?●空調(diào)壓縮機(jī)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng) ?●高效高密度工業(yè)、通信、服務(wù)器電源 ?●半橋、全橋、LLC電源拓?fù)?? 如下圖NSD1624功能框圖所示，納芯微創(chuàng)新地將隔離技術(shù)方案應(yīng)用于高壓半橋驅(qū)動(dòng)中，使得高壓輸出側(cè)可以承受高達(dá)1200V的直流電壓，同時(shí)SW pin可以滿(mǎn)足高dv/dt和耐負(fù)壓尖峰的需求。可適
2022-06-27 09:57:07
2093 
穩(wěn)壓器調(diào)整端增加簡(jiǎn)單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動(dòng)電流 ,有時(shí)，設(shè)計(jì)約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:243169 
傳感器時(shí)要面臨一些挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)與絕緣的嚴(yán)格要求以及與 10 kV SiC MOSFET 相關(guān)的更高 dv/dt （50-100 V/ns） 相關(guān)。有不同的方法可以測(cè)量中壓電源的電壓，其中一些是霍爾效應(yīng)傳感器、電容分壓器、電阻分壓器和電阻-電容梯。在理想條件下，我們可以在電阻分壓器中找到無(wú)限帶寬。
2022-07-26 08:03:01741 
板 (PCB) ，才能實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開(kāi)關(guān)的全部性能優(yōu)勢(shì)。本文將簡(jiǎn)單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計(jì)高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動(dòng)電路的 PCB 設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
2023-02-20 10:56:38426 6482型雙通道皮安表/電壓源的技術(shù)指標(biāo)是什么
2021-05-06 06:28:38
0引言在高壓大功率領(lǐng)域,電壓源型中性點(diǎn)箝位(NPC)三電平逆變器因其特定的優(yōu)點(diǎn)而取代了傳統(tǒng)的兩電平逆變器,成為驅(qū)動(dòng)交流電機(jī)的高質(zhì)量逆變器[1,2],工業(yè)界正普遍將電壓源型三電平逆變器應(yīng)用于高壓大功率
2021-09-03 06:56:46
本帖最后由 Chloe__ 于 2020-8-12 08:58 編輯
關(guān)于電壓源與電流源串聯(lián)之后電壓源無(wú)法正常工作。我用了安捷倫電源的電壓源模塊給npn三極管供電，正極接集電極，負(fù)極接基極
2020-08-11 10:04:29
本帖最后由 Stark揚(yáng) 于 2018-10-18 11:27 編輯
如果一個(gè)電路只有一個(gè)電流源，沒(méi)有電壓源，那么哪來(lái)的電壓來(lái)提供給電路呢？比如上面這個(gè)電路，電流源的話(huà)是改變兩端電壓來(lái)達(dá)到特定
2018-10-18 11:21:46
電壓控制電壓源與壓控源有區(qū)別嗎
2018-04-21 10:25:03
FAN73832 是一款半橋、柵極驅(qū)動(dòng) IC，帶關(guān)斷和可編程死區(qū)時(shí)間控制功能，能驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達(dá) +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
能力和最低交叉?zhèn)鲗?dǎo)。Fairchild 的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv/dt 噪聲環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。先進(jìn)的電平轉(zhuǎn)換電路，能使高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓在 VBS=15 V 時(shí)高達(dá) VS
2022-01-18 10:43:31
HBDY-9型靜態(tài)型無(wú)源電壓繼電器技術(shù)溝通***品牌:JOSEF約瑟名稱(chēng):靜態(tài)型無(wú)源電壓繼電器型號(hào):HBDY-9B22/DE功率消耗:≤1W觸點(diǎn)容量:250V5A額定電壓:100,220VAC動(dòng)作
2021-07-07 07:23:01
的柵源電荷。盡管降低CDS 或增大CGS可降低C dv/dt感應(yīng)電壓，但Q2的C dv/dt感應(yīng)導(dǎo)通還取決于漏源電壓 VDS-Q2 和閾值電壓Vth。由于柵極閾值電壓會(huì)隨著溫度的升高而降低，因此這個(gè)
2019-05-13 14:11:31
/dt速度太快引起的，因低邊SiC-MOSFET的柵極寄生電容與柵極阻抗而產(chǎn)生柵極電壓升高⊿Vgs。SiC-MOSFET的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通速度依賴(lài)于外置柵極電阻Rg，如上圖所示，Rg越小則dV/dt越大。關(guān)于
2018-11-30 11:31:17
大電容器來(lái)緩沖無(wú)功功率，則構(gòu)成電壓源型變頻器；如采用大電抗器來(lái)緩沖無(wú)功功率，則構(gòu)成電流源型變頻器。 電壓型變頻器和電流型變頻器的區(qū)別僅在于中間直流環(huán)節(jié)濾波器的形式不同，但是這樣一來(lái)，卻造成兩類(lèi)變頻器在性能
2017-06-16 21:51:06
各位大神，可否用IR2113 驅(qū)動(dòng)共源集MOSfet ,且mosfet關(guān)斷時(shí)，源集漏集電壓最高為700V。
2017-08-16 16:03:26
關(guān)于6482型雙通道皮安表/電壓源的基本知識(shí)
2021-05-11 06:52:48
交直流儀表現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)源的主要特點(diǎn)是什么？交直流儀表現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)源的技術(shù)指標(biāo)是什么？交直流儀表現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)準(zhǔn)源的工作原理是什么？
2021-05-10 06:14:51
分辨率、逐次逼近型 ADC 的整體精度取決于精度、穩(wěn)定性和其基準(zhǔn)電壓源的驅(qū)動(dòng)能力。ADC 基準(zhǔn)電壓輸入端的開(kāi)關(guān)電容具有動(dòng)態(tài)負(fù)載，因此基準(zhǔn)電壓源電路必須能夠處理與時(shí)間和吞吐速率相關(guān)的電流。某些 ADC
2020-04-14 07:00:00
高分辨率、逐次逼近型 ADC 的整體精度取決于精度、穩(wěn)定性和其基準(zhǔn)電壓源的驅(qū)動(dòng)能力。ADC基準(zhǔn)電壓輸入端的開(kāi)關(guān)電容具有動(dòng)態(tài)負(fù)載，因此基準(zhǔn)電壓源電路必須能夠處理與時(shí)間和吞吐速率相關(guān)的電流。某些ADC
2021-03-16 12:04:19
高負(fù)載電流下，其電壓V通用電氣（米勒）更高［1］。從公式3可以明顯看出，在較高的米勒平臺(tái)電壓下，柵極電流較低。因此，通過(guò)使用電壓源驅(qū)動(dòng)器，可以預(yù)期導(dǎo)通dv/dt將隨著負(fù)載的增加而穩(wěn)步下降，從而導(dǎo)致更高
2023-02-21 16:36:47
如何對(duì)2602型源表進(jìn)行編程？有哪些流程？
2021-05-13 06:01:53
On-Off快速循環(huán)轉(zhuǎn)換的狀態(tài)，dv/dt和di/dt都在急劇變換，因此，功率開(kāi)關(guān)管既是電場(chǎng)耦合的主要干擾源，也是磁場(chǎng)耦合的主要干擾源。 （2）高頻變壓器：高頻變壓器的EMI來(lái)源集中體現(xiàn)在漏感對(duì)應(yīng)
2011-07-11 11:37:09
康華光主編的模電中講到N型的增強(qiáng)型MOSFET、耗盡型MOSFET、JFET。關(guān)于漏極飽和電流的問(wèn)題，耗盡型MOSFET、JFET中都有提到，都是在柵源電壓等于0的時(shí)候，而增強(qiáng)型MOSFET在柵源
2019-04-08 03:57:38
Three-PhaseProgrammable Voltage Source就可以搜到。1 恒定電壓源如果要一個(gè)恒定的電壓源，那么只需要調(diào)整第一行的數(shù)就可以了（標(biāo)紅部分）圖中的100表示幅值，在這個(gè)地方要寫(xiě)的是三相電壓源相與相之間的電壓有效值，注意這個(gè)理想電壓源是Y型聯(lián)結(jié)，即該處填寫(xiě)的幅值為相電壓幅值的3\sqrt33?倍圖
2021-12-29 08:21:45
電壓達(dá)到閾值之前的柵源電荷。盡管降低CDS 或增大CGS可降低C dv/dt感應(yīng)電壓，但Q2的C dv/dt感應(yīng)導(dǎo)通還取決于漏源電壓 VDS-Q2 和閾值電壓Vth。由于柵極閾值電壓會(huì)隨著溫度的升高而降
2011-08-18 14:08:45
，可以實(shí)現(xiàn)在增大開(kāi)通時(shí)間，減小電壓變化率的同時(shí)，保證了較短的關(guān)斷時(shí)間。 圖3 改進(jìn)后驅(qū)動(dòng)電路 理論上，開(kāi)通時(shí)間越長(zhǎng)dv/dt應(yīng)力越小，振蕩產(chǎn)生的干擾效果就越不顯著，但是由MOSFET開(kāi)關(guān)損耗近似公式
2018-08-27 16:00:08
FAN7382MX 是一款單片半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器集成電路 FAN7382 可以驅(qū)動(dòng)最高在 +600V 下運(yùn)行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術(shù)提供了高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
電流驅(qū)動(dòng)型的PHY是怎樣連接的？電壓驅(qū)動(dòng)型的PHY是怎樣連接的？網(wǎng)絡(luò)變壓器H1601SR的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣組成的？
2021-10-08 07:10:19
如果給一款芯片供電（比如直流48V），要接入鋁電解電容當(dāng)做濾波、儲(chǔ)能之用。又看到這樣的思路來(lái)計(jì)算所選電容的容值大小。“利用Ic=c*dv/dt，一般dv對(duì)應(yīng)于芯片允許的電源紋波，dt對(duì)應(yīng)芯片內(nèi)部
2019-05-23 16:35:50
摘要：高分辨率、逐次逼近型ADC的整體精度取決于精度、穩(wěn)定性和其基準(zhǔn)電壓源的驅(qū)動(dòng)能力。ADC基準(zhǔn)電壓輸入端的開(kāi)關(guān)電容具有動(dòng)態(tài)負(fù)載，因此基準(zhǔn)電壓源電路必須能夠處理與時(shí)間和吞吐速率相關(guān)的電流。有些
2018-09-27 10:57:26
摘要：高分辨率、逐次逼近型ADC的整體精度取決于精度、穩(wěn)定性和其基準(zhǔn)電壓源的驅(qū)動(dòng)能力。ADC基準(zhǔn)電壓輸入端的開(kāi)關(guān)電容具有動(dòng)態(tài)負(fù)載，因此基準(zhǔn)電壓源電路必須能夠處理與時(shí)間和吞吐速率相關(guān)的電流。某些
2018-09-27 10:29:41
問(wèn)下大家，一般開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度（dv/dt），與電磁干擾（EMI）有沒(méi)有計(jì)算關(guān)系？還是說(shuō)一般取經(jīng)驗(yàn)值，為什么一般上升速度會(huì)做的下降速度慢？
2018-12-17 11:29:58
關(guān)于限制穩(wěn)壓器啟動(dòng)時(shí)dV/dt和電容的電路的詳細(xì)介紹
2021-04-12 06:21:56
Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:32
10 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對(duì)高頻的DC-DC轉(zhuǎn)換器,功率MOSFET是一個(gè)關(guān)鍵的器件.快速的開(kāi)關(guān)可以降低開(kāi)關(guān)LOSS, 但是在MOS漏級(jí)上dv/dt也變得越來(lái)越高.然而,高的dv/dt可能導(dǎo)致在
2009-11-28 11:26:1543 USB 2.0 TO Lan(DT-5016)驅(qū)動(dòng)下載
2009-12-09 21:25:06288 單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)
2010-03-19 11:58:0640 松下 NV-GS120攝像機(jī)驅(qū)動(dòng)下載DV STUDIO3.12E-SE.zip
2010-04-01 14:41:5313
DT810型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:42:08646 
DT830A,CM3900,DT840型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:45:54564 
DT830A,CM3900,DT840型小數(shù)點(diǎn)及低電壓指示符驅(qū)動(dòng)電路圖
2009-07-18 16:46:29468 
DT830A,CM3900,DT840型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:47:17441 
DT830型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 16:58:162257 
DT830型小數(shù)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)及低電壓指示電路圖
2009-07-18 16:59:231009
DT830型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:02:22687 
DT890、DT890A型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:13:031000 
DT890B型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:27:39804 
DT890B型小數(shù)點(diǎn)及低電壓指示符驅(qū)動(dòng)電路圖
2009-07-18 17:28:58702 
DT890B型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:29:581226 
DT-1型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:32:58517 
DT-1型顯示驅(qū)動(dòng)電路圖
2009-07-18 17:33:25455 
DT-1型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-18 17:34:43456 
DT809C型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:28:07567 
DT809C型小數(shù)點(diǎn)與低電壓指示符的驅(qū)動(dòng)電路圖
2009-07-20 17:28:33462 
DT809C型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:29:22457 
DT940C型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:36:38662 
DT940C型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-20 17:39:08682 
DT860型“×10”標(biāo)識(shí)符的驅(qū)動(dòng)電路圖
2009-07-21 17:35:50569 
DT860型基準(zhǔn)電壓發(fā)生電路圖
2009-07-21 17:38:22740 
DT930F型交流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-22 17:17:361007 
DT930F型直流電壓測(cè)量電路圖
2009-07-22 17:19:31932 
回顧“數(shù)字設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)--頻率與時(shí)間”文中式，數(shù)字信號(hào)主要的頻率分量都位于
2010-06-01 17:52:461646 
DT232 驅(qū)動(dòng)USB2.0 Driver
2015-11-23 12:05:4418 Si827x數(shù)據(jù)表：具有高瞬態(tài)(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 高共模噪聲是汽車(chē)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用而可靠的動(dòng)力總成驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)必須克服的一個(gè)重大問(wèn)題。當(dāng)高壓逆變電源和其他電源進(jìn)行高頻切換時(shí)，共模噪聲（又稱(chēng) dV/dt 噪聲）便在系統(tǒng)內(nèi)自然生成。本文將討論混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)各種 dV/dt 噪聲的來(lái)源，并提出一些方法來(lái)盡量減少噪聲對(duì)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的影響。
2017-09-12 11:03:143 器件均采用緊湊型DIP-6和SMD-6封裝，進(jìn)一步擴(kuò)展光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOT8026A和VOT8123A斷態(tài)電壓高達(dá)800 V，靜態(tài)dV/dt為1000
2019-01-16 18:18:01442 和VOT8123A斷態(tài)電壓高達(dá)800V，靜態(tài)dV/dt為1000V/μs，具有高穩(wěn)定性和噪聲隔離能力，適用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。 日前發(fā)布的光耦隔離120 VAC、240 VAC和380 VAC線(xiàn)路低電壓邏輯，控制電
2019-03-12 22:30:01321 dV/dT濾波器在遠(yuǎn)離電機(jī)300米處仍然能保證滿(mǎn)足電機(jī)的最大峰值電壓規(guī)格（母線(xiàn)電壓的150%）。它的額定值為最大達(dá)每毫秒200V的dV/dT值。但在一些特別的應(yīng)用中，電纜長(zhǎng)度達(dá)到900米時(shí)，這種
2019-05-13 16:12:106044 dV/dt反映的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。對(duì)系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，過(guò)高的dv/dt必然會(huì)帶來(lái)高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過(guò)該變化速率通過(guò)系統(tǒng)電路可以進(jìn)行修正。
2020-06-05 09:18:4717624 高共模噪聲是汽車(chē)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用而可靠的動(dòng)力總成驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)必須克服的一個(gè)重大問(wèn)題。當(dāng)高壓逆變電源和其他電源進(jìn)行高頻切換時(shí)，共模噪聲（又稱(chēng) dV/dt 噪聲）便在系統(tǒng)內(nèi)自然生成。本文將討論混合動(dòng)力系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)各種 dV/dt 噪聲的來(lái)源，并提出一些方法來(lái)盡量減少噪聲對(duì)驅(qū)動(dòng)電子設(shè)備的影響。
2021-03-15 15:16:273189 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關(guān)斷dV/dT也會(huì)不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 Du/Dt濾波器又名“Du/Dt濾波器”、“Dv/Dt濾波器”、“Dv/Dt電抗器”等，一般是安裝在變頻器的逆變側(cè)，用來(lái)抑制變頻器逆變側(cè)的Du/Dt，保護(hù)電動(dòng)機(jī)，同時(shí)，還能夠延長(zhǎng)變頻器的有效傳輸距離至≤500米，但其無(wú)法改變變頻器逆變側(cè)的電壓波形。
2021-12-20 10:19:545283 dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2022-03-29 17:53:223889 
通過(guò)上述的分析對(duì)比，英飛凌隔離型驅(qū)動(dòng)在芯片技術(shù)、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結(jié)溫、傳輸延時(shí)、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面，相對(duì)光耦都有明顯的優(yōu)勢(shì)，是高性能高可靠性隔離型驅(qū)動(dòng)的最佳選擇。
2022-04-11 14:51:171393 
/dt也就越大。影響dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的電壓、電流、溫度以及驅(qū)動(dòng)特性。為了加深大家對(duì)高速功率半導(dǎo)體器件的理解，今天我們以SiC和GaN為例來(lái)聊一下這個(gè)話(huà)題，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 首先，讓我們先來(lái)看一下SiC MOSFET開(kāi)關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，圖片來(lái)源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開(kāi)通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)包括：開(kāi)通時(shí)間ton、開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)、開(kāi)通電流上升率di/dton、開(kāi)通電壓下降率dv/dton，電流上升時(shí)間tr
2022-04-27 15:10:216742 在圖1的半橋電路中，動(dòng)作管為下管S1，施加在上管S2的為關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其體二極管處于續(xù)流狀態(tài)。當(dāng)S1進(jìn)行開(kāi)通時(shí)，其端電壓VDS1下降，則S2開(kāi)始承受反向電壓，其兩端的電壓VDS2以dV/dt的速度快
2022-06-23 10:57:08922 
在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中，放緩開(kāi)關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過(guò)快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
2022-12-19 09:38:491179 電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:371078 
IGBT是一個(gè)受門(mén)極電壓控制開(kāi)關(guān)的器件，只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:44699 
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過(guò)基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829 
電源上的高 dV/dt 上升時(shí)間會(huì)導(dǎo)致下游組件出現(xiàn)問(wèn)題。在具有大電流輸出驅(qū)動(dòng)器的24V供電工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)中尤其如此。該設(shè)計(jì)思想描述了如何控制上升時(shí)間，同時(shí)限制通過(guò)控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:01553 
di/dt水平過(guò)高是晶閘管故障的主要原因之一。發(fā)生這種情況時(shí)，施加到半導(dǎo)體器件上的應(yīng)力會(huì)大大超過(guò)額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應(yīng)用選擇固態(tài)繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:572528 
PWM逆變器直接驅(qū)動(dòng)電機(jī)時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高dv/dt的共模電壓,并由此產(chǎn)生軸承電流和共模漏電流以及嚴(yán)重的的電磁干擾(EMI)。dv/dt濾波器，主要應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中，用于保護(hù)電機(jī)不受峰值電壓的影響。
2023-02-23 09:51:59465 
的器件，只有門(mén)極電壓超過(guò)閾值才能開(kāi)通。工作時(shí)常被看成一個(gè)高速開(kāi)關(guān)，在實(shí)際使用中會(huì)產(chǎn)生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過(guò)米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:44913 
９.３.４dv/dt觸發(fā)９.３晶閘管第９章雙極型功率開(kāi)關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線(xiàn)：1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明2、國(guó)產(chǎn)
2022-03-29 10:35:54214 
①靜態(tài)dV/dt：會(huì)引起MOSFET柵極電壓變化，導(dǎo)致錯(cuò)誤開(kāi)通。在柵源間并聯(lián)電阻，可防止誤開(kāi)通。
2023-07-14 14:39:26702 
泰藝電壓控制石英振蕩器DT-515150.8x50.8mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:050 泰藝電壓控制石英振蕩器DT-656565x65mm5,10MHzCMOS
2022-08-18 09:36:050
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