路切斷,待機功耗很小,消耗電流在1uA以下。但升壓變換器則不然。
2018-06-18 08:12:00
5063 
提出一種繞組退磁電壓實時控制,且結構簡單的新型有源升壓功率變換器。該變換器利用繞組退磁能量和有源功率器件,根據電機工況實時控制繞組退磁電壓,實現轉速、負載較大變化情況下開關磁阻電機的高效率、低轉矩
2018-03-06 11:10:12
1 的反向恢復問題會導致嚴重的電磁干擾( Electro Magnetic Interference,EMI)干擾和開關損耗。同時,在高頻應用場合中,主開關管的硬開關也加劇了開關損耗,限制了變換器效率的提高。 在傳統同步整流Buck變換器中,主開關管的硬開關和同步整流管體寄生二極
2018-03-14 11:10:31
0 。為了實現高升壓增益,Boost變換器需要工作在極限占空比,從而增大了開關管的開關損耗,降低了變換器效率。 本文在引入輔助網絡單元,提出一種基于輔助網絡的軟開關二次型Boost高增益變換器。該變換器實現了全部開關管的ZVS和輸出二極管的
2018-04-24 11:16:29
7 PWM DC-DC變換器中開關損耗是限制進一步提高開關頻率的重要因素。
2018-05-30 08:59:43
14 提出了一種零電流開關(ZCS)雙開關可變電感DCDC正激變換器。采用準諧振技術實現ZCS工作。這種可變電感器技術被用來減少開關損耗和輸出二極管電流的峰值。因此,可以提高轉換效率。此外,有源開關兩端
2018-09-03 08:00:00
14 一個高質量的開關電源效率高達95%,而開關電源的損耗大部分來自開關器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關器件的損耗,對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢?
2019-06-27 10:22:08
1926 本文提出了一種高增益升壓型DC-DC變換器。傳統升壓變換器(如開關電感變換器、開關電容變換器、級聯升壓變換器等)的最大電壓增益受到極限占空比(即接近統一的占空比)的限制,在極限占空比下運行會導致嚴重
2019-07-24 08:00:00
1 傳統的升壓PFC僅使用一個有源開關,通常是650V超結Si MOSFET。當今,大多數常規開關電源都采用升壓PFC,從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開關損耗,但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:41
2636 
功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:02
48 升壓式DC/DC變換器,簡稱升壓式變換器,英文為BoostConverter,也稱Boost變換器,也是常用的DC/DC變換器之一。
2021-06-13 09:08:23
6474 
一種用于儲能的新型軟開關雙向DCDC 變換器(實用電源技術答案)-一種用于儲能的新型軟開關雙向DCDC 變換器
2021-09-27 11:04:59
87 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗;關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析:(1)、非理想的開關管在開通時,開關
2021-10-22 10:51:06
11 。此外,今天的開關元件沒有非常高的運行速度,不幸的是,在轉換過程中不可避免地會損失一些能量(幸運的是,隨著新電子元件的出現,這種能量越來越少)。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關損耗率。
2022-08-05 08:05:07
5936 
開關過程中,穿越線性區(放大區)時,電流和電壓產生交疊,形成開關損耗。其中,米勒電容導致的米勒平臺時間,在開關損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:00
978 從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受:導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子:可知,六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:49
15 前言:為了方便理解MOSFET的開關過程及其損耗,以Buck變換器為研究對象進行說明(注:僅限于對MOSFET及其驅動進行分析,不涉及二極管反向恢復等損耗。)
2023-06-23 09:16:00
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變換器,LLC諧振變換器有許多優勢,下文將詳細介紹。 1. 高效性 LLC諧振變換器具有很高的轉換效率,是因為該變換器采用了電感、電容、電阻等元器件的串聯諧振電路。由于電路采用了諧振電路,極大地減少了開關管的開關損耗,使得功率器件的損耗大大降低,能夠將輸入電源的
2023-10-22 12:52:14
1064 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34
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。 CLLC諧振變換器和LLC變換器都是應用廣泛的諧振變換器拓撲結構。它們在變換器設計中具有高效、高性能和低開關損耗的優勢。它們采用諧振電感元件和諧振電容元件來減小開關器件的開關損耗,并通過變頻調制技術提供高效的能量轉換。 首先,CLLC諧
2023-12-01 14:26:13
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