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英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片

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FZ400R17KE3 英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結構,并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n摻雜附加層
2023-02-07 14:31:30

英飛凌IGBT模塊

FZ600R17KE3 IGBT模塊FZ600R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結構,并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n摻雜附加層,這個附加
2023-02-07 14:36:09

英飛凌IGBT模塊

FZ1200R17KE3FZ1200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結構,并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n摻雜附加層,這個附加層被稱為
2023-02-07 14:38:49

英飛凌IGBT模塊

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2023-02-24 14:45:08

英飛凌IGBT模塊

FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結構,并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47

英飛凌IGBT模塊FF300R06KE3

FF300R06KE3英飛凌igbt模塊FF300R06KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結構,并通過在傳統的NPT-IGBT的襯底和集電區之間加入一個n摻雜附加層,這個
2023-02-24 15:28:34

英飛凌發布全新LTE及3G射頻芯片SMARTi LU和SMA

英飛凌發布全新LTE及3G射頻芯片SMARTi LU和SMARTi UEmicro 英飛凌(Infineon Technology)宣布推出具備最高傳輸速率的第二代LTE射頻收發器樣片──SMARTi
2009-01-27 17:52:511417

創新的IGBT內部封裝技術

創新的IGBT內部封裝技術 英飛凌推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT
2010-05-11 17:32:472392

英飛凌全新.XT技術大幅延長IGBT模塊使用壽命

英飛凌全新.XT技術大幅延長IGBT模塊使用壽命 2010年5月6日,德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日
2010-05-13 09:16:101061

英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關器件

英飛凌RC-D功率開關器件系列在單一芯片上融合了市場領先的英飛凌專有技術TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續流二極管,具有很低的開關損耗和傳導損耗,并且減小了永磁電機驅
2011-05-31 09:00:421610

英飛凌推出可信平臺模塊(TPM)芯片

英飛凌科技推出可信平臺模塊(TPM)芯片。TPM是谷歌Chromebook的安全架構不可或缺的組成部分。英飛凌成為適合與面向網絡應用的全新操作系統結合使用的TPM芯片的首家供應商
2011-08-04 08:45:342126

雜散電感對高效IGBT逆變器設計的影響

IGBT技術不能落后于應用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應用的需求。
2011-08-10 11:21:003649

英飛凌推出全新XMC4000 32位單片機

英飛凌科技今日推出全新的XMC4000 32位單片機產品家族,它們選用ARM?的Cortex?-M4處理器。英飛凌利用自身在開發針對應用而優化的外設,并具備出色的實時功能的單片機方面的30多年的豐
2012-02-22 09:22:591285

英飛凌為感應加熱應用推出新一代逆導IGBT

英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導二極管的20A 1350V器件,再次擴充逆導(RC) 軟開關IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產品組合。新的20A RC-H5是對英飛凌性能領先的RC-H系列的擴展,重點關注感應加熱應用的系統效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:25827

英飛凌IGBT芯片技術又升級換代了?

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術,英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對工業電機驅動應用進行芯片優化,實現更高功率密度與更優的開關特性。
2018-06-21 10:10:4412361

英飛凌igbt型號及參數大全

英飛凌igbt型號及參數大全 英飛凌(Infineon)是德國西門子半導體集體(Siemens)的獨立上市公司。前身也叫歐派克(EUPEC:歐洲電力電子公司)。 一.拓撲圖與型號的關系:型號開頭
2023-02-08 14:17:295593

英飛凌IGBT

英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高,在設計靈活性上也絲毫不妥協 我們的產品組合包括不同的先進IGBT功率模塊產品系列,它們擁有不同的電路結構、芯片配置和電流電壓等級,適用于
2023-02-16 16:30:581136

igbt可控硅有什么區別?

igbt可控硅有什么區別?? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)與可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)都是功率
2023-08-25 14:57:315661

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號

Infineon(英飛凌)作為一家全球領先的半導體解決方案提供商,其IGBT管產品在市場上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號:一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531479

英飛凌IGBT單管命名規則

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2023-11-23 09:09:35653

英飛凌IGBT模塊命名規則

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2023-11-23 09:09:36527

英飛凌IGBT模塊封裝

英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領先的半導體公司,專注于電力管理、汽車和電動汽車解決方案、智能家居和建筑自動化、工業自動化、醫療、安全和物聯網等領域。在電力管理領域,英飛凌IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469

可控硅和igbt區別

可控硅和igbt區別? 可控硅和IGBT是現代電力電子領域中常用的兩種功率半導體器件。雖然兩者都能在電力控制和轉換中發揮重要作用,但它們在結構、工作原理、性能特點和應用等方面存在著顯著差異。下文
2023-12-07 16:45:323214

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