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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET

UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET

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InterWiser IWRFSOC 8x8 3U算法評(píng)估模塊化系統(tǒng)設(shè)計(jì)用 于集成到需要小尺寸,低功耗和實(shí)時(shí)處理的已部署RF系統(tǒng)中。  IWRFSOC8x8 XilinxZynq
2022-09-28 17:54:45

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉(zhuǎn)換器--T

TI推出具有集成FET的最新全集成10A同步降壓轉(zhuǎn)換器--TPS51315 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,
2009-07-28 07:48:391051

TI推出具最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)--TI TPS

TI 推出具最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān) TI 宣布推出
2010-01-08 17:36:28846

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

日前,Vishay宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381

UnitedSiCFET-Jet計(jì)算器讓SiC FET選擇過(guò)程不再充滿猜測(cè)

為電源設(shè)計(jì)選擇初始半導(dǎo)體開關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡(jiǎn)化這項(xiàng)工作并準(zhǔn)確預(yù)測(cè)系統(tǒng)性能。
2021-03-19 09:42:401891

UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)

UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)
2021-09-07 18:00:1317

UnitedSiC推出具有顯著優(yōu)勢(shì)的第四代SiC FET

2020年 750V第四代SiC FET 誕生時(shí),它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚,以 6毫歐 器件為例,品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半,由于體二極管反向恢復(fù)能量,動(dòng)態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉
2022-05-23 17:31:29947

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

的9mOhm導(dǎo)通電阻,擴(kuò)大了性能領(lǐng)先地位。 新型碳化硅 FET 采用標(biāo)準(zhǔn)分立式封裝。提供業(yè)界額定值最低RDS(on),是同類產(chǎn)品中唯一提供5μs的可靠短路耐受時(shí)間額定值的器件(參見Figure 1)。
2022-08-01 12:14:081068

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器成為更好的器件選擇工具

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需:
2022-10-11 09:03:28556

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET,能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效,且每個(gè)開關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。
2022-12-12 09:25:09446

UnitedSiC SiC FET用戶指南

UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172

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