概覽

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開(kāi)關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。

好處

不需要柵極驅(qū)動(dòng)電路

顯著降低死區(qū)時(shí)間損耗

所需驅(qū)動(dòng)功率更少

讓人更專(zhuān)注于Pre-switch核心技術(shù)

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)證明Pre-Switch解決方案在高頻電動(dòng)車(chē)開(kāi)關(guān)中的效率。

Pre-Switch是硅谷初創(chuàng)公司，專(zhuān)注提升電動(dòng)車(chē)傳動(dòng)系統(tǒng)的效率和降低成本，方法是在高壓（500-900V）分立器件中支持更高的開(kāi)關(guān)頻率、降低dV/dT和改進(jìn)電流分流。該公司使用人工智能控制強(qiáng)制性諧振回路，以確保即使在輸入電壓、器件降級(jí)、設(shè)備溫度和負(fù)載發(fā)生動(dòng)態(tài)變化時(shí)系統(tǒng)中也能實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)。

解決方案

新開(kāi)發(fā)的Pre-Switch CleanWave200是200kW的3相直流轉(zhuǎn)交流功率器件，用于評(píng)估Pre-Switch的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。該系統(tǒng)使用由先進(jìn)的人工智能控制的強(qiáng)制諧振ARCP電路，基本可以消除開(kāi)關(guān)損耗。該技術(shù)還允許開(kāi)關(guān)頻率位于50kHz至100kHz范圍內(nèi)，為客戶(hù)提供更純粹的正弦波、更高的電動(dòng)機(jī)效率、更低的電磁干擾和更小的直流母線(xiàn)電容。在UnitedSiC提供測(cè)試樣本協(xié)助Pre-Switch的早期開(kāi)發(fā)后，Pre-Switch圍繞UJ3C120040K3S 35m? SiC共源共柵配置的FET設(shè)計(jì)出了新的CleanWave200。

【圖1.Pre-Flex 3設(shè)計(jì)】

好處

與其他競(jìng)爭(zhēng)性的SiC MOSFET相比，UnitedSiC的共源共柵FET器件“物超所值”。在結(jié)合了Pre-Switch的技術(shù)和UnitedSiC的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)后，末端系統(tǒng)為Pre-Switch的客戶(hù)提供了更低成本的解決方案，并開(kāi)創(chuàng)了在汽車(chē)評(píng)價(jià)系統(tǒng)的直流/交流逆變器應(yīng)用中使用UnitedSiC器件的先河。

減少憂(yōu)慮，更加專(zhuān)注

與其他競(jìng)爭(zhēng)性SiC MOSFETS 相比，UnitedSiC器件的V(GS) 輸入范圍廣，V(GS, th)高。這允許Pre-Switch專(zhuān)注于核心技術(shù)和系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)，而非擔(dān)憂(yōu)設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路。

功率更低

UnitedSiC器件的低Q(g)意味著驅(qū)動(dòng)它們所需的功率較低，尤其是在100kHz下。

降低了死區(qū)時(shí)間損耗

在自諧振邊沿轉(zhuǎn)換期間，由于二極管導(dǎo)電，可能出現(xiàn)一些死區(qū)時(shí)間損耗。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的典型SiC MOSFET體二極管V(f) = 3-4V，而UJ3C120040K3S的規(guī)格低得多，為V(f) = 1.5V。所以，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品的損耗比UnitedSiC的多3倍左右。

性能數(shù)據(jù)

【圖2. 效率與電流】

審核編輯：郭婷