在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44
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通過調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過零，以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷，消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過零以實(shí)現(xiàn)零電壓開通，不過零則谷底開通，降低開關(guān)損耗。兩相TM交錯(cuò)180deg后可大幅減小輸入高頻紋波。
2023-03-20 11:23:281698 
MOS 管的開關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
MOSFET 的選擇關(guān)乎效率，設(shè)計(jì)人員需要在其傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間進(jìn)行權(quán)衡。傳導(dǎo)損耗發(fā)生在在 MOSFET 關(guān)閉期間，由于電流流過導(dǎo)通電阻而造成；開關(guān)損耗則發(fā)生在MOSFET 開關(guān)期間，因?yàn)?MOSFET 沒有即時(shí)開關(guān)而產(chǎn)生。這些都是由 MOSFET 內(nèi)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:33168 
的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，開關(guān)損耗測(cè)試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上。電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開關(guān)
2024-01-20 17:08:06916 
、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊憽?導(dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外
2018-08-27 20:50:45
針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗，并對(duì)電路
2021-06-16 09:21:55
會(huì)測(cè)量測(cè)試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。 在硬開關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動(dòng)電壓和阻抗以及整流二極管的恢復(fù)特性決定了Eon開關(guān)損耗。對(duì)于像傳統(tǒng)CCM升壓PFC電路來說，升壓二極管恢復(fù)特性在Eon
2020-06-28 15:16:35
的特點(diǎn)。對(duì)于這種有橋boost PFC電路可以采用TI的低邊驅(qū)動(dòng)芯片，如UCC27524,UCC27517等。這種驅(qū)動(dòng)芯片相對(duì)于分立器件方案，具有驅(qū)動(dòng)電流大，驅(qū)動(dòng)速度快，尺寸更小，可靠性更高的特點(diǎn)
2019-03-19 06:45:01
3、開關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過程中會(huì)產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。降低器件損耗，提升系統(tǒng) EMI 表現(xiàn)。在新能源汽車電機(jī)控制器
2021-11-10 09:10:42
MOSFET”）標(biāo)記為“Original”?？紤]到噪聲問題，Original的RG采用100Ω。對(duì)此，將PFC及DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)替換為三種SJ MOSFET，RG也嘗試了100Ω和50Ω兩種方案
2022-04-09 13:36:25
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
-請(qǐng)問各位專家，我是個(gè)電源新手，剛開始接觸MOS管?，F(xiàn)在又些問題，開關(guān)損耗主要是導(dǎo)通和關(guān)斷這兩個(gè)過程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計(jì)算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊?。?dǎo)通損耗：除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外，IGBT和功率MOSFET的導(dǎo)通特性十分類似。由基本的IGBT等效電路
2017-04-15 15:48:51
分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來減少層間分布電容。08、開關(guān)管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗，驅(qū)動(dòng)損耗。其中在待機(jī)狀態(tài)下最大的損耗就是開關(guān)損耗。改善辦法
2021-04-09 14:18:40
和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬開關(guān)拓?fù)涞挠绊?。?dǎo)通損耗除了IGBT的電壓下降時(shí)間較長外，IGBT
2019-03-06 06:30:00
SiC-MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管的相關(guān)內(nèi)容，有許多與Si同等產(chǎn)品比較的文章可以查閱并參考。采用第三代SiC溝槽MOSFET，開關(guān)損耗進(jìn)一步降低ROHM在行業(yè)中率先實(shí)現(xiàn)了溝槽結(jié)構(gòu)
2018-11-27 16:37:30
充電器時(shí)的損耗降低情況① 與使用Si快速恢復(fù)二極管（Si FRD）的IGBT相比，開關(guān)損耗降低67%② 與損耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比
2022-07-27 10:27:04
4開關(guān)損耗測(cè)試結(jié)果圖六、總結(jié)開關(guān)損耗測(cè)試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵，通過專業(yè)的電源分析插件，可以快速有效的對(duì)器件的功率損耗進(jìn)行評(píng)估，相對(duì)于手動(dòng)分析來說，更加簡單方便。對(duì)于MOSFET來說，I2R的導(dǎo)通損耗計(jì)算公式是最好的選擇。
2021-11-18 07:00:00
壞該開關(guān)器件?！ ∮捎谟?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)存在以上缺點(diǎn)，限制了開關(guān)器件工作頻率的提高，在軟開關(guān)技術(shù)出來之前，功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗是很大的。為了彌補(bǔ)硬開關(guān)工作的不足，提出了軟開關(guān)技術(shù)。 軟開關(guān)技術(shù)的原理 所謂
2019-08-27 07:00:00
公式計(jì)算：同樣，關(guān)斷損耗的米勒平臺(tái)時(shí)間在關(guān)斷損耗中占主導(dǎo)地位。對(duì)于兩個(gè)不同的MOSFET，如A管和B管，即使A管的Qg和Ciss小于B管的，但如果A管的Crss比B管的大得多時(shí)，A管的開關(guān)損耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開通延時(shí)、開通上升時(shí)間，關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷下降時(shí)間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來評(píng)估功率MOSFET的開關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
產(chǎn)生反向恢復(fù)電流Irr，會(huì)明顯增大對(duì)管開關(guān)管的開通損耗，降低整個(gè)系統(tǒng)的效率。 可見，在圖騰柱無橋PFC中，現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD或超結(jié)MOSFET作為主開關(guān)管的傳統(tǒng)IGBT解決方案已很難再進(jìn)
2023-02-28 16:48:24
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對(duì)開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開關(guān)頻率的同時(shí)減小了開關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
MOSFET可實(shí)現(xiàn)相對(duì)較快的開關(guān)動(dòng)作，從而降低開關(guān)損耗。 IV.實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 A.實(shí)驗(yàn)測(cè)試波形 將升壓PFC轉(zhuǎn)換器用作測(cè)量平臺(tái)，進(jìn)行評(píng)估。傳統(tǒng)的TO247封裝MOSFET和最新推出的TO247 4引腳封裝
2018-10-08 15:19:33
走（CCFF）技術(shù)的原理。這種新方案在控制開關(guān)頻率方面極為有用，提供最優(yōu)的平均能效及輕載能效等級(jí)?！ ∨R界導(dǎo)電模式或不連續(xù)導(dǎo)電模式 開關(guān)損耗難于精確預(yù)測(cè)。當(dāng)PFC升壓轉(zhuǎn)換器從臨界導(dǎo)電模式（CrM
2018-09-26 15:57:39
功率MOSFET的Coss會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲(chǔ)能
2017-03-28 11:17:44
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
我們將介紹測(cè)試電源開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的各個(gè)步驟。 記住，經(jīng)過電源開關(guān)和磁性器件的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗對(duì)系統(tǒng)整體損耗有著巨大影響，正因如此，應(yīng)盡可能精確地使這些損耗達(dá)到最小，這一點(diǎn)至關(guān)重要。 首先，記住
2016-09-02 14:39:38
的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段
2018-08-30 15:47:38
在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時(shí)間變化的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)
2018-06-05 09:39:43
今天開始看電源界神作《開關(guān)電源設(shè)計(jì)》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁有個(gè)名詞，叫“交流開關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思啊？謝謝了??！
2013-05-28 16:29:18
請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路
2020-07-01 13:52:06
產(chǎn)生效果相反的兩種反饋電壓，分別控制 MOSFET 柵源電壓的上升和下降時(shí)間，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，這樣通常會(huì)增加開關(guān)損耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率級(jí)寄生電容公式 1
2020-11-03 07:54:52
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型,分析了開關(guān)器件在Boost 電路中的損耗,并計(jì)算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗,給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對(duì)一臺(tái)3kW的Boost 型PFC 整流電源進(jìn)
2009-10-17 11:06:0671
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)
2009-07-20 16:03:00564 
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 根據(jù)MOSFET的簡化模型，分析了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，通過典型的修正系數(shù)，修正了簡化模型的極間電容。通過開關(guān)磁鐵電源的實(shí)例計(jì)算了工況下MOSFET的功率損耗，計(jì)算結(jié)果表明該電源中
2011-11-14 16:46:22112 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開關(guān)周期是0電壓的開關(guān)ZVS，開關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計(jì)，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關(guān)損耗SVPWM算法實(shí)現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測(cè)量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:578162 
開關(guān)器件的功率損耗是開關(guān)器件評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是許多示波器選配的高級(jí)分析功能。事實(shí)上，雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗程度測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，但是如果忽略了時(shí)間偏移，則所有的測(cè)試結(jié)果都將
2018-02-07 01:27:01899 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場(chǎng)合時(shí)其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進(jìn)一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0029 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ，分析了開關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計(jì)算了 Boost PWM 和 PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ，給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對(duì)一臺(tái) 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2019-08-08 08:00:0015 Mosfet的損耗主要有導(dǎo)通損耗，關(guān)斷損耗，開關(guān)損耗，容性損耗，驅(qū)動(dòng)損耗
2020-01-08 08:00:0011 同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)（高邊＋低邊）是對(duì)VIN和GND電壓進(jìn)行切換（ON/OFF），該過渡時(shí)間的功率乘以開關(guān)頻率后的值即開關(guān)損耗。
2020-04-06 10:51:00889 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確評(píng)估功率MOSFET的開關(guān)損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個(gè)有源開關(guān)，通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當(dāng)今，大多數(shù)常規(guī)開關(guān)電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開關(guān)損耗，但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636 
功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ，分析了開關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計(jì)算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ，給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對(duì)一臺(tái) 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2021-05-11 11:01:2512 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開關(guān)損耗
讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關(guān)器件的損耗可以說是開關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn)，課件開關(guān)損耗測(cè)試是至關(guān)重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 功率損耗是開關(guān)器件性能評(píng)估的重要環(huán)節(jié)，也是工程師在選配時(shí)重點(diǎn)關(guān)注的一項(xiàng)高級(jí)功能。雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗測(cè)量環(huán)境，對(duì)設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程師忽略了探頭之間的時(shí)間偏移，測(cè)試結(jié)果很可能
2021-12-15 15:22:40416 
3、開關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過程中會(huì)產(chǎn)生
2022-01-07 11:10:270 如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時(shí)在On或Off狀態(tài)下小號(hào)的功率非常小，實(shí)現(xiàn)了很高的轉(zhuǎn)化效率，熱損耗極低。
2022-06-20 10:05:361704 
。此外，今天的開關(guān)元件沒有非常高的運(yùn)行速度，不幸的是，在轉(zhuǎn)換過程中不可避免地會(huì)損失一些能量（幸運(yùn)的是，隨著新電子元件的出現(xiàn)，這種能量越來越少）。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關(guān)損耗率。
2022-08-05 08:05:075936 
MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:05666 開關(guān)過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
－接下來，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識(shí)意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動(dòng)能力。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)分析導(dǎo)通開關(guān)損耗以及選擇開關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:35556 
通過調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過零，以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷，消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過零后，PFC電感與MOSFET寄生電容諧振，使Vds過零以實(shí)現(xiàn)零電壓開通，不過零則谷底開通，降低開關(guān)損耗。
2023-03-21 09:35:151783 
MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:555704 
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224671 
了電路的工作原理和效率。 開關(guān)器的兩種主要類型是MOSFET和BJT。然而，在Buck電路中，MOSFET通常更受歡迎，而BJT則較少使用。這主要?dú)w因于以下幾個(gè)原因： 1. 低開關(guān)損耗 MOSFET具有非常低的開關(guān)損耗，因?yàn)樗鼈兪?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)式的器件。當(dāng)MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，它的內(nèi)阻非常小，故具有非
2023-09-12 15:26:31686 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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