中國上海，2022年6月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET柵極驅(qū)動IC產(chǎn)品中新增五款適用于可穿戴設(shè)備等移動電子設(shè)備的產(chǎn)品。該系列的新產(chǎn)品
2022-06-07 13:49:20
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 東芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451311 本文會著重介紹TI集成MOSFET的有刷電機(jī)驅(qū)動芯片的電流輸出級特性，以及如何增強(qiáng)驅(qū)動峰值電流。
2023-07-04 10:21:231844 
出貨。 新產(chǎn)品是 東芝碳化硅MOSFET產(chǎn)品線中首批采用4引腳TO-247-4L(X)封裝的產(chǎn)品 ，其封裝支持柵極驅(qū)動信號
2023-09-04 15:13:401134 
MIC4414YFT EV，MIC4414評估板是一款低側(cè)MOSFET驅(qū)動器，設(shè)計用于在低側(cè)開關(guān)應(yīng)用中切換N溝道增強(qiáng)型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驅(qū)動器。該驅(qū)動器具有短延遲和高峰值電流
2020-04-16 10:14:10
描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的加強(qiáng)版隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計采用反激式隔離型控制拓?fù)洌峁┓?IEC61800-5 標(biāo)準(zhǔn)
2018-09-25 10:21:35
是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N
2012-07-25 09:49:08
隔離措施，以提高系統(tǒng)抗干擾措施，可采用帶光電隔離的MOSFET驅(qū)動芯片TLP250。光耦TLP250是一種可直接驅(qū)動小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日本東芝公司生產(chǎn)，其最大驅(qū)動能力達(dá)1.5A
2012-06-14 20:30:08
電源的功耗，門極正反向偏置電壓之差為△Vge，工作頻率為f，柵極電容為Cge，則電源的最少峰值電流為: 驅(qū)動電源的平均功率為: 2 IGBT的過流保護(hù) IGBT的過流保護(hù)就是當(dāng)上、下橋臂直通
2012-07-18 14:54:31
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動回路中的風(fēng)險，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動作。ZVS和ZCS拓?fù)湓诮档?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢。不過
2018-08-27 20:50:45
性能。正確的柵極驅(qū)動順序可使IGBT柵極信號在第二個集電極電流過零點以前不被清除，從而顯著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的Eoff能耗是其米勒電容Crss、柵極驅(qū)動速度、柵極驅(qū)動關(guān)斷源
2021-06-16 09:21:55
IGBT組合封裝在一起。 除了選擇正確的二極管外，設(shè)計人員還能夠通過調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動導(dǎo)通源阻抗來控制Eon損耗。降低驅(qū)動源阻抗將提高IGBT或MOSFET的導(dǎo)通di/dt及減小Eon損耗。Eon損耗和EMI
2020-06-28 15:16:35
中國上海，2023年2月28日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出車載直流無刷電機(jī)柵極驅(qū)動IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，該IC適用于電動轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)（EPS
2023-02-28 14:11:51
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-07-09 07:00:00
`描述PMP10531.1 參考設(shè)計是一個 8 輸出隔離式 Fly-Buck 電源，用于電機(jī)驅(qū)動或高電壓逆變器應(yīng)用中的 IGBT 柵極驅(qū)動器。接受 24V 額定輸入，提供 4 組隔離式（+15V
2015-04-28 15:53:29
MOSFET中的開關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測試（圖
2023-02-22 16:34:53
描述此參考設(shè)計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
的電壓軌。特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個臂為半橋配置）的 6 個 IGBT 柵極驅(qū)動器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-03-23 14:53:06
描述 PMP9455 參考設(shè)計為 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低頻逆變器提供了高度集成的柵極驅(qū)動器解決方案。該設(shè)計具有獨特的高峰值電流驅(qū)動能力，同時集成了具有外部可編程增益和濾波
2018-11-30 15:52:43
：帶有 3A 峰值電流驅(qū)動功能的全橋 MOSFET 驅(qū)動器集成的超快 100V 自舉二極管支持額定值最高 5KVA 的逆變器兩個高側(cè)電流感應(yīng)放大器帶有外部可編程增益和緩沖輸出，可用于測量電池充電和放電
2022-09-22 06:37:42
描述PMP10531 參考設(shè)計是一個 8 輸出隔離式 Fly-Buck 電源，用于電機(jī)驅(qū)動或高電壓逆變器應(yīng)用中的 IGBT 柵極驅(qū)動器。接受 24V 額定輸入，提供 4 組隔離式（+15V、-8V
2018-09-12 08:50:56
與MOSFET有9大異同點，我們一起來看看。 01 IGBT與MOSFET的分類與異同點 IGBT全稱是絕緣柵極型功率管，是由雙極型三極管 (BJT) 和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式半導(dǎo)體
2022-06-28 10:26:31
FOD3150是一個1.0A的輸出電流柵極驅(qū)動光電耦合器，可驅(qū)動大部分800V/20A IGBT/MOSFET。 它非常適用于快速開關(guān)驅(qū)動在電機(jī)控制逆變器應(yīng)用以及高性能電源系統(tǒng)中使用的功率IGBT
2022-03-05 09:58:18
獨立高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。該輸出驅(qū)動器有一個高脈沖電流緩沖級，適用于最小的驅(qū)動器跨導(dǎo)，同時浮動通道可以用來驅(qū)動工作在高達(dá)600V高側(cè)配置的N溝道功率MOSFET或 IGBT。這些器件可為兩種通道提供
2008-11-13 20:40:15
MOS柵極驅(qū)動能力及最高600V工作電壓下，可提供200mA/300mA的驅(qū)動電流。它有三個互相獨立的高邊和低邊輸出通路以及全保護(hù)功能。此外還有一個用于PFC 或 Brake IGBT驅(qū)動的低邊驅(qū)動
2021-05-18 07:25:34
二極管要緩慢。因此，對于硬開關(guān)MOSFET應(yīng)用而言，體二極管常常是決定SMPS工作頻率的限制因素。一般來說，IGBT組合封裝二極管的選擇要與其應(yīng)用匹配，具有較低正向傳導(dǎo)損耗的較慢型超快二極管與較慢的低
2018-09-28 14:14:34
的功率MOSFET，從而形成垂直的PNP雙極結(jié)型晶體管。該附加的p+區(qū)域產(chǎn)生PNP雙極結(jié)型晶體管與表面n溝道MOSFET的級聯(lián)連接。 IGBT將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和
2020-07-07 08:40:25
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導(dǎo)體新型6kV電流隔離技術(shù)，以及SO-36W寬體封裝。瞬態(tài)抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
詳細(xì)說明:TLP352是可直接驅(qū)動中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封裝的IC耦合器。該產(chǎn)品的延遲時間為200 ns，光電耦合器之間的傳輸延遲時間差(PDD*) 為90 ns(上述
2019-09-20 09:03:36
額定功率更高的IGBT，VO3120可用于驅(qū)動離散功率級，以驅(qū)動IGBT柵極。推薦產(chǎn)品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特征：最小峰值輸出電流
2019-10-30 15:23:17
? -40oC 到 125oC 的工作溫度范圍 SL27517 是單通道 4A 的高速低側(cè)柵極驅(qū)動器，可以高效安全地驅(qū)動 MOSFET、IGBT 以及新興的寬帶隙功率器件。低傳播延遲以及緊湊
2022-07-26 10:21:31
Eoff。ZCS拓?fù)淇梢蕴嵘畲蟮?b class="flag-6" style="color: red">IGBT Eoff性能。正確的柵極驅(qū)動順序可使IGBT柵極信號在第二個集電極電流過零點以前不被清除，從而顯著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的 Eoff
2017-04-15 15:48:51
如圖2所示。IGBT通過兩個脈沖進(jìn)行開關(guān)轉(zhuǎn)換來測量Eon。第一個脈沖將增大電感電流以達(dá)致所需的測試電流，然后第二個脈沖會測量測試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。在硬開關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動電壓和阻抗
2019-03-06 06:30:00
的電壓軌。 特性? 隔離型電源，輸入范圍為 24V±20%，支持用于三相逆變器（每個臂為半橋配置）的 6 個 IGBT 柵極驅(qū)動器? 低波紋 (<200mV) 偏置輸出（+15V 和 -8V
2015-04-27 16:55:43
描述TIDA-00195 參考設(shè)計包括一個 22kW 功率級以及 TI 全新的增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極驅(qū)動器 ISO5852S（適用于各種應(yīng)用中的電機(jī)控制）。此設(shè)計可對三相逆變器（其中整合了額定
2018-12-27 11:41:40
FEBFOD8332是FOD8332智能柵極驅(qū)動器光電耦合器的評估板，是一款先進(jìn)的2.5A輸出電流IGBT驅(qū)動光電耦合器，可提供必要的關(guān)鍵保護(hù)，以防止導(dǎo)致IGBT發(fā)生破壞性熱失控的故障
2019-04-30 09:06:13
FEBFOD8333是FOD8333智能柵極驅(qū)動器光電耦合器的評估板，是一款先進(jìn)的2.5A輸出電流IGBT驅(qū)動光電耦合器，可提供必要的關(guān)鍵保護(hù)，以防止導(dǎo)致IGBT發(fā)生破壞性熱失控的故障
2019-04-28 10:36:39
光耦端的控制電流與功率管輸出驅(qū)動電流之比是用什么指標(biāo)表示，其最大值是多少？(潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-07-10 潮光光耦網(wǎng)解答：全部柵極驅(qū)動光耦合器都沒有CTR的放大特性。雖然所有柵極驅(qū)動光
2012-07-11 11:40:09
`描述TIDA-00174 參考設(shè)計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓
2015-03-23 12:07:05
`描述TIDA-00174 參考設(shè)計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓
2015-04-27 16:13:02
功率：每個 IGBT 為 2W，并可擴(kuò)展為支持更高功率 IGBT輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動電流可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能設(shè)計符合 IEC61800-5 標(biāo)準(zhǔn)`
2015-04-27 18:16:34
器提供正負(fù)偏置電壓。主要特色雙路隔離式輸出，+15V/-9V @ 200mA，4.8W 功率，單 IGBT 柵極驅(qū)動器的理想偏置電源小型電源模塊設(shè)計，標(biāo)準(zhǔn) DIP 封裝+/-5% 交叉調(diào)節(jié)，87% 峰值
2018-12-21 15:06:17
描述對于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因為在這類應(yīng)用中，單個 IGBT 無法提供所需的負(fù)載電流。此 TI 設(shè)計采用一個增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來
2018-12-07 14:05:13
描述TIDA-00174 參考設(shè)計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓
2018-09-05 08:54:59
這是我設(shè)計的一個單片機(jī)驅(qū)動光耦控制電機(jī)轉(zhuǎn)停的電路，大家看下電路設(shè)計對嗎？單片機(jī)在光耦驅(qū)動位拉高引腳，輸出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
使用驅(qū)動器 BM60059FV-C 驅(qū)動 1200V IGBT 時的設(shè)置。在每種情況下，都可以清楚地觀察到恒定的柵極輸出電流。 比較電流源驅(qū)動器和電壓源驅(qū)動器時感興趣的區(qū)域是周期T2-T3，其中dv
2023-02-21 16:36:47
SOIC 封裝。IX6611特點IX6611具有以下特點：信號輸入/輸出與脈沖變壓器兼容，可與電氣隔離MCU通信10 A 峰值拉電流和灌電流柵極驅(qū)動，具有獨立的拉電流和灌電流輸出負(fù)柵極驅(qū)動能力，用于驅(qū)動
2023-02-27 09:52:17
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為 MOSFET,輸出極為 PNP 晶體管,因此,可以把其看作是 MOS 輸入的達(dá)林頓管。它融和了這兩種器件的優(yōu)點
2021-03-19 15:22:33
描述 TIDA-00448 參考設(shè)計是帶有雙極性閘極電壓的隔離式 IGBT 閘極驅(qū)動程序，旨在用于驅(qū)動所需高峰值閘極電流高達(dá) 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 電源塊就在此范圍內(nèi)
2018-09-04 09:20:51
(x2) 和 -8V (x2)使用預(yù)調(diào)制的 24V 輸入進(jìn)行操作輸出功率：每個 IGBT 2W可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動電流旨在滿足 IEC61800-1-5
2018-09-20 08:49:06
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動能力，適用于驅(qū)動 SiC
2018-10-16 17:15:55
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點于一身，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點
2016-11-28 23:45:03
絕緣柵雙極晶體管IGBT是第三代電力電子器件，安全工作，它集功率晶體管GTR和功率場效應(yīng)管MOSFET的優(yōu)點于一身，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高(10-40 kHz)的特點
2016-10-15 22:47:06
柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護(hù)功能，防止功率管在過低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動器輸出具有最小驅(qū)動器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計。
2021-09-14 07:29:33
FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT柵極驅(qū)動光電耦合器。FOD8316基本特性在傳統(tǒng)的IGBT驅(qū)動器上增加了保護(hù)電路。可編程故障傳感去飽和檢測IGBT軟斷開欠壓鎖定輸出電壓軌到軌擺動:低功耗
2013-06-07 16:34:06
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
的效率。要做到這一點，電機(jī)控制電路必須很快地開關(guān)流向電機(jī)線圈的電流，在開關(guān)上面需要達(dá)到最小的切換時間或?qū)щ娖陂g的損失。 要滿足這些需求需要使用MOSFET和IGBT。這兩種半導(dǎo)體器件都可以用于電機(jī)驅(qū)動
2016-01-27 17:22:21
3kVRMS 基礎(chǔ)型隔離式柵極驅(qū)動器，可以驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)(...)主要特色適合單相和三相逆變器、中高電壓電源轉(zhuǎn)換器（100VAC 至 230VAC）0.5A/2A/6A/10A 拉電流和灌電流適合驅(qū)動
2018-09-30 09:23:41
描述TIDA-00174參考設(shè)計是一款四路輸出隔離式 Fly-Buck 電源，適合于 IGBT 柵極驅(qū)動器偏置。它產(chǎn)生兩組（+16V、-9V）電壓輸出，輸出電流容量為 100mA。正/負(fù)偏置電壓用于
2022-09-26 07:54:11
(x2) 和 -8V (x2)使用預(yù)調(diào)制的 24V 輸入進(jìn)行操作輸出功率：每個 IGBT 2W可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-03-23 14:35:34
(x2) 和 -8V (x2)使用預(yù)調(diào)制的 24V 輸入進(jìn)行操作輸出功率：每個 IGBT 2W可以選擇關(guān)閉電源以促進(jìn)安全扭矩切斷 (STO) 功能輸出波紋：< 200mV輸出電容器的額定值支持高達(dá) 6A 的峰值柵極驅(qū)動電流旨在滿足 IEC61800-1-5`
2015-04-27 17:31:57
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）生產(chǎn)和封裝技術(shù)的革命性發(fā)展，拓寬了這種主力電源開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用范圍。IGBT的基本概念是雙極性（高電流密度）的開關(guān)器件，以及如MOSFET器件上的高阻抗柵極。盡管人們早在
2018-12-03 13:47:00
IGBT 的柵極驅(qū)動是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動電路的注意事項，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動電路實例。
2010-08-31 16:33:41
213 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
Toshiba推出低功率柵極驅(qū)動光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔離器，設(shè)計用來驅(qū)動需要輸出電流高達(dá)±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驅(qū)動器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 東芝新推出一系列采用小型SO8封裝的IC光電耦合器TLP2451是一款使用圖騰柱輸出的IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
東芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅(qū)動光電耦合器，用于直接驅(qū)動中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061449 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復(fù)雜度上都有相當(dāng)大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進(jìn)取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 東芝推出采用DIP4封裝的大電流光繼電器，具有低導(dǎo)通電阻和大額定導(dǎo)通電流，更易使用。
2018-09-29 15:35:354448 不熟悉MOSFET或IGBT輸入特性的設(shè)計人員首先根據(jù)數(shù)據(jù)表中列出的柵源或輸入電容來確定元件值，從而開始驅(qū)動電路設(shè)計。基于柵極對源電容的RC值通常會導(dǎo)致柵極驅(qū)動嚴(yán)重不足。雖然柵極對源電容是一個重要
2020-03-09 08:00:0024 新型預(yù)驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。
2020-03-11 08:19:001180 本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導(dǎo)通和關(guān)斷、功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:003144 
MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 器件于今日開始支持批量出貨。 TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備，現(xiàn)在可直接通過該光耦驅(qū)動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少
2021-12-10 18:19:354266 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已經(jīng)推出面向20V電源線路的“TCK421G”，這是其“TCK42xG系列”MOSFET柵極驅(qū)動集成電路(IC)的首款產(chǎn)品。該系列的器件基于輸入電壓專用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓，并具備過壓自鎖功能。批量出貨即日起開始。
2022-02-12 09:18:511289 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:301635 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴(kuò)大其智能柵極驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動恢復(fù)的功能。該產(chǎn)品于今日開始出貨。
2022-08-31 17:58:551219 柵極驅(qū)動光電耦合器FOD31xx系列的功能是用作電源緩沖器 ,來控制功率MOSFET或IGBT的柵極 。它為 MOSFET或 IGBT的柵極輸入供應(yīng)所需的峰值充電電 流 ,來打開器件。該目標(biāo)通過
2022-10-24 09:00:07920 
設(shè)備驅(qū)動程序 緊湊型單通道隔離柵極驅(qū)動器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄體封裝中具有14A的典型吸收和源峰值輸出電流。
2022-11-02 16:47:09974 本文介紹了三個驅(qū)動MOSFET工作時的功率計算 以及通過實例進(jìn)行計算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動設(shè)計中電流的計算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動電流計算和驅(qū)動功耗計算
2022-11-11 17:33:0335 CA-IS3211是一款光耦兼容的單通道隔離式柵極驅(qū)動器，可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT和SiC器件。隔離等級達(dá)到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌輸出峰值電流能力。
2022-12-05 10:00:45697 新品速遞 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC
2023-02-02 11:10:02906 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-02 11:09:39991 瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。
2023-02-03 14:59:11314 柵極驅(qū)動參考 1.PWM直接驅(qū)動2.雙極Totem-Pole驅(qū)動器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動器4.速度增強(qiáng)電路5.dv/dt保護(hù) 1.PWM直接驅(qū)動 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0017 SLM27517 單通道，高速，低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以有效地驅(qū)動MOSFET和IGBT功率開關(guān)。使用設(shè)計其固有地最小化擊穿電流，可以源匯高峰值電流脈沖轉(zhuǎn)換為電容性負(fù)載軌對軌驅(qū)動能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222 寬供電電壓、雙通道、高速、低測柵極驅(qū)動器，包括功率MOSFET，IGBT。單個通道能夠提供高達(dá)4A拉電流和4A灌電流的軌到軌驅(qū)
2023-07-18 09:01:27330 
驅(qū)動光耦產(chǎn)品線，近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護(hù)的隔離柵極驅(qū)動IC，內(nèi)置保護(hù)操作自動恢復(fù)的功能。該器件主要用來實現(xiàn)逆變器、交流伺服器，光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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