，也點燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點。 ? 目前各大廠都運用不同
2021-05-10 16:00:57
2569 化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，是被國際普遍關(guān)注并認(rèn)可已開啟產(chǎn)業(yè)化的第四代半導(dǎo)體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠(yuǎn)高于后兩者，其禁帶寬度達(dá)到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
/ 45W+18W / 18W）最大輸出功率，100-200V 50/60Hz 電網(wǎng)下可提供 50W（45W+5W / 45W / 18W）最大輸出功率。 充電器采用第三代氮化鎵芯片制作，集功率器件、驅(qū)動、保護(hù)
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產(chǎn)生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對我國技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對我國進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個世紀(jì)六七十年代，III-V族半導(dǎo)體的發(fā)展開辟了光電和微波應(yīng)用，與第一代半導(dǎo)體一起，將人類推進(jìn)了信息時代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術(shù)。相對于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來說，第三代手機(jī)是指將無線通信與國際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
。 顧名思義，陣列式紅外攝像機(jī)是采用多芯片排列發(fā)光設(shè)計原理實現(xiàn)夜間監(jiān)控。而陣列紅外攝像機(jī)的光源，通過將幾十個高效率和高功率的晶元通過高科技封裝在一個平面上，其實發(fā)熱量與功耗大家可想而知。其實，第三代陣列
2011-02-19 09:35:33
的5-10倍，5年內(nèi)光衰小于等10%。在產(chǎn)品使用壽命上，IR-III紅外攝像機(jī)有明顯的優(yōu)勢，是普通紅外攝像機(jī)無法比擬的。產(chǎn)品功耗低：帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)最高功率不超過15W，激光紅外的最高功率
2011-02-19 09:38:46
了一款內(nèi)置D-mode氮化鎵功率管的合封芯片ETA80G25。據(jù)悉，這款芯片主打超高性價比，價格與同規(guī)格超結(jié)開關(guān)管幾乎持平，讓小功率的充電器，也能吃上氮化鎵的紅利。同時合封芯片還大大簡化了初級元件
2021-11-28 11:16:55
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
與信息化部原材料工業(yè)司、國家節(jié)能中心、深圳市科技創(chuàng)新委員會和張家港高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)特別支持，深圳市龍華區(qū)經(jīng)濟(jì)促進(jìn)局、深圳市龍華區(qū)科技創(chuàng)新局、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心
2018-11-05 09:51:35
由于換了三星手機(jī)，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
/ xzl1019 未來 5 年 GaN 預(yù)測的最大市場是移動快速充電，預(yù)計到 2025 年市場將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵權(quán)，請聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:38:20
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當(dāng)下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
。
在器件層面，根據(jù)實際情況而言，歸一化導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（QG）乘積得出的優(yōu)值系數(shù)，氮化鎵比硅好 5 倍到 20 倍。通過采用更小的晶體管和更短的電流路徑，氮化鎵充電器將能實現(xiàn)了
2023-06-15 15:53:16
。
氮化鎵功率芯片可以使充電器的充電速度提高 3 倍，但體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充電器的一半。或者在不增加體積或重量的情況下，提高充電器 3 倍的充電功率。
2023-06-15 14:17:56
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
什么是第三代移動通信答復(fù)：第三代移動通信系統(tǒng)IMT2000，是國際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時稱為陸地移動系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
12月10日入手的一加8T，使用標(biāo)稱65W WARP閃充的原裝充電器進(jìn)行充電功率測試。時間充電量 (%)充電功率(W)預(yù)計剩余充電時間(分鐘)11:34963.593511
2021-09-14 07:17:13
基于第三代移動通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計與實現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
充電的話，還需要去淘寶買一個type-c轉(zhuǎn)聯(lián)想方口的一個轉(zhuǎn)接器。這樣下來，首先來講是可以使用的，但是由于快充協(xié)議的不兼容，充電器無法滿血65w為拯救者充電，拯救者原裝充電器是135w。顯而易見是差的很遠(yuǎn)的。筆記本正常使用的情況下，電量會保持不變，不會增加也不會減少。性能方面，我看了網(wǎng)上的文章，他用工
2021-09-14 06:06:21
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
星、努比亞、魅族在內(nèi)的六款氮化鎵快充充電器。加上華為在P40手機(jī)發(fā)布會上，也發(fā)布了一款65W 1A1C氮化鎵快充充電器，成為第七家入局氮化鎵快充的手機(jī)廠商。從各大知名手機(jī)品牌的布局來看，氮化鎵快充普及趨勢
2021-04-16 09:33:21
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間，為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
整個庫存，在GEM-T計劃中采用這些發(fā)射器能夠?qū)⑿迯?fù)成本降低36％。目前，氮化鎵已經(jīng)擁有了足夠廣闊的應(yīng)用空間。作為第三代半導(dǎo)體新技術(shù)，也是全球各國爭相角逐的市場，并且市面上已經(jīng)形成了多股氮化鎵代表勢力
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
淺析第三代移動通信功率控制技術(shù)
2021-06-07 07:07:17
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
分享小弟用第三代太陽能的心得。
最近看了很多資料對第三代太陽能的介紹，諸多的評論都說到他的優(yōu)勢，小弟于是購買了這種叫第三代的太陽能－砷化鎵太陽能模塊。想說，現(xiàn)在硅晶的一
2010-11-27 09:53:27
家位于加拿大渥太華的第三代半導(dǎo)體無晶圓設(shè)計公司，主營業(yè)務(wù)是開發(fā)基于 氮化鎵的功率芯片和功率轉(zhuǎn)換解決方案。公司現(xiàn)擁有200多名員工，這就意味著按照員工數(shù)量的收購價格約為4百萬美元每位員工。恭喜GaN
2023-03-03 16:48:40
安森美65W氮化鎵PD充電器芯片 產(chǎn)品介紹：NCP1342準(zhǔn)諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調(diào)制)控制器，旨在簡化高性能脫機(jī)功率變換器的設(shè)計。NCP13
2023-07-05 15:24:23
本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢，最后分析了了我國第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334364 
耐威科技發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料，其氮化鎵材料項目宣布簽約青島。
2018-07-10 11:13:4611880 近日，RAVPower發(fā)布了一款USB PD充電器新品，這款充電器內(nèi)置了時下關(guān)注度很高的GaN氮化鎵功率器件，這在業(yè)內(nèi)被稱為第三代半導(dǎo)體。
2018-12-01 09:51:256414 今年10月，小米生態(tài)鏈企業(yè)紫米推出了一款充電器新品——ZMI USB充電器65W 3口快充版，售價149元。
2019-01-02 14:56:233679 氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實現(xiàn)大功率輸出。
2019-01-03 09:53:441506 第三代半導(dǎo)體，又稱寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 小米10 Pro已經(jīng)標(biāo)配一顆65W功率的USB-C充電器(單買價格99元)，同時小米還發(fā)布了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，官方名稱“小米GaN充電器Type-C 65W”，功率同樣65W，但更加小巧。
2020-02-13 16:44:013372 小米10系列發(fā)布會上，雷軍宣布了小米旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，最大功率65W。
2020-02-17 15:03:1810517 小米10 Pro已經(jīng)標(biāo)配一顆65W功率的USB-C充電器(單買價格99元)，同時小米還發(fā)布了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，官方名稱“小米GaN充電器Type-C 65W”，功率同樣65W，但更加小巧。
2020-02-22 21:46:123943 隨著小米在2020年2月13日發(fā)布最65W氮化鎵充電器后，氮化鎵充電器又一次占領(lǐng)各大頭條熱搜榜，就連氮化鎵相關(guān)的證券板塊也波動了一番。
2020-03-05 16:01:086830 氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性，在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導(dǎo)體照明、新一代移動通信，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。隨著技術(shù)突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣泛運用到消費類電子等領(lǐng)域，充電器便是其中一項。
2020-04-08 17:28:3376497 從供應(yīng)鏈獲悉，華為舉行的2020年春季發(fā)布會上，發(fā)布了一款充電器新品（單品），功率65W。這款充電器屬于GaN（氮化鎵）類型，支持雙口（Type-C和A）模式，能給手機(jī)和平板充電。
2020-04-10 14:45:117205 
昨天紫米推出了一款65W多口充電器，雖未采用氮化鎵材料，但身材同樣十分小巧。整體使用黑色設(shè)計，采用亮面與磨砂拼色機(jī)身，采用折疊插腳設(shè)計，支持三臺設(shè)備同時充電。
2020-08-26 17:40:06544 9月27日，努比亞65W氮化鎵Candy多彩系列充電器正式開售，到手價僅109元。目前大部分氮化鎵充電器采用黑白色設(shè)計，而努比亞新品充電器提供藍(lán)、綠、黃、粉四色可選，更加絢麗。
2020-09-27 16:34:16931 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299 
。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:374305 近年來，隨著半導(dǎo)體市場的飛速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料也成為人們關(guān)注的重點。第三代半導(dǎo)體材料指的是碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料。而這
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅(qū)動下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢被放大。
2020-11-29 10:48:1287781 / 20V 3.25A，采用了第三代氮化鎵功率元件制造，體積非常小巧，重量僅為 94.3g，尺寸為 48×48×27.9mm。為了保證安全，此款充電器具
2020-12-18 09:11:452932 ，什么材料會再領(lǐng)風(fēng)騷？記者采訪了專家。? 禁帶寬度，是用來區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特，較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達(dá)65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵充電器、65W單口氮化鎵充電器、Candy多彩
2021-02-19 16:59:273676 去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達(dá)65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵充電器、65W單口氮化鎵充電器、Candy多彩氮化鎵充電器等等。
2021-02-20 14:47:012140 小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用高頻軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵開關(guān)管、獨立驅(qū)動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:101840 
氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場迅速增長之際，65W這個功率段恰到好處的解決了大部分用戶的使用痛點，從而率先成為了各大品牌的必爭之地，ncp1342替代料PN8213氮化鎵充電器主控芯片，適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。
2022-05-09 16:42:312428 
深圳市譽(yù)鴻錦推出了一款NITRIDE品牌的餅干氮化鎵充電器，充電器內(nèi)置平面變壓器和氮化鎵器件、超薄X2安規(guī)電容，助力超薄設(shè)計，厚度僅為12.8mm。支持65W輸出功率，雙口同時使用時支持功率自動分配，且雙口均支持快充，能夠滿足兩個設(shè)備的同時快充需求。
2022-12-02 16:35:03751 第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164200 材質(zhì)上比普通的快充更加的高級，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢。
2023-02-09 17:24:592977 氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:504559 為什么，這款倍思65w氮化鎵充電器，不能給我的聯(lián)想小新Air15寸2021款銳龍版筆記本充電呢？？？？？
我在2020年夏天買的一款倍思的65w氮化鎵充電器，具體寫的是GaN2 Pro。使用這款
2023-02-21 14:55:00
0 數(shù)碼設(shè)備都支持PD充電，所以挑選一款安全好用的65W氮化鎵充電器，確實可以讓我們的日常充電更方便一些。 上個月我用過一款AOHi的20W充電器，感覺質(zhì)量不錯，最近AOHi又出了一款65W的氮化鎵充電器，就叫
2023-02-22 15:43:335 氮化鎵充電器的誕生讓大功率的充電器濃縮成一個小小的產(chǎn)品，不起眼的充電器也能變成發(fā)燒友的玩物，65W功率上已有多款氮化鎵面世，但對于大功率的氮化鎵
充電器，市面上推出的產(chǎn)品并不多。日前眾籌網(wǎng)站indiegogo上出現(xiàn)了一款100W氮化鎵充電器，他就是SlimQ F100。
2023-02-22 15:24:095 、30W還有65W等不同的規(guī)格，其中兼容性更廣的應(yīng)該還是65W的充電器。 另外今年氮化鎵GaN充電器也開始普及了，市面上的選擇非常豐富，而且體積越來越小，外出使用也毫無壓力，像是我最近用的一款AOHi
2023-02-22 15:25:101 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場景十分廣泛，
從尖端的CPU、GPU、存儲芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到最佳匹配。 GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動損耗，提升開關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時能提高效率。 一、方案概述： 尺寸設(shè)計
2023-03-01 17:25:56993 
愛美雅公司推出的小型 65W 氮化鎵 2C1A 多口充電頭，采用茂睿芯成熟穩(wěn)定的 IC 芯片及第三代半導(dǎo)體制造商-潤新微 GaN-MOS，充電器具備 2C1A 三個輸出接口，兩個 USB-C
2023-04-07 10:59:141224 
又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018 智融65W 氮化鎵 充電器+充電寶二合一全套解決方案！
2023-06-13 09:10:591256 
第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長。
2022-01-13 17:39:231521 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導(dǎo)體，或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:271932 
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 氮化鎵充電器什么意思？氮化鎵充電器的優(yōu)點？氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么？ 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵（GaN）材料制造的充電器。GaN是一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高熱
2023-11-21 16:15:24980 相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術(shù)，其采用了氮化鎵半導(dǎo)體材料來提供電源。相比之下，普通充電器主要依賴于硅材料。這些區(qū)別使得氮化鎵充電器
2024-01-10 10:01:53525 ，而普通充電器通常采用硅半導(dǎo)體技術(shù)。氮化鎵材料具有許多優(yōu)點，例如高能效、高功率密度和低熱耗散等。相比之下，硅半導(dǎo)體材料的功率密度較低，效率不高，而且容易產(chǎn)生較多的熱量。因此，小米氮化鎵充電器在充電效率和發(fā)熱方面具有明
2024-01-10 10:28:551110 充電頭網(wǎng)拿到了安克的一款65W多口氮化鎵充電器，這款充電器為長條機(jī)身，具有藍(lán)、白、紫、黑四種配色，外觀設(shè)計簡約。充電器配有國標(biāo)折疊插腳，整體小巧便攜。支持100-240V全球?qū)掚妷狠斎耄⒕邆?b class="flag-6" style="color: red">65W
2024-01-13 08:23:11484 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論