模塊的 5 大關鍵性指標。 第一個指標： WiFi 模塊的 發射功率 在不同無線協議下，發射功率均不相同。 SKYLAB 的 WIFI 模塊一般發射功率是在 18dBm 左右，大功率的 WIFI 模塊
2018-07-27 11:38:15
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PCB布局的關鍵：開關節點走線尺寸滿足電流？|深圳比創達EMC（3）
2023-08-08 11:00:521005 意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
5G在核心網部分不會有太大的變動，5G的關鍵技術集中在無線部分。雖然5G最終將采用何種技術，目前還沒有定論。不過，綜合各大高端論壇討論的焦點，我今天收集了8大關鍵技術。當然，應該遠不止這些。
2019-07-10 06:10:51
摘要：本文闡述了MOSFET驅動的基本要求以及在各種應用中如何優化驅動電路的設計關鍵詞： MOSFET 驅動， MOSFET 并聯 1．引言隨著電源高效，高功率密度的要求，電源的頻率由原來的工頻，到
2018-12-10 10:04:29
、關斷延遲時間：：Td(off）、下降時間：tf。下面是從以低導通電阻和高速開關為特征的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX的技術規格中摘錄的內容。這些參數的名稱和符號，各廠家間可能
2018-11-28 14:29:57
提高電源的開關和導通損耗。此外，它還會提高電磁干擾的噪聲水平，從而使設計出的產品達不到理想的性能。若要最大限度降低電路板布局帶來的影響，設計人員必須確保通過將驅動和MOSFET盡可能地背靠背放置，從而
2019-05-13 14:11:31
等的再生電流的高速路徑，需要2個FRD。這樣一來，添加FRD必然會使元器件數量增加，而且MOSFET導通時的漏極電流（Id）路徑中也因添加FRD而導致損耗增加。PrestoMOS通過實現內部二極管
2018-11-28 14:27:08
SOA是“Safety Operation Area”的縮寫，意為“安全工作區”。?需要在SOA范圍內使用MOSFET等產品。?有五個SOA的制約要素，不滿足其中任何一個要素的要求都有可能會造成損壞
2022-07-26 18:06:41
**關鍵遙信量性能缺失的分析報告**關鍵遙信量性能缺失是指鐵塔基站的開關電源監控異常或無法正常監控，目前考核性能缺失包含三個方面：一級低壓脫離告警；交流輸入停電告警；直流輸出電壓過低告警。一.公司
2021-11-12 07:28:48
開關MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。當電源IC與MOS管選定之后， 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其
2017-01-09 18:00:06
，是功率變換領域的研究熱點之一。三是采用新型電容器。為了減小電力電子設備的體積和重量，必須設法改進電容器的性能，提高能量密度，并研究開發適合于電力電子及電源系統用的新型電容器，要求電容量大、等效串聯電阻
2017-03-22 11:57:37
新型開關電源，有需要的請下載。
2015-09-06 17:32:22
間距。如今，我在行業市場遇見的每個人，無論是生產電源、電池保護裝置還是電動工具，幾乎都對尺寸變小或性能提升（或兩個特點兼具）的負載開關有些興趣。因此，如果您的工業設計需要使用不少的SOT-23或更大的負載開關，請考慮選擇我們的新型CSD18541F5 MOSFET。相信我，您的PCB會在稍后感謝您。
2018-08-29 16:09:11
Maurice Moroney 市場經理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。更高的開關
2018-10-16 21:19:44
Maurice Moroney市場經理 ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。更高的開關頻率
2018-10-16 06:20:46
Maurice Moroney市場經理ADI公司基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。更高的開關頻率將
2018-10-24 09:47:32
【作者】：于克訓;任章鰲;婁振袖;潘垣;【來源】：《湖北工業大學學報》2010年01期【摘要】：集成門極換向晶閘管(IGCT)是新型電力半導體開關,具有耐壓高、電流大、開關頻率高、開關損耗低等優越性能
2010-04-24 09:07:39
%,開關頻率就可以從500kHz（TrenchFET MOSFET）增加到1MHz（NexFET MOSFET）。當開關電源工作在更高的頻率時,無源器件,例如輸出電感等的尺寸就可以減少50%,這也改善
2012-12-06 14:32:55
“各得其所”作為目標，具有諸多優點。家族的產品陣容再豐富，如果電源IC的性能與所需功能不滿足最新的要求，就沒有任何意義。以BD9C301FJ的特征與規格為例。BD9C301FJ是在3A的1ch同步整流
2018-12-04 10:06:42
納米制造的缺陷及后果是什么？SOC設計中的同步問題有哪些？高速ATE通道的關鍵要求是什么？
2021-05-17 07:03:10
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導通電阻為7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
Java語言學習六大關鍵
2021-01-01 07:59:00
有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。高速、低噪聲 KN系列KN系列是繼承EN系列的低噪聲性能，并改善了高速性能的系列。當然，依然保持低導通電阻。為提高開關速度，降低了Rg和Qgd
2018-12-04 10:17:20
C51單片機LCD1602驅動程序LCD1602簡介1602的引腳操作時序寫操作時序時序參數LCD1602關鍵性操作一、初始化二、清屏指令二、進入模式設置指令三、顯示開關控制指令四、功能設定指令
2021-11-18 08:56:46
，建議采用單級電路用陶瓷電容就可以了。”他強調。“對于不太關注調光功能、高溫環境及需要高可靠性的工業應用來說，我強烈建議不采用電解電容進行設計。” 三、MOSFET的耐壓不要低于700V 耐壓600V
2019-10-11 16:08:50
的基礎。MOSFET設計的改進可使電路設計者充分發揮改進器件的性能，比如開關性能的提高和其他幾個關鍵參數的改善，可確保轉換器能夠更高效地運行。某些情況下，還可對設計的電路進行修改。若不采用這些改進
2018-12-07 10:21:41
PWM開關調整器的應用電路PWM開關調整器在單片或同一封裝中，含有控制電路和高壓功率開關MOSFET。本文重點介紹PWM開關調整器的典型應用電路。關鍵詞：PWM與功率MOSFET組合調整器應用電路一
2010-01-10 12:15:51
小的應用中希望采用更小封裝的IC是很自然的愿望。SJ MOSFET在滿足該需求方面功不可沒。－ 但是，AC/DC轉換器的其他元器件可能比較大。關于這點在前面也稍微提到過一些，SJ MOSFET的高速
2019-04-29 01:41:22
。另外，這里提供的數據是在ROHM試驗環境下的結果。驅動電路等條件不同，結果也可能不同。關鍵要點:?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優于IGBT。?SiC-MOSFET的開關損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
Si-MOSFET大，因此要想實現高速開關，需要使外置柵極電阻盡量小，小到幾Ω左右。但是，外置柵極電阻還承擔著對抗施加于柵極的浪涌的任務，因此必須注意與浪涌保護之間的良好平衡。關鍵要點:?為使
2018-11-30 11:34:24
。SiC-MOSFET應用實例2：脈沖電源脈沖電源是在短時間內瞬時供電的系統，應用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關，但市場需要更高耐壓更高速
2018-11-27 16:38:39
我想運用生成即保證正確（correct-by-construction）規則設計多處理器混合關鍵性系統，請問生成即保證正確（correct-by-construction）規則可用嗎？在什么情況下可用？
2016-02-17 16:18:34
概述 為了能夠給用戶提供可靠的通信保證，移動通信系統的無線網絡必須滿足合適的性能指標。覆蓋、容量、切換性能，都是衡量一個移動通信系統無線網絡性能的關鍵指標(KPI)。 對于TD-SCDMA系統
2019-06-05 08:14:59
溫度為-40°C至105°C應用開關電源DC/DC轉換器電機控制器線路驅動器D類開關放大器說明UCC27423/4/5系列高速雙MOSFET驅動器可以將大峰值電流傳輸到電容負載。提供三種標準邏輯選項-雙
2020-10-14 16:57:53
VoLTE端到端部署10大關鍵問題你都了解嗎
2021-05-21 06:18:42
，Yokogawa提供關鍵性設計工具，例如強大的三合一DL9000 MSO系列。此儀器融合了串行總線分析儀、邏輯分析儀和傳統示波記錄儀的功能，以實現最高的靈活性和性能。 不僅如此，Yokogawa的功率測量
2018-07-27 18:30:03
版）實用電力電子技術叢書《MOSFET、IGBT驅動集成電路及應用》MOS管驅動電路總結電源中的MOSFET性能的四項關鍵測試PFC中開關mosfet驅動電路的設計與講解電流采樣運放電路、電壓電流的跟蹤比較器電路、開關mosfet驅動電路的聯動分析
2019-04-19 17:45:32
，MOSFET的稍微高一些65KHZ-100KHZ，我們希望通過使用新型開關管以提高開關頻率，縮小設備體積，提高效率，所以急需該評估版以測試和深入了解SiC MOS的性能和驅動，望批準！項目計劃1
2020-04-24 18:08:05
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
控，不同架構對各應用有不同的優勢。 ADI的技術可滿足廣泛應用的需求，從微功耗、ksps級低端功率處理能力到超高速、低偏斜隔離，應有盡有。 魯棒性是新型隔離器向前發展的關鍵指標，我們的產品具有最佳的共模瞬變抗擾度、直接功率注入和輻射性能。
2018-10-29 16:37:37
或電容。數據傳輸。它可以是邊沿編碼、開關鍵控或脈寬調制。封裝。其特性有材料等級、爬電距離和電氣間隙等。 數據傳輸如何影響隔離器性能哪些因素決定隔離器的電氣性能？編碼。在編碼中會有一些編碼開銷，編碼可以
2018-09-03 11:57:50
現代化戰爭對吸波材料的吸波性能要求越來越高，一般傳統的吸波材料很難滿足需要。由于結構和組成的特殊性，使得納米吸波涂料成為隱身技術的新亮點。納米材料是指三維尺寸中至少有一維為納米尺寸的材料，如薄膜
2019-08-02 07:51:17
需求為：功率消耗、外形因素、敏感性和成本。滿足這些需求不單意味著目前傳感器應用的提高，同時還意味著新應用的出現，包括聲源定位、精確的運動跟蹤、便攜式過敏原檢測等。據報告，這些需求對于傳感器的激增尤其關鍵
2018-10-18 11:20:40
畢設要求做一個脈沖發生器模擬局部放電脈寬需要達到納秒級別我的想法是通過開關器件的高速開關來產生脈沖，然后用pwm芯片來控制開關管的導通現在的問題是，納秒級別，也就是100MHz左右的頻率，用mosfet和基于dds芯片產生的pwm控制信號可以完成這樣的頻率要求嗎？
2016-04-21 16:01:49
如圖所示，我想用pmos開關電路實現高速小脈沖信號的放大，但是現在做出的實物和仿真差異很大，經測試其他電路元件性能和仿真相近，選用的pmos無法滿足1MHz的開關速度，導致脈沖波形失真。請各位大佬給
2020-06-08 11:55:04
功率三極管（GTR）來做比較的：優點—開關速度快、輸入阻抗高、驅動方便等；缺點—難以制成高電壓、大電流型器件，這是因為耐壓高的功率 MOSFET 的通態電阻較大的緣故。言歸正傳，下面來看看具體如何選型
2019-11-17 08:00:00
請問如何通過MOSFET上的導通時間tdon，上升沿時間tr，關斷時間toff，下降沿時間tf 來確定 MOSFET 的開關頻率大概是多少？
2019-01-09 18:29:44
開關管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優化方法及其利弊關系
2020-12-23 06:51:06
問題。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
業界為實現這一目標邁出了重要步驟，為2018年有可能成為物聯網真正起飛的一年鋪平了道路。以下是去年推動物聯網發展的十大關鍵技術。
2020-10-23 10:02:04
時鐘設備設計使用 I2C 可編程小數鎖相環 (PLL)，可滿足高性能時序需求，這樣可以產生零 PPM（百萬分之一）合成誤差的頻率。高性能時鐘 IC 具有多個時鐘輸出，用于驅動打印機、掃描儀和路由器等
2019-08-12 06:50:43
運算與抓取顯然是難以滿足物聯網時代發展需求的，于是，具有自我運算、判斷能力的人工智能技術勢必將成為下一個關鍵技術。當前，不論是IBM，還是阿里、百度、360等都已經開始布局云平臺。顯然，他們已經
2019-05-09 06:20:34
泰克公司最近宣布首款經驗證采用 IBM 8HP 硅鍺 (SiGe) BiCMOS 特殊工藝技術設計的新型示波器平臺ASIC各項技術指標優于規定要求，實現了新型高性能示波器的設計目標，使多通道帶寬達
2019-07-24 07:47:20
轉換，所以稱為 Half flash(半快速)型。還有分成三步或多步實現AD轉換的叫做分級(Multistep/Subrangling)型AD，而從轉換時序角度又可稱為流水線(Pipelined)型
2019-01-04 10:33:44
性能主要影響接收機的靈敏度和大信號性能。本文介紹了混頻器的關鍵性能和參數，有助于設計接收通道時選擇最佳的混頻器。
2019-06-26 07:33:14
盡管MOSFET在開關電源、電機控制等一些電子系統中得到廣泛的應用，但是許多電子工程師對于MOSFET開關過程仍然有一些疑惑，本文先簡單介紹常規的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關斷
2016-11-29 14:36:06
平臺，實現大規模軟件、硬件及高性能測試儀器儀表的集成與應用，將為無線電管理機構、科研院所及業界相關單位等提供良好的無線電系統研究、開發與驗證實驗環境。面向5G關鍵技術評估工作，監測中心計劃利用該平臺
2017-12-07 18:40:58
平坦的白噪聲占主導地位。
總的來說，閃爍噪聲可能對MOSFET的頻率穩定性、相位噪聲、總體性能等產生負面影響。然而，具體的性能影響會取決于噪聲的強度以及器件和電路的其他具體設計參數。
2023-09-01 16:59:12
化的SJ-MOSFET。通過降低柵極電阻Rg和柵極-漏極間電荷量Qgd，提高了開關性能。通過提高開關速度，可降低開關損耗并提高效率。最后列出了這三個系列相關技術信息的鏈接。這里雖然給出了各系列的特征，但為了進一步
2018-12-03 14:27:05
射頻電路應用設計的關鍵性培訓資料
1. Implications of Grounding 2. Possible Problems Hidden
2009-05-07 19:38:38
28 射頻電路應用設計的關鍵性課題:1. Interference and Isolation o
2009-05-07 19:39:4722 TGA2700TGA2700 關鍵性能頻率范圍：7至13 GHz25 dB標稱增益30dBm輸出功率@Pin=10dBm，中頻12 dB輸入回波損耗10 dB輸出回波損耗0.25 um 3MI
2024-03-22 00:25:17
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗
摘要：升壓變換器通常應用在彩色監視器中。為提高開關電源的效率，設計
2009-07-20 16:03:00564 
ADI新型高速 18V MOSFET 驅動器助力提高系統可靠性
ADI公司最新推出新型高速 18V MOSFET 驅動器系列，該系列產品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產品具有14 ns 至35 ns 的傳
2009-12-03 08:34:14753 具有高開關速度和過溫保護功能的MOSFET驅動器
日前，Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅動器系列，該系列產品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產品具有14
2009-12-03 10:03:511027 滿足供電需求的新型封裝技術和MOSFET
2012-08-29 14:52:06771 
基于鏈路關鍵性的流量工程路由算法_徐亞峰
2017-03-16 08:00:000 選擇GPS模塊要關注哪些關鍵性能指標。GPS模塊性能指標主要有接收靈敏度、定位時間、位置精度、功耗、時間精度等。
一 GPS模塊的靈敏度 隨著GPS?應用范圍的不斷擴展，業界對GPS?接收機
2017-09-04 14:00:4112 性能主要影響接收機的靈敏度和大信號性能。本文介紹了混頻器的關鍵性能和參數，有助于設計接收通道時選擇最佳的混頻器。 無線基站接收機 我們首先分析無線基站中的典型接收機方框圖(圖1)。 圖1. 無線基站接收機典型框圖 因為接收到的信號經過
2017-11-24 14:07:01467 
性能主要影響接收機的靈敏度和大信號性能。本文介紹了混頻器的關鍵性能和參數，有助于設計接收通道時選擇最佳的混頻器。
2019-03-18 16:01:227396 
富士伺服電機驅動器選型6大關鍵性參數 伺服電動機是利用反饋來實現以工作為變量的系統的閉環控制的電動機。交流感應電機設計用于伺服操作以直角纏繞兩相。固定參考繞組由固定電壓源激勵，而伺服放大器的可變控制
2020-06-28 17:55:282978 電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們在高速、高頻工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開關穩壓器，如AC-DC或DC-DC轉換器及電機控制器。這視頻討論功率MOSFET，特別是安森美半導體先進的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
2019-03-06 06:05:003591 
Nashua，N.H。 - 提高帶寬和靈活性是Teradyne，Inc。連接系統部門（TCS）新型GbX 2對連接器的兩大關鍵優勢。專為具有嚴格插槽限制的應用而設計，例如刀片服務器市場，新型連接器
2019-10-06 17:08:001568 性能主要影響接收機的靈敏度和大信號性能。本文介紹了混頻器的關鍵性能和參數，有助于設計接收通道時選擇最佳的混頻器。
2020-08-14 18:52:000 電子發燒友網為你提供汽車圖像傳感器的關鍵性能和主要應用資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:45:084 無線基站通信標準，例如GSM、UMTS和LTE，定義了不同參數的下限指標，包括接收機的靈敏度和大信號性能。這些關鍵指標對無線基站中的每個射頻功能模塊提出了設計挑戰。在接收信號通路，混頻器性能主要影響接收機的靈敏度和大信號性能。本文所介紹的混頻器關鍵性能和參數，有助于設計接收通道時選擇最佳的混頻器。
2021-05-19 09:20:329157 
的研發帶來新的挑戰，其中電源的設計便首當其沖。 上篇中，我們介紹了車機系統中一級電源和二級電源的性能要求，今天我們來看一看下篇： 攝像頭供電和USB充電的關鍵性能 01如何解決環視攝像頭的供電問題 將環視攝像頭的圖像處理
2021-11-06 10:39:324102 
信號鏈和通信設備的影響，包括壓差電壓、電流限制、電源抑制比 (PSRR)、噪聲、散熱等。此外，視頻還介紹了其關鍵性能特性，給出了示例應用程序并回答了一些常見問題。
2022-06-09 11:23:031029 SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備
2022-11-06 21:14:51956 大家分別從導熱硅脂的應用性、操作性、耐候可靠性等方面講解幾個關鍵的性能，以便廣大用戶選型時有所依據。 導熱硅脂 一、導熱系數 ? 導熱系數是導熱硅脂應用過程重要指標之一，一般用戶都缺少直接測試導熱系數的儀器，均是
2022-11-07 17:38:361017 
連接器普遍應用在各種環境中，特別是在振動、濕氣和腐蝕等特殊環境中連接器需擁有一些出色的性能，以應對多種惡劣的環境。本文康瑞連接器廠家主要為大家分享特殊環境中連接器應具備的關鍵性能。
2023-02-22 14:40:12350 本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動態性能相關的參數。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關時間等。 參數列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
為了追求高頻高速電路具有更好信號完整性（Signal Integrity，縮寫SI），覆銅板要實現（特別在高頻下實現）更低的信號傳輸損耗性能。這需要覆銅板在制造中所采用的導體材料--銅箔，具有低輪廓度的特性。
2023-05-17 14:58:232771 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數。
2023-06-08 14:28:28663 
選擇BGA維修設備時，關注其關鍵性能指標是非常重要的，它可以幫助您更好地識別并獲得最佳的維修設備。本文將從六個方面來介紹BGA維修設備的關鍵性能指標，以幫助您作出更好的決定。 首先是精度指標。BGA
2023-06-16 14:05:53285 
恒溫恒濕試驗箱：關鍵性能與選型策略
2023-10-15 20:42:13303 
成就更好5G的五大關鍵
2023-01-13 09:07:062 深入剖析高速SiC MOSFET的開關行為
2023-12-04 15:26:12293 
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