多年來(lái),工程師和研究人員一直致力于尋找提高功率密度的方法。這是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。大多數(shù)公司將研究重點(diǎn)集中在減小用于能量轉(zhuǎn)換的無(wú)源組件的尺寸上。
2020-08-25 14:36:01
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飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合,解決了DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用中面臨提升功率密度的同時(shí)節(jié)省電路板空間和降低熱阻的挑戰(zhàn)。
2013-01-08 17:04:44
1112 集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展,功能密度不斷提高,在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。
2018-05-25 15:12:23
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為了更好地理解對(duì)功率密度的關(guān)注,讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出,效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見(jiàn)的。
2020-08-20 11:12:14
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在本文中,我們將討論一些設(shè)計(jì)技術(shù),以在不影響性能的情況下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:54
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提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢(shì)將持續(xù)下去,從而實(shí)現(xiàn)新的市場(chǎng)、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體(ST)的電源解決方案如何采用寬帶隙(WBG)技術(shù),幫助
2023-11-16 13:28:33
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為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來(lái)并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
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日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器,提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低,峰值效率達(dá)98 %,減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:21
1425 和信號(hào)完整性以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和精度。 ? 在這些趨勢(shì)之外,功率密度越來(lái)越高也是一個(gè)不爭(zhēng)的行業(yè)趨勢(shì),如果能在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率,就能以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)性能。隨著功率需求的增加,電路板面積和厚度日益成為限制
2022-11-29 01:04:00
1328 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))電源模塊功率密度越來(lái)越高是行業(yè)趨勢(shì),每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,電源模塊的尺寸會(huì)越來(lái)越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:52
2114 日益增長(zhǎng)的需求,適于使用自動(dòng)化表面貼裝生產(chǎn)線。要求最大功率密度和能效的典型應(yīng)用包括太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等。 英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術(shù)可以縮小芯片尺寸、提高
2018-10-23 16:21:49
通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析,可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù),進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
高密度智能功率模塊(IPM)推向市場(chǎng)。由于采用精細(xì)間距技術(shù)實(shí)現(xiàn)高布線密度的直接鍵合銅(DBC)基板,改善了熱性能,這些緊湊型IPM遠(yuǎn)小于具有相同電流和電壓額定值的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品。它們也表現(xiàn)出降低的功率損耗
2018-10-18 09:14:21
效率高,它以圓片形式的批量生產(chǎn)工藝進(jìn)行制造,一次完成整個(gè)晶圓芯片的封裝大大提高了封裝效率。 2)具有倒裝芯片封裝的優(yōu)點(diǎn),即輕,薄,短,小。封裝尺寸接近芯片尺寸,同時(shí)也沒(méi)有管殼的高度限制。 3)封裝芯片
2021-02-23 16:35:18
` 晶圓級(jí)封裝是一項(xiàng)公認(rèn)成熟的工藝,元器件供應(yīng)商正尋求在更多應(yīng)用中使用WLP,而支持WLP的技術(shù)也正快速走向成熟。隨著元件供應(yīng)商正積極轉(zhuǎn)向WLP應(yīng)用,其使用范圍也在不斷擴(kuò)大。 目前有5種成熟
2011-12-01 14:33:02
進(jìn)行實(shí)質(zhì)性改進(jìn)的情況下,我們有兩個(gè)方法來(lái)降低晶體管報(bào)廢率從而增加當(dāng)前75%的良品率。其一就是改進(jìn)我們的生產(chǎn)制程、優(yōu)化加工過(guò)程,降低每塊硅晶圓上的晶圓壞點(diǎn)密度。不過(guò)在我們討論如何減少壞點(diǎn)密度之前,我認(rèn)為
2011-12-01 16:16:40
,然后切割成一片一片薄薄的晶圓。會(huì)聽(tīng)到幾寸的晶圓廠,如果硅晶圓的直徑越大,代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小,這兩種方式都可以在一片晶圓上,制作出更多
2011-09-07 10:42:07
晶圓級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級(jí)封裝的開(kāi)發(fā)主要是由集成器件制造廠家(IBM)率先啟動(dòng)。1964年,美國(guó)IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
晶圓級(jí)封裝類型及涉及的產(chǎn)品
2015-07-11 18:21:31
先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級(jí)三維封裝技術(shù)發(fā)展
2020-12-28 07:15:50
晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)是對(duì)整片晶圓進(jìn)行封裝測(cè)試后再切割得到單個(gè)成品芯片的技術(shù),封裝后的芯片尺寸與裸片一致。
2019-09-18 09:02:14
標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率),組件設(shè)計(jì)人員設(shè)法通過(guò)芯片級(jí)創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來(lái)不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開(kāi)關(guān)性能
2018-09-12 15:14:20
隨著市場(chǎng)對(duì)芯片集成度要求的提高,I/O引腳數(shù)急劇增加,功耗也隨之增大,對(duì)集成電路封裝更加嚴(yán)格。為了滿足發(fā)展的需要,BGA封裝開(kāi)始被應(yīng)用于生產(chǎn)。BGA也叫球狀引腳柵格陣列封裝技術(shù),它是一種高密度表面
2018-09-18 13:23:59
效應(yīng)和功耗。因此,三維系統(tǒng)集成技術(shù)在性能、功能和形狀因素等方面都具有較大的優(yōu)勢(shì)。用于三維集成的先進(jìn)晶圓級(jí)技術(shù)晶圓級(jí)封裝技術(shù)已在許多產(chǎn)品制造中得到廣泛應(yīng)用。目前正在開(kāi)發(fā)晶圓級(jí)封裝的不同工藝技術(shù),以滿足在提高性能
2011-12-02 11:55:33
什么是功率密度?功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度?
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
2021-03-11 08:12:17
增大和密度提高使得晶圓測(cè)試的費(fèi)用越來(lái)越大。這樣一來(lái),芯片需要更長(zhǎng)的測(cè)試時(shí)間以及更加精密復(fù)雜的電源、機(jī)械裝置和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行測(cè)試工作和監(jiān)控測(cè)試結(jié)果。視覺(jué)檢查系統(tǒng)也是隨著芯片尺寸擴(kuò)大而更加精密和昂貴。芯片
2011-12-01 13:54:00
,目前半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)正向晶圓級(jí)封裝方向發(fā)展。它是一種常用的提高硅片集成度的方法,具有降低測(cè)試和封裝成本,降低引線電感,提高電容特性,改良散熱通道,降低貼裝高度等優(yōu)點(diǎn)。借用下面這個(gè)例子來(lái)理解晶圓級(jí)封裝
2011-12-01 13:58:36
,它們的優(yōu)值系數(shù)(FOM)大為改善,可以實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動(dòng)器并可支持高工作頻率,特別適用于有源鉗位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC轉(zhuǎn)換器,因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
,它們的優(yōu)值系數(shù)(FOM)大為改善,可以實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動(dòng)器并可支持高工作頻率,特別適用于有源鉗位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC轉(zhuǎn)換器,因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
在PFC電路中使用升壓轉(zhuǎn)換器提高功率密度
2022-11-02 19:16:13
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率,但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間,”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說(shuō),“如果不能增大尺寸,那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
,高功率密度的電源模塊多采用國(guó)際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,產(chǎn)品兼容性更廣。其次,產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小,只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三,技術(shù)指標(biāo)有重大改善,特別是效率提高到90%.第四,產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度?
2021-04-25 07:40:14
)5mm×6mm FET這類更新的方形扁平無(wú)引線(QFN)封裝在硅片和源極管腳之間能提供更小的封裝電阻。單位面積的電阻較小意味著單位面積的傳導(dǎo)損耗較少,也意味著更高的電流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
問(wèn)題的關(guān)鍵在于找出適宜高溫工作的連接材料,匹配封裝中不同材料的熱性能。此外,多功能集成封裝技術(shù)以及先進(jìn)的散熱技術(shù)在提升功率密度等方面也起著關(guān)鍵作用。本文重點(diǎn)就低雜散電感封裝、高溫封裝以及多功能集成封裝 3
2023-02-22 16:06:08
怎么測(cè)量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率(功率密度)?
2013-10-16 16:32:02
最初采用插孔封裝THP (through-hole package)形式。為適應(yīng)電子設(shè)備高密度組裝的要求,表面安裝封裝(SMP)技術(shù)迅速發(fā)展起來(lái)。在電子設(shè)備中使用SMP的優(yōu)點(diǎn)是能節(jié)省空間、改進(jìn)性能
2018-08-24 16:30:28
固態(tài)圖像傳感器要求在環(huán)境大氣中得到有效防護(hù)。第一代圖像傳感器安裝在帶玻璃蓋的標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝中。這種技術(shù)能使裸片得到很好的密封和異常堅(jiān)固的保護(hù),但體積比較龐大,制造成本也比較高。引入晶圓級(jí)封裝后
2018-12-03 10:19:27
整個(gè)壽命周期成本時(shí),逐步減少能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來(lái)總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面,將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中,即提高“功率密度”,可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中,如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車,隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn),以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn),現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率,但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間,”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說(shuō),“如果不能增大尺寸,那么只能提升功率密度。”
2019-08-06 07:20:51
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無(wú)接觸加工,激光能量通過(guò)聚焦后獲得高能量密度,直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
隨著集成電路設(shè)計(jì)師將更復(fù)雜的功能嵌入更狹小的空間,異構(gòu)集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術(shù)的一種更為實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的方式。作為異構(gòu)集成平臺(tái)之一,高密度扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)正獲得越來(lái)越多
2020-07-07 11:04:42
適配器。此外,不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池?cái)?shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路(IC)采用降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu), 去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
越大,代表著這座晶圓廠有較好的技術(shù)。另外還有scaling技術(shù)可以將電晶體與導(dǎo)線的尺寸縮小,這兩種方式都可以在一片晶圓上,制作出更多的硅晶粒,提高品質(zhì)與降低成本。所以這代表6寸、8寸、12寸晶圓當(dāng)中
2011-12-02 14:30:44
。 激光刻劃使得晶圓微裂紋以及微裂紋擴(kuò)張大大減少, LED單體之間距離更近,這樣既提高了出產(chǎn)效率也提高了產(chǎn)能。一般來(lái)講,2英寸的晶圓可以分離出20,000個(gè)以上的LED單體器件,如此高的密度,因而切割
2011-12-01 11:48:46
分立式電源解決方案和預(yù)先設(shè)計(jì)好的模塊之間最常見(jiàn)的折衷之處就是,占據(jù)的空間和提供的相關(guān)功率密度的折衷。 功率密度衡量的是單位占用體積所轉(zhuǎn)換功率的瓦數(shù);通常表示為瓦特每立方英寸。如今大多數(shù)行業(yè)不斷對(duì)設(shè)備
2018-12-03 10:00:34
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展,功能密度不斷提高,在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對(duì)產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見(jiàn)繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
集成來(lái)減小系統(tǒng)體積我還將演示如何與TI合作,使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面,幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先,讓我們來(lái)定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)
2022-11-07 06:45:10
,上世紀(jì)80年代即出現(xiàn)了分布式電源系統(tǒng),致使可以采用小型電源組件供給單個(gè)電路板安裝。例如,提供桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)的開(kāi)關(guān)電源具備了200W功率,輸出電壓為5V和12V,效率為80%,封裝功率密度為1W/in3
2016-01-18 10:27:02
用改進(jìn)的PQFN器件一對(duì)一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng),并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中,采用增強(qiáng)型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個(gè)組件代替一個(gè)并聯(lián)的組件對(duì)。
2011-03-09 09:13:02
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意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:25
5915 TI高功率密度電源設(shè)計(jì)中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:00
2790 Vicor 的轉(zhuǎn)換器級(jí)封裝(ChiP)技術(shù)簡(jiǎn)介倍提升 可擴(kuò)展功率元件封裝技術(shù)打破了性能和設(shè)計(jì)靈活性的新壁壘,實(shí)現(xiàn)了功率密度突破性的4被突破
2019-03-25 06:12:00
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通過(guò)對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析,可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET)參數(shù),進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:00
0 開(kāi)關(guān)型電源(SMPS)在通常便攜式計(jì)算機(jī)中占總重量的10%以上,因此,廠商們致力于提高功率密度和效率。
2020-10-02 16:23:00
5477 機(jī)電元件集成來(lái)減小系統(tǒng)體積 我還將演示如何與TI合作,使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面,幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。 首先,讓我們來(lái)定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)。 什么是功率密
2020-10-20 15:01:15
579 元件集成來(lái)減小系統(tǒng)體積,我還將演示如何與 TI 合作,使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面,幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。首先,讓我們來(lái)定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)功率密度值比較解決方案時(shí)的細(xì)節(jié)。
2020-11-19 15:14:00
11 基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢(shì)示意圖,我們可以清晰的看出,在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升,尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實(shí)現(xiàn)的呢?它主要是通過(guò)嘗試新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
2021-03-12 09:46:34
2465 
10A DC/DC 微型模塊在一個(gè)緊湊封裝內(nèi)提供了新的功率密度級(jí)
2021-03-19 08:07:57
7 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:51
9 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 采用小型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-18 20:00:35
10 小型QFN封裝的DN1038-42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-24 17:58:08
17 3D封裝對(duì)電源器件性能及功率密度的影響
2021-05-25 11:56:03
15 的散熱
通過(guò)機(jī)電元件集成來(lái)減小系統(tǒng)體積
我還將演示如何與TI合作,使用先進(jìn)的技術(shù)能力和產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這四個(gè)方面,幫助您改進(jìn)并達(dá)到功率密度值。
首先,讓我們來(lái)定義功率密度,并著重了解一些根據(jù)
2022-01-14 17:10:26
1733 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2022-05-31 09:47:06
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功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡(jiǎn)介
2022-10-31 08:23:24
3 一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià),電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià),逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià);一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià),而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:21
3715 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:30
1 和信號(hào)完整性以提高系統(tǒng)級(jí)保護(hù)和精度。 在這些趨勢(shì)之外,功率密度越來(lái)越高也是一個(gè)不爭(zhēng)的行業(yè)趨勢(shì),如果能在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更大的功率,就能以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)性能。隨著功率需求的增加,電路板面積和厚度日益成為限制因
2022-11-29 07:15:10
700 本文將介紹實(shí)現(xiàn)更高電源功率密度的 3 種方法,工藝技術(shù)創(chuàng)新、電路設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化、熱優(yōu)化封裝研發(fā)
2022-12-22 11:59:59
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))電源模塊功率密度越來(lái)越高是行業(yè)趨勢(shì),每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,電源模塊的尺寸會(huì)越來(lái)越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:02
723 功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:20
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為了適應(yīng)業(yè)界對(duì)節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要,Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID,將功率密度基準(zhǔn)設(shè)定為1 W / mm3以上。
2023-02-10 09:39:06
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對(duì)于電源管理應(yīng)用程序而言,功率密度的定義似乎非常簡(jiǎn)單:它指的是轉(zhuǎn)換器的額定(或標(biāo)稱)輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積,如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49
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在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來(lái)巨大的性能提升。比如,在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢(shì),能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27
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和功率密度方面有了很大的提高,但效率已成為一個(gè)有待解決的重要問(wèn)題。另外,早期應(yīng)用的故障率遠(yuǎn)高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率,并提升可靠性和經(jīng)濟(jì)性,以滿足未來(lái)應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙 (GaN) 技術(shù),以及該技
2023-10-03 14:26:00
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電力電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員致力于提升工業(yè)和汽車系統(tǒng)的功率效率和功率密度,這些設(shè)計(jì)涵蓋多軸驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車充電站和電動(dòng)汽車車載充電器等。
2023-09-26 10:00:04
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未來(lái)對(duì)電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí),變流器仍需具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31
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隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化,我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而,由此而來(lái)的是,增加的電子設(shè)備使得汽車對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升,這無(wú)疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中,MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能,成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06
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提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38
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通過(guò)GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:27
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí):功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45
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在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中,功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07
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評(píng)論